公开(公告)号：CN1808721A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200610005787.6

申请日：2006-01-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中晶二 ,  宫川良平 ,  古贺一成 ,  平田达也 ,  长崎博记

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/78 ,  H01L21/822 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/035236

Abstract: 本发明的一个目标是提供可以增加光电二极管中信号电荷累积的数量的固态成像器件及其制造方法。根据本发明的固态成像器件包括：形成于p型半导体基底之上的栅电极；n型信号累积区，累积通过光电转换获得的信号电荷，且其形成于半导体基底中，使信号累积区的一部分位于栅电极之下；n型漏区，位于半导体基底中，使n型漏区穿过上述栅电极与信号累积区相对；以及p型穿通阻止区，具有高于半导体基底的杂质浓度，并形成于半导体基底中，使p型穿通阻止区位于漏区之下，其中穿通阻止区的末端比漏区的末端更接近信号累积区。

公开(公告)号：CN1697192A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510009599.6

申请日：2005-02-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长崎博记 ,  田中晶二

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/035272

Abstract: 在半导体衬底(10)的主表面中形成光电二极管(20a、20b)。光电二极管(20a)包括P+型半导体层(22a)和电荷积累部分(21a)，光电二极管(20b)包括P+型半导体层(22b)和电荷积累部分(21b)。光电二极管(20a和20b)由具有STI结构的元件隔离部分(33a)分开。构成光电二极管(20a和20b)的电荷积累部分(21a和21b)的底部位于到半导体衬底(10)的主表面比到元件隔离部分(33a)的底部更深的位置上。这样，可以提供一种固态成像装置，其中可以防止色彩混合并且电荷积累部分的容量大，并且灵敏性和饱和特性优异。

公开(公告)号：CN100440519C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200410007438.9

申请日：2004-03-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长崎博记 ,  田中晶二 ,  松长诚之

IPC: H01L27/14 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L21/76237 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14806 ,  H01L27/14843

Abstract: 本发明提供一种高性能的固体摄像器件。固体摄像器件具有多个象素单元和驱动机构，各象素单元包括：将入射光变换成信号电荷并存储起来的光电二极管(3)，为了读出存储在光电二极管(3)内的信号电荷而设置的MOS晶体管(4)，为了将光电二极管(3)和MOS晶体管(4)分离、用在半导体基板(10)上挖入的STI形成的元件分离部(2)，为了阻止从光电二极管(3)向MOS晶体管(4)的电荷流出，形成在元件分离部下侧的深部分离注入层(1)。

公开(公告)号：CN100426512C

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200510009599.6

申请日：2005-02-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长崎博记 ,  田中晶二

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/035272

Abstract: 在半导体衬底(10)的主表面中形成光电二极管(20a、20b)。光电二极管(20a)包括P+型半导体层(22a)和电荷积累部分(21a)，光电二极管(20b)包括P+型半导体层(22b)和电荷积累部分(21b)。光电二极管(20a和20b)由具有STI结构的元件隔离部分(33a)分开。构成光电二极管(20a和20b)的电荷积累部分(21a和21b)的底部位于到半导体衬底(10)的主表面比到元件隔离部分(33a)的底部更深的位置上。这样，可以提供一种固态成像装置，其中可以防止色彩混合并且电荷积累部分的容量大，并且灵敏性和饱和特性优异。

公开(公告)号：CN1527394A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN200410007438.9

申请日：2004-03-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长崎博记 ,  田中晶二 ,  松长诚之

IPC: H01L27/14 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L21/76237 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14806 ,  H01L27/14843

Abstract: 本发明提供一种高性能的固体摄像器件。固体摄像器件具有多个象素单元和驱动机构，各象素单元包括：将入射光变换成信号电荷并存储起来的光电二极管(3)，为了读出存储在光电二极管(3)内的信号电荷而设置的MOS晶体管(4)，为了将光电二极管(3)和MOS晶体管(4)分离、用在半导体基板(10)上挖入的STI形成的元件分离部(2)，为了阻止从光电二极管(3)向MOS晶体管(4)的电荷流出，形成在元件分离部下侧的深部分离注入层(1)。