公开(公告)号：CN103635283A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201280031314.7

申请日：2012-05-18

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 张旭东 ,  芦田荣次 ,  多罗泽湘 ,  曾我幸弘

IPC: B23K28/02 ,  B23K33/00

CPC classification number: B23K28/02 ,  B23K26/242 ,  B23K26/348 ,  B23K33/004

Abstract: 为了实现通过避免能量的消耗量的增加和焊接效率的降低，在T型接头的凸缘和肋的接合面获得深的熔入，并且获得熔入形状稳定的焊接接头的T型接头的激光焊接和电弧焊接的复合焊接方法，在对将作为另一方的被焊接件的肋（2）在作为一方的被焊接件的凸缘（1）的面上以正交的方式抵接而形成的T型接头进行焊接的激光焊接和电弧焊接的复合焊接方法中，在成为构成T型接头的肋（2）和凸缘（1）的抵接部的该肋的侧面形成坡口部（A），在形成于肋的与凸缘的抵接部的坡口部（A）的底部形成平坦部（4），对形成有该平坦部（4）的上述坡口部（A）实施并用了照射激光的激光焊接和电弧焊接双方的复合焊接，在上述坡口部（A）形成焊接金属的焊瘤（71）、（72），焊接构成T型接头的上述凸缘和肋。

公开(公告)号：CN1060875C

公开(公告)日：2001-01-17

申请号：CN95103777.3

申请日：1995-04-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 谷山彰 ,  森尻诚 ,  田中温子 ,  由比藤勇 ,  芦田荣次 ,  田边英男 ,  小柳广明 ,  小林哲夫

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3906 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3932

Abstract: 一种用于磁记录设备如磁盘设备的磁电阻效应型薄膜磁头，包括在下绝缘膜上形成的磁畴控制膜，在磁畴控制膜上形成的磁电阻效应膜，在变薄的下部绝缘膜的上表面区域和磁畴控制膜的上表面区域上形成的绝缘层，在绝缘膜上形成的电极膜。绝缘层连续敷设在下绝缘膜的上表面区域上和磁畴控制膜的上表面区域的一部分上。能防止电极膜和下屏蔽膜之间的介电强度降低，从而能从磁头得到足够大的输出。

公开(公告)号：CN1115460A

公开(公告)日：1996-01-24

申请号：CN95103777.3

申请日：1995-04-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 谷山彰 ,  森尻诚 ,  田中温子 ,  由比藤勇 ,  芦田荣次 ,  田边英男 ,  小柳广明 ,  小林哲夫

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3906 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3932

Abstract: 通过制作图形，在下绝缘膜上形成磁畴控制膜，在磁畴控制膜上形成磁阻效应膜，用剥离法在磁阻效应膜上形成耐蚀剂图形，用离子铣加工法只将磁阻效应膜上与磁道相对应的部分留下，形成磁阻效应元件，在耐蚀剂图形上、以及在由于离子刻蚀而变薄的下部绝缘膜的上表面区域和磁畴控制膜的上表面区域上形成绝缘层，在绝缘膜上形成电极膜，然后将耐蚀剂图形除去。绝缘层连续敷设在下绝缘膜的上表面区域上和磁畴控制膜的上表面区域的一部分上。