公开(公告)号：CN1298199C

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN03104127.2

申请日：2003-02-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  木村忠司 ,  矢代阳一郎 ,  佐藤健一 ,  齐藤光央

IPC: H05H1/42 ,  G03F7/36

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32376 ,  H01J37/32935 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2412

Abstract: 提供一种等离子体处理方法及装置，本发明的等离子体处理方法，其特征在于是在一边向配置在被处理物旁边的微等离子体源空间内供给气体，一边向上述微等离子体空间旁边的部件供给电力，在上述微等离子体源的空间内，发生微等离子体，从与上述空间连接的上述微等离子体源开口部分释放出的活性粒子作用于上述被处理物，在被处理物上形成细微线状部分的等离子体处理方法中，使气体与上述被处理物平行，沿着上述细微线状部分的长度方向，在开口部分附近进行流动，并在上述被处理物上形成细微线状部分。

公开(公告)号：CN1438831A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN03104127.2

申请日：2003-02-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  木村忠司 ,  矢代阳一郎 ,  佐藤健一 ,  齐藤光央

IPC: H05H1/42 ,  G03F7/36

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32376 ,  H01J37/32935 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2412

Abstract: 提供一种等离子体处理方法及装置，本发明的等离子体处理方法，其特征在于是在一边向配置在被处理物旁边的微等离子体源空间内供给气体，一边向上述微等离子体空间旁边的部件供给电力，在上述微等离子体源的空间内，发生微等离子体，从与上述空间连接的上述微等离子体源开口部分释放出的活性粒子作用于上述被处理物，在被处理物上形成细微线状部分的等离子体处理方法中，使气体与上述被处理物平行，沿着上述细微线状部分的长度方向，在开口部分附近进行流动，并在上述被处理物上形成细微线状部分。