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公开(公告)号：CN106066574A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201510549468.0
申请日：2015-08-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明涉及图案形成方法。根据一个实施例，首先，在处理对象膜上形成由第一辐射敏感性组合物制成的第一抗蚀剂膜。然后，对第一抗蚀剂膜执行曝光和显影以形成第一抗蚀剂图案。之后，执行不溶解处理以使第一抗蚀剂图案不溶于第二辐射敏感性组合物的溶剂。接着，在第一抗蚀剂图案上形成由第二辐射敏感性组合物制成的第二抗蚀剂膜。接着，对第二抗蚀剂膜执行曝光和显影以形成第二抗蚀剂图案。第一辐射敏感性组合物和第二辐射敏感性组合物中的至少一者由对等离子体蚀刻时存在的氧具有耐受性的高分子化合物制成。
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公开(公告)号：CN1924702A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610142247.2
申请日：2004-11-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及图形形成方法和半导体器件的制造方法。本发明的目的在于实现用来形成今后所需要的微细的抗蚀剂图形的图形形成方法。本图形形成方法，具有：在衬底上形成第1抗蚀剂图形的工序(步骤S2)；向第1抗蚀剂图形上照射光的工序(步骤S3)；在第1抗蚀剂图形与抗蚀剂膜之间的界面上形成交联层，形成包括该交联层和第1抗蚀剂图形的第2抗蚀剂图形的工序(步骤S4)，在步骤S3中，根据在步骤S11－S13中预先求得的收缩量和照射量之间的对应关系，将要向第1抗蚀剂图形上照射的光的量设定为使得第2抗蚀剂图形的尺寸变成为规定的尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1162754C
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN01111868.7
申请日：2001-03-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F7/039 , G03F7/0045 , G03F7/38 , Y10S430/143
Abstract: 提供图形形成材料和形成方法以及曝光用掩模的制造方法。本发明的图形形成材料含有：碱性可溶性树脂、酸产生剂、溶剂、以及溶解抑制基，作为该溶解抑制基，包含一定比例的通过用电子束照射后在真空中放置，使所述图形形成材料高灵敏度化的第1溶解抑制基、和同样地使所述图形形成材料低灵敏度化的第2溶解抑制基，该比例使得通过在所述图形形成材料中照射电子束，使其可溶于所述碱性溶液的碱性可溶部分的大小与在真空中的放置时间无关，基本上一定。
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公开(公告)号：CN1619770A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410091568.5
申请日：2004-11-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , G03F7/00
Abstract: 本发明涉及图形形成方法和半导体器件的制造方法。本发明的目的在于实现用来形成今后所需要的微细的抗蚀剂图形的图形形成方法。本图形形成方法，具有：在衬底上形成第1抗蚀剂图形的工序(步骤S2)；向第1抗蚀剂图形上照射光的工序(步骤S3)；在第1抗蚀剂图形与抗蚀剂膜之间的界面上形成交联层，形成包括该交联层和第1抗蚀剂图形的第2抗蚀剂图形的工序(步骤S4)，在步骤S3中，根据在步骤S11－S113中预先求得的收缩量和照射量之间的对应关系，将要向第1抗蚀剂图形上照射的光的量设定为使得第2抗蚀剂图形的尺寸变成为规定的尺寸。
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公开(公告)号：CN1892422A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610094228.7
申请日：2006-06-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/00 , H01L21/00 , G02F1/1333
CPC classification number: G01N15/14 , G01N2015/1493
Abstract: 本发明提供一种药液认定方法。该药液的认定方法包括以下步骤：(a)按照颗粒的每种尺寸，求出药液中的颗粒数量；(b)按照上述颗粒的每种尺寸，预测上述药液对使用该药液制造的被制造器件产生的影响；和(c)使用上述(a)的结果和上述(b)的结果，求出上述药液对上述被制造器件产生的影响度，根据该求出的结果评价上述药液的品质，根据该评价结果判断上述药液是否合格，根据该判断结果，把上述药液认定为在上述被制造器件的制造工序中使用的药液。
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公开(公告)号：CN1340742A
公开(公告)日：2002-03-20
申请号：CN01111868.7
申请日：2001-03-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F7/039 , G03F7/0045 , G03F7/38 , Y10S430/143
Abstract: 提供图形形成材料和形成方法以及曝光用掩模的制造方法。本发明的图形形成材料含有碱性可溶性树脂、酸产生剂以及溶解抑止基,作为该溶解抑止基,包含一定比例的通过用电子束照射后在真空中放置,使所述图形形成材料高灵敏度化的第1溶解抑止基、和同样地使所述图形形成材料低灵敏度化的第2溶解抑制基,该比例使得通过在所述图形形成材料中照射电子束,使其可溶于所述碱性溶液的碱性可溶部分的大小与在真空中的放置时间无关,基本上一定。
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公开(公告)号：CN1311522C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200410091568.5
申请日：2004-11-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , G03F7/00
Abstract: 本发明涉及图形形成方法和半导体器件的制造方法。本发明的目的在于实现用来形成今后所需要的微细的抗蚀剂图形的图形形成方法。本图形形成方法，具有：在衬底上形成第1抗蚀剂图形的工序(步骤S2)；向第1抗蚀剂图形上照射光的工序(步骤S3)；在第1抗蚀剂图形与抗蚀剂膜之间的界面上形成交联层，形成包括该交联层和第1抗蚀剂图形的第2抗蚀剂图形的工序(步骤S4)，在步骤S3中，根据在步骤S11-S13中预先求得的收缩量和照射量之间的对应关系，将要向第1抗蚀剂图形上照射的光的量设定为使得第2抗蚀剂图形的尺寸变成为规定的尺寸。
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