公开(公告)号：CN1060875C

公开(公告)日：2001-01-17

申请号：CN95103777.3

申请日：1995-04-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 谷山彰 ,  森尻诚 ,  田中温子 ,  由比藤勇 ,  芦田荣次 ,  田边英男 ,  小柳广明 ,  小林哲夫

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3906 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3932

Abstract: 一种用于磁记录设备如磁盘设备的磁电阻效应型薄膜磁头，包括在下绝缘膜上形成的磁畴控制膜，在磁畴控制膜上形成的磁电阻效应膜，在变薄的下部绝缘膜的上表面区域和磁畴控制膜的上表面区域上形成的绝缘层，在绝缘膜上形成的电极膜。绝缘层连续敷设在下绝缘膜的上表面区域上和磁畴控制膜的上表面区域的一部分上。能防止电极膜和下屏蔽膜之间的介电强度降低，从而能从磁头得到足够大的输出。

公开(公告)号：CN1146588A

公开(公告)日：1997-04-02

申请号：CN96108377.8

申请日：1996-06-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 加藤笃 ,  森尻诚 ,  矶野千博 ,  高仓昭雄 ,  小柳広明

IPC: G11B5/39

Abstract: 磁阻效应型磁头的制造方法，在晶片上将磁阻效应元件和与其MR高度不同的其它磁阻效应元件配置成1列朝向同一方向形成元件列，切断该元件列形成滑条，通过将其研磨而研磨磁阻效应元件的露出面，形成所希望高度的MR高度，此时，测定该磁阻效应元件的电阻值及该其它磁阻效应元件的电阻值，根据由这些电阻值确定的上述MR高度为MR传感器高度的磁阻效应元件的电阻值，研磨上述滑条上的上述磁阻效应元件的露出面，将其MR高度作为MR传感器高度。

公开(公告)号：CN1115460A

公开(公告)日：1996-01-24

申请号：CN95103777.3

申请日：1995-04-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 谷山彰 ,  森尻诚 ,  田中温子 ,  由比藤勇 ,  芦田荣次 ,  田边英男 ,  小柳广明 ,  小林哲夫

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3906 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3932

Abstract: 通过制作图形，在下绝缘膜上形成磁畴控制膜，在磁畴控制膜上形成磁阻效应膜，用剥离法在磁阻效应膜上形成耐蚀剂图形，用离子铣加工法只将磁阻效应膜上与磁道相对应的部分留下，形成磁阻效应元件，在耐蚀剂图形上、以及在由于离子刻蚀而变薄的下部绝缘膜的上表面区域和磁畴控制膜的上表面区域上形成绝缘层，在绝缘膜上形成电极膜，然后将耐蚀剂图形除去。绝缘层连续敷设在下绝缘膜的上表面区域上和磁畴控制膜的上表面区域的一部分上。