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发明公开
硅微粒及其制造方法无效

公开(公告)号：CN112105583A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN201980031382.5

申请日：2019-05-15

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 望月直人 , 石田晴之 , 有行正男 , 福原浩二

IPC: C01B33/03 , H01M4/38

Abstract: 提供：可有效地防止氧化、具有接近非晶的微晶直径的硅微粒。本发明的硅微粒的特征在于，一次颗粒的平均直径为30～900nm，微晶直径低于10nm，氯浓度处于1～1量0％质)量与比％表，氧面浓积(度S：(mC2/og：)之质比(Co/S)低于0.05。另外，本发明的硅微粒的制造方法如下：在反应器内，将包含三氯硅烷的气体加热至600～950℃的温度，使三氯硅烷热分解而生成含氯的硅微粒前体，然后捕集前述硅微粒前体，接着，将捕集到的前述硅微粒前体在非活性气体的供给下或在减压下以750～900℃的温度加热来进行脱氯。

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