公开(公告)号：CN1890779A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200480035901.9

申请日：2004-12-03

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 长坂博之 ,  高岩宏明 ,  蛭川茂 ,  星加隆一 ,  石泽均

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

Abstract: 曝光装置(EX)是经投影光学系统(PL)和液体(1)将曝光光(EL)照射到基片(P)上以对基片(P)进行曝光的装置。该曝光装置(EX)具有用于保持该基片(P)的基片台(PT)。将具有疏液性的平坦面(30A)的板构件(30)以可更换的方式安装到上述基片台(PT)上，以防止液体残留，维持良好的曝光精度。

公开(公告)号：CN101099224A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200680001682.1

申请日：2006-04-21

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 白石健一 ,  星加隆一 ,  藤原朋春

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明提供曝光方法和曝光装置、以及器件制造方法。其中，浸液装置(132)具有混入机构，该混入机构在向配置于投影光学系统(PL)的光射出侧的物体(部件)表面的疏液膜上供应的液体中，混入并溶解对该液体的电阻率进行调整的规定物质；并且，将溶解有该规定物质的液体(Lq)供应到疏液膜上来形成浸液区域。

公开(公告)号：CN100541719C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200680001682.1

申请日：2006-04-21

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 白石健一 ,  星加隆一 ,  藤原朋春

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明提供曝光方法和曝光装置、以及器件制造方法。其中，浸液装置(132)具有混入机构，该混入机构在向配置于投影光学系统(PL)的光射出侧的物体(部件)表面的疏液膜上供应的液体中，混入并溶解对该液体的电阻率进行调整的规定物质；并且，将溶解有该规定物质的液体(Lq)供应到疏液膜上来形成浸液区域。

公开(公告)号：CN102163005B

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201110089902.3

申请日：2004-12-03

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 星加隆一 ,  石泽均

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种投影曝光装置、器件制造方法以及光学部件。曝光装置(EX)是经投影光学系统(PL)和液体(1)将曝光光(EL)照射到基片(P)上以对基片(P)进行曝光的装置。该曝光装置(EX)具有用于保持该基片(P)的基片台(PT)。将具有疏液性的平坦面(30A)的板构件(30)以可更换的方式安装到上述基片台(PT)上，以防止液体残留，维持良好的曝光精度。

公开(公告)号：CN102163005A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110089902.3

申请日：2004-12-03

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 星加隆一 ,  石泽均

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种投影曝光装置、器件制造方法以及光学部件。曝光装置(EX)是经投影光学系统(PL)和液体(1)将曝光光(EL)照射到基片(P)上以对基片(P)进行曝光的装置。该曝光装置(EX)具有用于保持该基片(P)的基片台(PT)。将具有疏液性的平坦面(30A)的板构件(30)以可更换的方式安装到上述基片台(PT)上，以防止液体残留，维持良好的曝光精度。

公开(公告)号：CN1890779B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200480035901.9

申请日：2004-12-03

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 长坂博之 ,  高岩宏明 ,  蛭川茂 ,  星加隆一 ,  石泽均

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 曝光装置(EX)是经投影光学系统(PL)和液体(1)将曝光光(EL)照射到基片(P)上以对基片(P)进行曝光的装置。该曝光装置(EX)具有用于保持该基片(P)的基片台(PT)。将具有疏液性的平坦面(30A)的板构件(30)以可更换的方式安装到上述基片台(PT)上，以防止液体残留，维持良好的曝光精度。