公开(公告)号：CN85101390B

公开(公告)日：1988-02-17

申请号：CN85101390

申请日：1985-04-01

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 八尾勉 ,  长野隆洋 ,  及川三郎 ,  佐藤行正 ,  木村新 ,  福井宏

IPC: H01L29/74

Abstract: 电流控制半导体器件中，半导体基片一个主表面的基区有许多发射极条状区，第一电流电极与条状区欧姆接触，第二电流电极与基片另一主表面欧姆接触，第一控制电极与条状区一端基区欧姆接触连到控制端，第二控制电极与条状区另一端基区欧姆接触，仅通过基区电阻电连接第一控制电极，基片上有加速偏压装置，切断电流时，把低于条状区电导区加速偏置到另一端。加速偏压可为条状区末端电流旁路区，补偿第一和第二电流电极的结构等等。

公开(公告)号：CN85101390A

公开(公告)日：1987-01-10

申请号：CN85101390

申请日：1985-04-01

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 八尾勉 ,  长野隆洋 ,  及川三郎 ,  佐藤行正 ,  木村新 ,  福井宏

IPC: H01L29/74

Abstract: 电流控制半导体器件中，半导体基片一个主表面的基区有许多发射极条状区，第一电流电极与条状区欧姆接触，第二电流电极与基片另一主表面欧姆接触，第一控制电极与条状区一端基区欧姆接触连到控制端，第二控制电极与条状区另一端基区欧姆接触，仅通过基区电阻电连接第一控制电极。基片上有加速偏压装置，切断电流时，把低于条状区电导区加速偏置到另一端，加速偏压可为条状区末端电流旁路区，补偿第一和第二电流电极的结构等等。