陶瓷电子部件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105304322B

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201510445689.3

    申请日:2015-07-27

    Abstract: 本发明提供陶瓷电子部件,能廉价地形成有良好的耐化学浸蚀性的涂层膜,且难以发生元件直立现象等的安装不良。变阻器(lO)具备:陶瓷元件(l)、和设置在陶瓷元件(l)的表面的涂层膜(8)以及外部电极(6a、6b)。涂层膜(8)包含从陶瓷元件(l)离子化而析出的陶瓷元件(l)的构成元素当中的阳离子性的元素、和树脂。涂层膜(8)的表面比形成在陶瓷元件(l)的侧面的外部电极(6a、6b)的包裹部分(12a、12b)的表面后退。将涂层膜(8)设置在通过蚀刻而形成在陶瓷元件(l)的表面的凹部(14)。

    变形检测传感器和电子设备
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119173731A

    公开(公告)日:2024-12-20

    申请号:CN202380039994.5

    申请日:2023-04-14

    Abstract: 变形检测传感器具备:挠性基材,其具有基材上主面和弯曲区间;第1传感器,其输出与弯曲区间的变形相应的第1检测信号,并且设于基材上主面,并且具有第1上主面和第1下主面;第1变形阻碍构件;以及第2变形阻碍构件。第1传感器包括第1压电薄膜。第1变形阻碍构件具有在上下方向上观察时与第1压电薄膜重叠的第1区域。第2变形阻碍构件具有在上下方向上观察时与第1压电薄膜重叠的第2区域。第1区域和第2区域具有在挠性基材不弯曲的状态下在上下方向上观察时不相互接触的部分。

    变形探测传感器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118871757A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202380027022.4

    申请日:2023-02-28

    Inventor: 奥富让仁

    Abstract: 本发明所涉及的变形探测传感器具备:能够弯曲的挠性基材,其具有在上下方向上排列的基材上主面和基材下主面;第一传感器,其设置于基材上主面,包括第一压电薄膜;以及第二传感器,其设置于基材下主面,包括第二压电薄膜,其中,第二压电薄膜的上下方向的厚度大于第一压电薄膜的上下方向的厚度,第一传感器和第二传感器因挠性基材以向上方或下方突出的方式弯曲而弯曲。

    传感器
    5.
    发明公开
    传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN118679362A

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202380021158.4

    申请日:2023-02-08

    Abstract: 本发明所涉及的传感器具备:压电膜,具有沿上下方向排列的上主面及下主面;第一电极,设置于压电膜的上主面;第二电极,设置于压电膜的下主面;以及第一固化树脂层,设置于第二电极之下,沿上下方向观察,覆盖第二电极的至少一部分。

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