公开(公告)号：CN105938791B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201610126029.3

申请日：2016-03-07

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 小林健司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 基板处理方法包括：基板保持工序，水平地保持基板；液膜形成工序，向所述基板的上表面供给处理液，形成覆盖该基板的上表面的处理液液膜；第1气体喷出工序，在所述液膜形成工序后，从第1喷出口喷出第1气体，使所述第1气体从与该上表面交叉的方向向所述处理液液膜吹送，以形成从所述处理液液膜除去液膜的液膜除去区域，所述第1气体含有表面张力小于所述处理液的表面张力的低表面张力液体的蒸气；第2气体喷出工序，从与所述第1喷出口不同的环状的第2喷出口朝向横向且呈放射状地喷出第2气体，该第2气体含有表面张力比所述处理液的表面张力小的低表面张力液体的蒸气；以及液膜除去区域扩大工序，使所述液膜除去区域扩大。

公开(公告)号：CN109037111A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810886178.9

申请日：2016-02-19

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 泽岛隼 ,  波多野章人 ,  小林健司 ,  西村优大 ,  岛井基行 ,  林豊秀

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置包括将基板保持为水平并使基板围绕通过基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转的基板保持单元和向由所述基板保持单元保持的基板供给处理液的处理液供给系统。供给流路分支成多个上游流路。多个喷出口分别配置在距旋转轴线的距离不同的多个位置。返回流路与上游流路连接。下游加热器对在上游流路内流动的液体进行加热。下游切换单元能够将从供给流路供给到多个上游流路的液体有选择地供给到多个喷出口以及返回流路中的一方。

公开(公告)号：CN105895560A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610090981.2

申请日：2016-02-18

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 小林健司 ,  泽岛隼 ,  西村优大 ,  波多野章人 ,  岛井基行 ,  林豊秀

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6715

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置包括将基板保持为水平并使基板围绕通过基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转的基板保持单元和向由所述基板保持单元保持的基板供给处理液的处理液供给系统。供给流路分支成多个上游流路。多个上游流路包括分支成多个下游流路的分支上游流路。多个喷出口分别配置在距旋转轴线的距离不同的多个位置，将经由多个上游流路供给的处理液向由基板保持单元保持的基板的上表面喷出。

公开(公告)号：CN105895561B

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201610091276.4

申请日：2016-02-18

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 小林健司 ,  泽岛隼 ,  西村优大 ,  中岛章宏 ,  岛井基行 ,  波多野章人

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，包括：基板保持单元，一边将基板保持为水平一边使基板围绕通过基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转；处理液供给系统，将包括通过混合来发热的第一液体以及第二液体的处理液向由所述基板保持单元保持的基板供给。供给流路分支成多个上游流路。多个喷出口分别配置在距旋转轴线的距离不同的多个位置。作为药液(SPM)的成分的之一的过氧化氢从成分液流路向上游流路供给。包括多个第一流量调整阀以及多个第二流量调整阀的混合比变更单元针对各上游流路分别独立变更从多个喷出口喷出的药液所包含的硫酸以及过氧化氢的混合比。

公开(公告)号：CN105914167B

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201610092133.5

申请日：2016-02-19

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 泽岛隼 ,  波多野章人 ,  小林健司 ,  西村优大 ,  岛井基行 ,  林豊秀

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置包括将基板保持为水平并使基板围绕通过基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转的基板保持单元和向由所述基板保持单元保持的基板供给处理液的处理液供给系统。供给流路分支成多个上游流路。多个喷出口分别配置在距旋转轴线的距离不同的多个位置。返回流路与上游流路连接。下游加热器对在上游流路内流动的液体进行加热。下游切换单元能够将从供给流路供给到多个上游流路的液体有选择地供给到多个喷出口以及返回流路中的一方。

公开(公告)号：CN109037111B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201810886178.9

申请日：2016-02-19

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 泽岛隼 ,  波多野章人 ,  小林健司 ,  西村优大 ,  岛井基行 ,  林豊秀

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置包括将基板保持为水平并使基板围绕通过基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转的基板保持单元和向由所述基板保持单元保持的基板供给处理液的处理液供给系统。供给流路分支成多个上游流路。多个喷出口分别配置在距旋转轴线的距离不同的多个位置。返回流路与上游流路连接。下游加热器对在上游流路内流动的液体进行加热。下游切换单元能够将从供给流路供给到多个上游流路的液体有选择地供给到多个喷出口以及返回流路中的一方。

公开(公告)号：CN105826219B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201610045888.X

申请日：2016-01-22

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 奥谷学 ,  小林健司 ,  吉原直彦

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够良好地排除基板上的液膜的基板处理方法、基板处理装置和流体喷嘴，该基板处理方法包括：基板保持工序，由基板保持单元将基板保持为水平姿势；液膜形成工序，向由所述基板保持单元保持的所述基板的上表面供给处理液来形成液膜；上表面覆盖工序，在由所述基板保持单元保持的基板的上方，从所述基板的中心向周缘并与所述基板的上表面平行且呈放射状地喷出非活性气体，由此形成与所述基板的上表面平行地流动并覆盖所述基板的上表面的非活性气体流；液膜排除工序，通过向所述基板的上表面喷出非活性气体，从所述基板的上表面排除通过所述液膜形成工序形成的所述液膜。

公开(公告)号：CN105895560B

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201610090981.2

申请日：2016-02-18

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 小林健司 ,  泽岛隼 ,  西村优大 ,  波多野章人 ,  岛井基行 ,  林豊秀

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置包括将基板保持为水平并使基板围绕通过基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转的基板保持单元和向由所述基板保持单元保持的基板供给处理液的处理液供给系统。供给流路分支成多个上游流路。多个上游流路包括分支成多个下游流路的分支上游流路。多个喷出口分别配置在距旋转轴线的距离不同的多个位置，将经由多个上游流路供给的处理液向由基板保持单元保持的基板的上表面喷出。

公开(公告)号：CN105938791A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201610126029.3

申请日：2016-03-07

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 小林健司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/67023 ,  H01L2221/67

Abstract: 基板处理方法包括：基板保持工序，水平地保持基板；液膜形成工序，向所述基板的上表面供给处理液，形成覆盖该基板的上表面的处理液液膜；第1气体喷出工序，在所述液膜形成工序后，从第1喷出口喷出第1气体，使所述第1气体从与该上表面交叉的方向向所述处理液液膜吹送，以形成从所述处理液液膜除去液膜的液膜除去区域，所述第1气体含有表面张力小于所述处理液的表面张力的低表面张力液体的蒸气；第2气体喷出工序，从与所述第1喷出口不同的环状的第2喷出口朝向横向且呈放射状地喷出第2气体，该第2气体含有表面张力比所述处理液的表面张力小的低表面张力液体的蒸气；以及液膜除去区域扩大工序，使所述液膜除去区域扩大。

公开(公告)号：CN105826219A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610045888.X

申请日：2016-01-22

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 奥谷学 ,  小林健司 ,  吉原直彦

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/67028

Abstract: 本发明提供一种能够良好地排除基板上的液膜的基板处理方法、基板处理装置和流体喷嘴，该基板处理方法包括：基板保持工序，由基板保持单元将基板保持为水平姿势；液膜形成工序，向由所述基板保持单元保持的所述基板的上表面供给处理液来形成液膜；上表面覆盖工序，在由所述基板保持单元保持的基板的上方，从所述基板的中心向周缘并与所述基板的上表面平行且呈放射状地喷出非活性气体，由此形成与所述基板的上表面平行地流动并覆盖所述基板的上表面的非活性气体流；液膜排除工序，通过向所述基板的上表面喷出非活性气体，从所述基板的上表面排除通过所述液膜形成工序形成的所述液膜。