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公开(公告)号：CN110832370B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201780092535.8
申请日：2017-10-23
Applicant: 株式会社藤仓
Abstract: 光器件的制造方法具有：第一工序，改变与多芯光纤的纤芯连接的输入/输出器件的单芯光纤的组合，并且求出每个纤芯的光损失；和第二工序，根据第一工序的结果，选择一个与多芯光纤的纤芯连接的所述输入/输出器件的单芯光纤的组合，并以使所选择的组合的单芯光纤与多芯光纤的纤芯连接的方式，将多芯光纤的端部与输入/输出器件的端部连接。
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公开(公告)号：CN101584056A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200880002316.7
申请日：2008-01-17
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G01R33/12 , G01R33/1269 , Y10T428/21 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种磁传感器元件，该磁传感器元件，具有：形成于非磁性基板(1)上的硬磁性体膜(2)、覆盖在硬磁性体膜(2)之上的绝缘层(3)、形成于绝缘层(3)上的软磁性体膜(4)，且硬磁性体膜(2)的磁化方向，相对于软磁性体膜(4)的长边方向具有角度θ。优选在从上方观察非磁性基板(1)的俯视图中，形成了上述硬磁性体膜(2)的区域，位于比形成了上述软磁性体膜(4)的区域更宽的范围，并且形成了上述软磁性体膜(4)的区域与形成了上述硬磁性体膜(2)的区域全部重叠。根据本发明，能够提供获得均匀的偏置磁场的磁传感器元件。
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公开(公告)号：CN108474902B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201680075222.7
申请日：2016-12-15
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: G02B6/02
Abstract: 对光纤照射激光而在光纤的芯部形成光栅的光纤光栅的制造装置具备：固定装置，其在进行光栅的形成的情况下，在光纤的搬运方向上，在比激光对光纤形成照射的照射位置靠上游侧的第一位置和比激光对光纤形成照射的照射位置下游侧的第二位置中至少一个位置对光纤进行固定；和输送装置，其构成为能够向搬运方向进行直线的往复移动，在解除了由固定装置形成的对光纤的固定的情况下，将光纤向搬运方向输送规定的长度。
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公开(公告)号：CN113348598A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202080010967.1
申请日：2020-02-20
Applicant: 株式会社藤仓
Abstract: 光器件具备：纤芯；第1包层，其覆盖纤芯，且具有比纤芯低的折射率；第2包层，其覆盖第1包层，且具有比第1包层低的折射率；倾斜型FBG，其形成于纤芯，使在纤芯传播的SRS光汇合于第1包层；高折射率材料，包含第1包层的覆盖纤芯的形成有倾斜型FBG的区域的部分并且被除去了第2包层的除去部分的外周面被高折射率材料覆盖，高折射率材料具有比第2包层高的折射率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110832370A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201780092535.8
申请日：2017-10-23
Applicant: 株式会社藤仓
Abstract: 光器件的制造方法具有：第一工序，改变与多芯光纤的纤芯连接的输入/输出器件的单芯光纤的组合，并且求出每个纤芯的光损失；和第二工序，根据第一工序的结果，选择一个与多芯光纤的纤芯连接的所述输入/输出器件的单芯光纤的组合，并以使所选择的组合的单芯光纤与多芯光纤的纤芯连接的方式，将多芯光纤的端部与输入/输出器件的端部连接。
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公开(公告)号：CN102428380A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080021371.8
申请日：2010-05-21
Applicant: 株式会社藤仓
Abstract: 本发明提供一种磁通门传感器，其特征在于，包含：形成于基板上的第1配线层；以覆盖上述第1配线层的方式形成的第1绝缘层；磁芯，该磁芯形成于上述第1绝缘层上，具有中央部分和位于上述中央部分的两端的端部分，该端部分与上述中央部分连接且具有比上述中央部分的宽度宽的宽度；覆盖上述磁芯且形成于上述第1绝缘层上的第2绝缘层；形成于上述第2绝缘层上的第2配线层，上述第1配线层以及上述第2配线层具有多个彼此大致平行的配线，上述第1配线层的配线以及上述第2配线层的配线的两端经由上述第1绝缘层和上述第2绝缘层的被选择性去除的部分而被电连接，在上述端部分卷绕螺旋状的第1电磁线圈，在上述中央部分卷绕螺旋状的第2电磁线圈。
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公开(公告)号：CN111033333A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880055231.9
申请日：2018-07-31
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: G02B6/02
Abstract: 实现一种加热条件的设定方法、光纤布拉格光栅的制造方法以及光纤激光系统的制造方法，上述加热条件的设定方法能够对可在实际使用时产生的光纤布拉格光栅的温度上升进行抑制。包括：工序(S11)，在该工序中，基于光纤布拉格光栅的温度系数γ与迟豫能量Ed之间的对应关系γ(Ed)，确定出使得温度系数γ成为所希望的上限值γmax以下的、迟豫能量Ed的下限值Edmin；以及工序(S12)，在该工序中，以迟豫能量Ed成为下限值Edmin以上的方式，设定对光纤布拉格光栅进行热陈化时的加热条件(T，t)。
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公开(公告)号：CN106605160B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201580048015.8
申请日：2015-09-01
Applicant: 株式会社藤仓
Abstract: 本发明提供光耦合器、激光装置以及锥形光纤。实现从锥形光纤射出的光的NA比以往小的光耦合器。锥形光纤(13)具有形成于折射率为ncore的纤芯的内部的、折射率大于ncore的高折射率区域(131)。各GI光纤(12)的射出端面(12b)与锥形光纤(13)的入射端面(13a)以GI光纤(12)的射出端面(12b)的至少一部分与高折射率区域(131)的截面重叠的方式接合。另外，相对折射率差(Δ)小于0.076％。
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公开(公告)号：CN101584056B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200880002316.7
申请日：2008-01-17
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G01R33/12 , G01R33/1269 , Y10T428/21 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种磁传感器元件，该磁传感器元件，具有：形成于非磁性基板(1)上的硬磁性体膜(2)、覆盖在硬磁性体膜(2)之上的绝缘层(3)、形成于绝缘层(3)上的软磁性体膜(4)，且硬磁性体膜(2)的磁化方向，相对于软磁性体膜(4)的长边方向具有角度θ。优选在从上方观察非磁性基板(1)的俯视图中，形成了上述硬磁性体膜(2)的区域，位于比形成了上述软磁性体膜(4)的区域更宽的范围，并且形成了上述软磁性体膜(4)的区域与形成了上述硬磁性体膜(2)的区域全部重叠。根据本发明，能够提供获得均匀的偏置磁场的磁传感器元件。
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