公开(公告)号：CN101192555A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200710196089.3

申请日：2007-12-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上柳寿子 ,  柴田聪 ,  金木励起 ,  宫川纮平

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/266 ,  G03F7/42

CPC classification number: G01N23/227 ,  H01L22/14 ,  H01L22/24 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在本发明的树脂膜评价方法和应用该树脂膜评价方法制造半导体装置的方法中，首先，用荷能带电粒子照射在绝缘膜上形成有树脂膜的基板，该树脂膜带有开口，在开口中，绝缘膜的表面被露出。然后，测量用荷能带电粒子照射的基板表面的表面电位。根据测量值，获得树脂膜和开口中露出的绝缘膜之间的表面电位差。根据表面电位差，预测在进行规定的处理后获得的物理量如树脂膜残渣计数。以这种方式，由于荷能带电粒子如注入离子而在树脂膜表面上形成的变质层可以以简单和高度准确的方式进行评价。