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公开(公告)号：CN101901870B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201010200813.7
申请日：2005-12-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0512 , H01L21/28273 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0078 , H01L51/0081
Abstract: 非挥发性存储器元件的问题在于外加电压高。这是因为载流子需要通过绝缘膜借助隧道效应注入到浮动栅内。另外，存在因进行这种载流子注入劣化绝缘膜的担心。本发明的目的是提供其中外加电压降低并防止绝缘膜劣化的存储器。一个特征是使用其中混合具有电荷传输复合体的无机化合物与有机化合物的层作为充当存储器的浮动栅的材料。具体实例是具有晶体管结构的元件，在所述晶体管结构内，混合具有电荷传输复合体的无机化合物与有机化合物且夹在绝缘层之间的层用作浮动栅。
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公开(公告)号：CN1851953A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610077761.2
申请日：2006-04-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/105 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/5203 , H01L51/5296
Abstract: 本发明的目的是提供具有低驱动电压的有机晶体管。本发明的另一个目的是提供能够简单地和容易地制造的有机晶体管，其中能够获得光发射功能。根据有机发光晶体管，含有具有空穴－传输性能的有机化合物和金属氧化物的复合层用作在源极和漏极之中可以注入空穴的电极的一部分，以及含有具有电子－传输性能的有机化合物和碱金属或碱土金属的复合层用作可以注入电子的电极的一部分，其中任一复合层具有与有机半导体层接触的一种结构。
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公开(公告)号：CN102822978B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201180013664.6
申请日：2011-02-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/768 , H01L21/8242 , H01L21/8247 , H01L27/10 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792 , G11C11/401 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/124
Abstract: 一种半导体装置，包括：埋入在绝缘层中的布线；绝缘层上的氧化物半导体层；与氧化物半导体层电连接的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠地设置的栅电极；以及设置在氧化物半导体层和栅电极之间的栅极绝缘层。将绝缘层形成为使布线的顶面的一部分露出，布线的顶面的一部分的位置高于绝缘层的表面的一部分的位置，且该布线在从绝缘层露出的区域中，与源电极或漏电极电连接。作为绝缘层表面的一部分并与氧化物半导体层接触的区域的均方根粗糙度为1nm以下。
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公开(公告)号：CN101916826B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201010251935.9
申请日：2004-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L51/0024 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0041 , H01L51/0051 , H01L51/0053 , H01L51/0093 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的一个目的在于提供用于制造便宜有机TFT的一种方法，而不依赖昂贵专用设备，也不使有机半导体暴露于大气中。此外，本发明另一目的在于提供一种在低温下制造有机TFT的方法，而不引起材料热分解的问题。鉴于上述问题，本发明的一个特征在于在有机半导体薄膜形成一层起保护膜作用的薄膜状保护层。该薄膜状保护层可通过用粘接剂等将其固定在薄膜状支撑体上的方法形成。
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公开(公告)号：CN1797807B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200410061523.3
申请日：2004-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/05 , H01L51/10 , H01L51/40 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L51/0024 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0041 , H01L51/0051 , H01L51/0053 , H01L51/0093 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的一个目的在于提供用于制造便宜有机TFT的一种方法，而不依赖昂贵专用设备，也不使有机半导体暴露于大气中。此外，本发明另一目的在于提供一种在低温下制造有机TFT的方法，而不引起材料热分解的问题。鉴于上述问题，本发明的一个特征在于在有机半导体薄膜形成一层起保护膜作用的薄膜状保护层。该薄膜状保护层可通过用粘接剂等将其固定在薄膜状支撑体上的方法形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1851953B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610077761.2
申请日：2006-04-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/105 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/5203 , H01L51/5296
Abstract: 本发明的目的是提供具有低驱动电压的有机晶体管。本发明的再另一个目的是提供能够简单地和容易地制造的有机晶体管，其中能够获得光发射功能。根据有机发光晶体管，含有具有空穴-传输性能的有机化合物和金属氧化物的复合层用作在源极和漏极之中可以注入空穴的电极的一部分，以及含有具有电子-传输性能的有机化合物和碱金属或碱土金属的复合层用作可以注入电子的电极的一部分，其中任一复合层具有与有机半导体层接触的一种结构。
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公开(公告)号：CN101901870A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010200813.7
申请日：2005-12-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0512 , H01L21/28273 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0078 , H01L51/0081
Abstract: 非挥发性存储器元件的问题在于外加电压高。这是因为载流子需要通过绝缘膜借助隧道效应注入到浮动栅内。另外，存在因进行这种载流子注入劣化绝缘膜的担心。本发明的目的是提供其中外加电压降低并防止绝缘膜劣化的存储器。一个特征是使用其中混合具有电荷传输复合体的无机化合物与有机化合物的层作为充当存储器的浮动栅的材料。具体实例是具有晶体管结构的元件，在所述晶体管结构内，混合具有电荷传输复合体的无机化合物与有机化合物且夹在绝缘层之间的层用作浮动栅。
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公开(公告)号：CN1855570B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200610068053.2
申请日：2006-03-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0545 , B82Y10/00 , H01L27/283 , H01L27/3244 , H01L51/0046 , H01L51/0059 , H01L51/0068 , H01L51/0078 , H01L51/0562
Abstract: 本发明的目的是在保持传导载流子的沟道的有机半导体和栅极绝缘体层的界面的平坦性并且不降低成品率的情况下，形成具有结晶性高的有机半导体的有机晶体管。本发明的特征是将有机半导体层形成为叠层结构，至少上层的有机半导体层具有多晶状态或单晶状态，下层的有机半导体层由起到沟道作用的材料来构成。通过提供结晶性高的上层的有机半导体层，可以提高载流子迁移率，并且通过提供下层的有机半导体层，可以补充起因于该上层的有机半导体层的不充分的接触。
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公开(公告)号：CN101080815A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200580042901.6
申请日：2005-12-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L27/28 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0512 , H01L21/28273 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0078 , H01L51/0081
Abstract: 非挥发性存储器元件的问题在于外加电压高。这是因为载流子需要通过绝缘膜借助隧道效应注入到浮动栅内。另外，存在因进行这种载流子注入劣化绝缘膜的担心。本发明的目的是提供其中外加电压降低并防止绝缘膜劣化的存储器。一个特征是使用其中混合具有电荷传输复合体的无机化合物与有机化合物的层作为充当存储器的浮动栅的材料。具体实例是具有晶体管结构的元件，在所述晶体管结构内，混合具有电荷传输复合体的无机化合物与有机化合物且夹在绝缘层之间的层用作浮动栅。
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公开(公告)号：CN1855573A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610084049.5
申请日：2006-04-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0512 , H01L21/02175 , H01L21/02244 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H01L21/31683 , H01L51/0002 , H01L51/0055 , H01L51/0525 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0566
Abstract: 目的在于形成稠密且具有强绝缘电阻特性的高质量栅绝缘膜，并提出一种其中几乎没有隧道漏电流的高可靠性有机晶体管。本发明的有机晶体管的一个模式具有以下步骤：通过使用稠密等离子体用等离子激活来激活氧(或含氧的气体)或氮(或含氮的气体)等形成将变为栅极的导电层而形成栅绝缘膜，以及直接与将被绝缘的变为栅极的导电层的一部分反应，等离子体中的电子密度是1011cm－3或更大，且电子温度在0.2eV至2.0eV的范围内。
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