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公开(公告)号：CN1248197C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200310100337.1
申请日：2003-10-14
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3916
Abstract: 本发明提供了相对于环境温度上升来说热突出较小的薄膜磁头。其中，下部屏蔽层或上部屏蔽层中的至少一方使用热膨胀系数在11.5×10-6/K以下的低热膨胀系数的磁性材料。另外，下部屏蔽层或上部屏蔽层中的至少一方使用具有11.5×10-6/K以下的低热膨胀系数的磁性材料与80%(重量)NiFe合金的叠层膜。这样，可以得到记录后噪声小、热突出降低的薄膜磁头。
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公开(公告)号：CN85101390B
公开(公告)日：1988-02-17
申请号：CN85101390
申请日：1985-04-01
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/74
Abstract: 电流控制半导体器件中，半导体基片一个主表面的基区有许多发射极条状区，第一电流电极与条状区欧姆接触，第二电流电极与基片另一主表面欧姆接触，第一控制电极与条状区一端基区欧姆接触连到控制端，第二控制电极与条状区另一端基区欧姆接触，仅通过基区电阻电连接第一控制电极，基片上有加速偏压装置，切断电流时，把低于条状区电导区加速偏置到另一端。加速偏压可为条状区末端电流旁路区，补偿第一和第二电流电极的结构等等。
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公开(公告)号：CN1549245A
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN200310100337.1
申请日：2003-10-14
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3916
Abstract: 本发明提供了相对于环境温度上升来说热突出较小的薄膜磁头。其中，下部屏蔽层或上部屏蔽层中的至少一方使用热膨胀系数在11.5×10－6/K以下的低热膨胀系数的磁性材料。另外，下部屏蔽层或上部屏蔽层中的至少一方使用具有11.5×10－6/K以下的低热膨胀系数的磁性材料与80％(重量)NiFe合金的叠层膜。这样，可以得到记录后噪声小、热突出降低的薄膜磁头。
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公开(公告)号：CN1482599A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN03149441.2
申请日：2003-06-20
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3116 , G11B5/313 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 在记录重放分离型磁头中，除了使磁阻效应元件的自由层的磁化方向一致沿规定方向的第一磁畴控制层，还具有产生其反方向磁场的第二磁畴控制层。利用该差动型偏磁结构，避免磁阻效应元件在道宽方向端部的固定磁场减少，同时减少因窄的道宽而过强的中心部分的纵向偏磁磁场。第一及第二磁畴控制层由硬磁性材料及软磁性材料的组合而构成。通过这样能够得到具有可实现窄道宽、高灵敏度及低噪声的磁阻传感器的记录重放分离型磁头。
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公开(公告)号：CN85101390A
公开(公告)日：1987-01-10
申请号：CN85101390
申请日：1985-04-01
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/74
Abstract: 电流控制半导体器件中，半导体基片一个主表面的基区有许多发射极条状区，第一电流电极与条状区欧姆接触，第二电流电极与基片另一主表面欧姆接触，第一控制电极与条状区一端基区欧姆接触连到控制端，第二控制电极与条状区另一端基区欧姆接触，仅通过基区电阻电连接第一控制电极。基片上有加速偏压装置，切断电流时，把低于条状区电导区加速偏置到另一端，加速偏压可为条状区末端电流旁路区，补偿第一和第二电流电极的结构等等。
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