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公开(公告)号：CN109429024A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201811014819.8
申请日：2018-08-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/369 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/3765 , G01S7/4863 , G01S17/89 , G06T7/521 , G06T2207/10028 , H01L27/14607 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14645 , H01L27/14649 , H01L31/107 , H04N5/06 , H04N5/341 , H04N5/343 , H04N5/3696 , H04N5/36965 , H04N5/3745 , H04N5/37455 , H04N5/378 , H04N5/369 , H01L27/14601
Abstract: 本发明提供一种固态图像传感器和摄像设备，其可以在抑制电路规模增大的同时实现图像获取和测距。所述固态图像传感器包括：多个像素，所述多个像素中的各像素包括传感器单元，所述传感器单元用于按基于光子的接收频率的频率产生脉冲；以及计数器，其以第一模式和第二模式工作，所述第一模式用于对所述传感器单元所产生的信号的脉冲数进行计数，以及所述第二模式用于对基于自从发光单元发光的定时起的经过时间的预定信号的脉冲数进行计数。
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公开(公告)号：CN108885137A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780008612.7
申请日：2017-01-24
Applicant: AMS传感器英国有限公司
CPC classification number: G01J3/42 , G01J3/2803 , G01J5/024 , G01J5/0853 , G01J5/12 , G01J5/20 , G01J2005/123 , G01J2005/202 , H01L23/34 , H01L27/1446 , H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/14618 , H01L27/1462 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14649 , H01L27/14669 , H01L27/14683 , H01L27/16 , H01L31/02002 , H01L31/0203 , H01L31/0216 , H01L31/02327 , H01L31/028 , H01L31/16 , H01L31/1804 , H01L37/025
Abstract: 我们公开了一种红外(IR)检测器阵列，包括在包含蚀刻部分的半导体基底上形成的至少一个介电膜(2，3)；至少两个IR检测器(4，5)，以及在所述介电膜的一个或所有两个侧面的内部或是其上形成的至少一个图案化层(7)，用于控制所述IR检测器中的至少一个的IR吸收。所述图案化层包括横向间隔结构。
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公开(公告)号：CN105552093B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201510686585.1
申请日：2015-10-21
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Inventor： 古安诺·乔治·曹
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14616 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14649
Abstract: 本申请案涉及一种具有耗尽调整层的彩色及红外图像传感器。一图像传感器像素包含形成于半导体层中的光电二极管区、钉扎层及耗尽调整层。所述光电二极管区从所述图像传感器像素的光入射侧接收可见光及红外光。所述钉扎层安置于所述半导体层的前表面与所述光电二极管区之间，而所述耗尽调整层安置于所述钉扎层与所述光电二极管区之间。所述耗尽调整层经配置以调整所述光电二极管区的耗尽区以减少由所述所接收红外光在所述光电二极管区中诱发的电荷载流子。
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公开(公告)号：CN104979365B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201410371322.7
申请日：2014-07-30
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Inventor： 奥拉伊·奥尔昆·赛莱克 , 杨大江 , 胡信崇 , 菲利浦·约翰·希兹迪尔 , 戴森·H·戴 , 陈刚 , 杨存宇 , 林志强
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14625 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14649 , H01L27/14658 , H01L31/167
Abstract: 本发明涉及一种图像传感器像素及图像传感器。图像传感器像素包含光敏元件、浮动扩散区域、转移栅极、电介质电荷捕集区域及第一金属接触件。所述光敏元件安置在半导体层中以接收沿着垂直轴的电磁辐射。所述浮动扩散区域安置在所述半导体层中，而所述转移栅极安置在所述半导体层上以控制所述光敏元件中产生的电荷到所述浮动扩散区域的流动。所述电介质电荷捕集装置安置在所述半导体层上以接收沿着所述垂直轴的电磁辐射且响应于所述电磁辐射捕集电荷。所述电介质电荷捕集装置经进一步配置以响应于所述所捕集的电荷在所述光敏元件中引致电荷。所述第一金属接触件耦合到所述电介质电荷捕集装置以向所述电介质电荷捕集装置提供第一偏压。
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公开(公告)号：CN108063150A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201711437409.X
申请日：2017-12-26
Applicant: 广东欧珀移动通信有限公司
Inventor： 吴安平
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14601 , H01L27/14649
Abstract: 本发明公开的电子装置包括机壳、输入输出模组、振动模组和压电元件。输入输出模组设置在机壳内，输入输出模组包括封装壳体、红外补光灯、接近红外灯、及接近传感器。封装壳体包括封装基板，红外补光灯、接近红外灯及接近传感器均封装在封装壳体内并承载在封装基板上。红外补光灯与接近红外灯能够以不同的功率向封装壳体外发射红外光线，接近传感器用于接收被物体反射的红外光以检测出物体的距离。振动模组安装在机壳上，压电元件与振动模组结合并与输入输出模组间隔，压电元件用于在被施加电信号时发生形变以使振动模组振动。输入输出模组的集成度较高，体积较小，电子装置采用压电元件和振动模组实现骨传导传声，能够有效保证通话内容的私密性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107665886A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710193662.9
申请日：2017-03-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/54 , H01L33/58
CPC classification number: H01L31/02164 , G01J1/44 , G01J2001/4466 , H01L27/1446 , H01L27/1462 , H01L27/14625 , H01L27/1463 , H01L27/14649 , H01L31/02027 , H01L31/107 , H01L25/0753 , H01L33/54 , H01L33/58
Abstract: 公开了用于检测红外线辐射的盖革模式雪崩光电二极管阵列。一种盖革模式雪崩光电二极管阵列形成在裸片中并且包括：内部电介质结构，该内部电介质结构被安排在该裸片上；以及外部电介质区域，该外部电介质区域被安排在该内部电介质结构上。该外部电介质区域由外部材料形成，该外部材料吸收波长落入低波长阻带中的辐射并且透射波长落入高波长通带中的辐射，该通带的至少一部分包括红外线中的波长。该内部电介质结构由一个或多个内部材料形成，该一个或多个内部材料实质上透射波长落入该阻带和该通带中的辐射，并且具有落入幅度为0.4的区间内的折射率。在该阻带和该通带中，该外部电介质区域的折射率具有落入上述区间内的实部。
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公开(公告)号：CN107079136A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580047380.7
申请日：2015-09-08
Applicant: 奥林巴斯株式会社
Inventor： 福永康弘
CPC classification number: A61B1/043 , A61B1/042 , G02B23/2423 , G02B23/2453 , G02B23/2484 , H01L27/14621 , H01L27/14634 , H01L27/14645 , H01L27/14647 , H01L27/14649 , H04N5/2256 , H04N5/332 , H04N9/07 , H04N2005/2255
Abstract: 摄像元件具有第1基板、第2基板、第1像素和被照射透过第1像素后的光的第2像素，第2像素具有与受光面平行的第1PN结、和与受光面平行且存在于比第1PN结深的位置处的第2PN结，并根据在第2PN结处获得的电荷，生成与第2波段的光对应的第2信号。
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公开(公告)号：CN107015302A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611247730.7
申请日：2016-12-29
Applicant: 唯亚威解决方案股份有限公司
Inventor： G.J.奥肯富斯
IPC: G02B5/20
CPC classification number: H01L27/14621 , G01J3/26 , G01J3/2803 , G01J3/36 , G01J2003/2806 , G01J2003/2826 , G02B5/285 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14645 , H01L27/14649 , H01L27/14685 , H01L27/14868 , H01L27/14875 , G02B5/20
Abstract: 光学传感器装置可包括光学传感器组。光学传感器装置可包括基底。光学传感器装置可包括设置在基底上的多光谱滤波器阵列。多光谱滤波器阵列可包括设置在基底上的第一介质镜。多光谱滤波器阵列可包括设置在第一介质镜上的间隔件。间隔件可包括层组。多光谱滤波器阵列可包括设置在间隔件上的第二介质镜。第二介质镜可与传感器元件组中的两个或更多个传感器元件对齐。
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公开(公告)号：CN106960854A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201611162050.5
申请日：2016-12-15
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14649 , B82Y20/00 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , Y10S977/773 , Y10S977/81 , Y10S977/954 , H01L27/146 , H01L27/14629
Abstract: 第一等离子纳米结构传感器像素包括半导体基板和多个金属柱。半导体基板具有上表面和上表面下方的光电二极管区域。多个金属柱至少部分地嵌入在基板中并从上表面在与上表面基板垂直的方向中延伸。第二等离子纳米结构传感器像素包括(a)具有上表面的半导体基板，(b)在上表面上的氧化物层，(c)在上表面和氧化物层之间的薄膜涂层，以及(d)多个金属纳米颗粒，多个金属纳米颗粒(i)至少部分地在上表面和氧化物层之间并且(ii)至少部分地嵌入在薄膜涂层和氧化物层的至少一个中。第三等离子纳米结构传感器像素包括第一和第二等离子纳米结构传感器像素的特征。
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公开(公告)号：CN102549749B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201080036733.0
申请日：2010-06-21
Applicant: 乌利斯股份公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14618 , G01J5/045 , G01J5/0875 , H01L27/14649 , H01L27/14683 , H01L2224/16 , H01L2924/01019 , H01L2924/01057 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/10157 , H01L2924/10158 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
Abstract: 红外辐射微装置、所述装置的盖子和制备所述装置的方法，所述装置包括基底、盖子和红外辐射检测、发射或反射红外微单元，所述红外微单元置于由所述基底和所述盖子限定的空腔中，所述盖子包括抗反射表面纹理，以提高红外辐射透过率，其中在添加过程中在所述盖子的基底侧上和/或所述基底的盖子侧上形成的距离框架置于所述基底和所述盖子之间。
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