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公开(公告)号：CN104332427B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201410331047.6
申请日：2014-07-11
CPC classification number: H01J37/32357 , C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/45514 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32651 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/02274 , H01L21/0262 , H01L21/3065 , H01L21/3145 , H01L21/67017 , H01L21/67069
Abstract: 一种处理室，其包括：反应室，其具有处理区域；处理气体入口，其与处理区域连通；第一受激发物质生成区，其与处理气体入口连通；以及第二受激发物质生成区，其与处理气体入口连通。一种处理基板的方法，其包括以下步骤：在处理区域内加载基板；激活第一受激发物质生成区，以在第一脉冲期间向处理区域提供第一受激发物质前驱物；以及激活第二受激发物质生成区，以在第二脉冲期间向处理区域提供不同于第一受激发物质前驱物的第二受激发物质前驱物。
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公开(公告)号：CN109234708A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810650227.9
申请日：2018-06-22
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: C23C16/513 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L51/52
CPC classification number: H01J37/32082 , C23C16/345 , C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/45565 , C23C16/505 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32458 , H01J37/32467 , H01J37/32568 , H01J37/32577 , H01J2237/3321 , H01L51/001 , H01L51/56 , C23C16/513 , C23C16/458 , C23C16/463 , H01L51/5253
Abstract: 提供了一种化学气相沉积设备和利用其制造显示设备的方法。所述化学气相沉积设备包括室、支撑基底的基座、施加有电力的背板、提供沉积气体的扩散器和第一绝缘体。第一绝缘体可以包括第一部分和第二部分，所述第一部分覆盖背板的顶表面，所述第二部分与第一部分组装在一起并覆盖背板的侧壁。
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公开(公告)号：CN108899296A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810755771.X
申请日：2014-07-11
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/314 , H01J37/32 , C23C16/452 , C23C16/455
CPC classification number: H01J37/32357 , C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/45514 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32651 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/02274 , H01L21/0262 , H01L21/3065 , H01L21/3145 , H01L21/67017 , H01L21/67069
Abstract: 一种处理室，其包括：反应室，其具有处理区域；处理气体入口，其与处理区域连通；第一受激发物质生成区，其与处理气体入口连通；以及第二受激发物质生成区，其与处理气体入口连通。一种处理基板的方法，其包括以下步骤：在处理区域内加载基板；激活第一受激发物质生成区，以在第一脉冲期间向处理区域提供第一受激发物质前驱物；以及激活第二受激发物质生成区，以在第二脉冲期间向处理区域提供不同于第一受激发物质前驱物的第二受激发物质前驱物。
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公开(公告)号：CN108695149A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810275297.0
申请日：2018-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32082 , H01J37/32559 , H01J37/32724 , H01J37/32834 , H01J2237/002 , H01J2237/334 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/67069 , H01L21/67109
Abstract: 本发明涉及蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质。提供一种能够通过干法工艺来相对于其它材料选择性地蚀刻锗Ge的技术。以对包含H2气体或NH3气体的蚀刻气体进行了激励的状态向具有锗部分的被处理基板供给该蚀刻气体来蚀刻锗部分。作为锗部分，能够列举锗膜。所述被处理基板具有锗部分和含硅部分，能够相对于所述含硅部分选择性地蚀刻锗部分。作为含硅部分，能够列举硅、硅锗、氮化硅膜以及氧化硅膜中的任一个。
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公开(公告)号：CN105431376B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201480042006.3
申请日：2014-07-23
Applicant: 3M创新有限公司
CPC classification number: C23C16/0245 , B81C1/00031 , B81C2201/0132 , C09J7/22 , C09J2201/606 , C23C16/50 , H01J37/32082 , H01J37/32541 , H01J2237/3321 , H01J2237/3341
Abstract: 本发明公开了一种制备纳米结构和纳米结构化制品的方法，该方法通过以下方式：由从气态混合物进行的等离子体化学气相沉积来将层沉积到基底的主表面上同时基本上同时用反应性物质蚀刻该表面。该方法包括提供基底；将在形成为等离子体时能够将层沉积到基底上的第一气态物质与在形成为等离子体时能够蚀刻基底的第二气态物质混合，从而形成气态混合物；将气态混合物形成为等离子体；以及使基底的表面暴露于等离子体，其中表面被蚀刻，并且层被基本上同时沉积在经蚀刻的表面的至少一部分上，从而形成纳米结构。基底可为(共)聚合物材料、无机材料、合金、固溶体或它们的组合。沉积的层可以包括使用反应性气体进行的等离子体化学气相沉积的反应产物，该反应性气体包括选自以下的化合物：有机硅化合物、金属烷基化合物、金属异丙氧化物化合物、金属乙酰丙酮化物、金属卤化物以及它们的组合。可以制备具有高纵横比并且在至少一个维度上并且优选在三个正交维度上任选地具有无规维度的纳米结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108431930A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201780005093.9
申请日：2017-01-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/3213 , H05H1/46 , H01L21/683
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32532 , H01J37/32559 , H01J37/32568 , H01J2237/334 , H01L21/3065
Abstract: 本文中所述的实施方式涉及用于执行原子层蚀刻(ALE)的设备和方法。脉冲式等离子体产生和针对等离子体残光的后续偏压应用可提供改良的ALE特性。本文中所述的设备提供了从一或多个等离子体源产生等离子体和偏压等离子体残光以促进从基板移除材料。
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公开(公告)号：CN105321792B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201510299311.7
申请日：2015-06-03
Applicant: 朗姆研究公司
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/45525 , C23C16/45536 , C23C16/45538 , C23C16/505 , C23C16/52 , H01J37/32082 , H01J37/32155 , H01J37/32183 , H01J37/3244 , H01J37/32889 , H01J37/32899 , H01J37/32935 , H01J2237/3321 , H01L21/0262
Abstract: 本发明涉及利用RF平衡的多站式等离子体反应器。公开了用于利用RF功率频率调谐的多站式半导体沉积操作的方法和装置。RF功率的频率可根据在半导体沉积操作期间所测得的等离子体的阻抗来调谐。在所述方法和装置的某些实施方案中，RF功率参数可以在沉积操作期间或之前进行调节。半导体沉积操作的某些其他实施方案可以包括利用相应的不同配方的多个不同的沉积工艺。配方可以包括用于每个相应的配方的不同的RF功率参数。相应的配方可以在每个沉积工艺前调节RF功率参数。RF功率频率调谐可以在每个沉积工艺期间被使用。
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公开(公告)号：CN105489464B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201510894141.7
申请日：2012-11-12
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 克伦·雅克布卡纳里克
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/32082 , H01J37/321 , H01J37/32128 , H01J37/32137 , H01J37/32146 , H01J37/32165 , H01J2237/334 , H05H1/46 , H05H2001/4682
Abstract: 提供一种用于对处理腔室中的衬底进行处理的方法，处理腔室具有至少一个等离子体产生源、和用于向腔室提供处理气体的气体源。该方法包含用具有射频频率的射频信号激发等离子体产生源。该方法还包含使用至少第一气体脉冲频率给气体源施加脉冲，使得在气体脉冲周期的第一部分期间，第一处理气体流至腔室，在气体脉冲周期的第二部分期间，第二处理气体流至腔室，气体脉冲周期与第一气体脉冲频率关联。相对于第一处理气体的反应气体比惰性气体的比率，第二处理气体的反应气体比惰性气体的比率较低。第二处理气体通过从第一处理气体去除至少一部分反应气体流而形成。
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公开(公告)号：CN107267958A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710177867.8
申请日：2017-03-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/505 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32568 , H01J2237/3321 , H01L21/67011
Abstract: 喷头配置为安装在处理室上并且将处理气体提供在处理室内的半导体晶圆上。喷头包括供气腔、花盘和电极板组件。花盘设置在供气腔的一侧处。电极板组件设置在气体源和供气腔之间。电极板组件包括具有一体化结构并且具有多个第一气孔的第一板以及具有一体化结构并且具有多个第二气孔的第二板。第二板位于第一板和供气腔之间并且与第一板分离。多个第二气孔与多个第一气孔部分地重叠但是未对准。也提供了具有喷头的半导体装置和半导体工艺。
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公开(公告)号：CN105103660B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201380074722.5
申请日：2013-11-21
Applicant: MKS仪器有限公司
CPC classification number: B23K20/10 , B23K20/004 , B23K2101/42 , H01J37/32082 , H01J37/32165 , H01J37/32183
Abstract: 一种射频(RF)功率传递系统包括第一RF发生器和第二RF发生器。该第一RF发生器作为主RF发生器操作，并且第二RF发生器作为从RF发生器操作。该从RF发生器包括用于感测该从RF发生器的RF信号的电气性质的检测器。该从RF发生器还包括用于感测来自该主RF发生器的RF信号的电气性质的检测器。该从RF发生器的操作受主管器或控制器控制。该主管器或控制器根据由第二检测器确定的电气性质，操作该从RF发生器。
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