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公开(公告)号：CN101632146A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200880005914.X
申请日：2008-02-08
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: H01H36/00
Abstract: 本发明涉及磁传感器模块以及活塞位置检测装置。磁传感器模块包括：半导体基板，其具有进行开关动作的集成电路；磁阻元件，其设置在该半导体基板的一个面上，且在沿着该一个面的方向上具有感磁方向；偏置磁场施加部件，其设置在所述半导体基板上、且配置在与所述一个面平行的面上，所述偏置磁场施加部件，在沿着配置该偏置磁场施加部件的所述面的方向上被磁化，在未施加外部磁场的状态下，该偏置磁场施加部件在沿着设置了所述磁阻元件的所述一个面的方向上施加偏置磁场。
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公开(公告)号：CN101584056A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200880002316.7
申请日：2008-01-17
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G01R33/12 , G01R33/1269 , Y10T428/21 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种磁传感器元件，该磁传感器元件，具有：形成于非磁性基板(1)上的硬磁性体膜(2)、覆盖在硬磁性体膜(2)之上的绝缘层(3)、形成于绝缘层(3)上的软磁性体膜(4)，且硬磁性体膜(2)的磁化方向，相对于软磁性体膜(4)的长边方向具有角度θ。优选在从上方观察非磁性基板(1)的俯视图中，形成了上述硬磁性体膜(2)的区域，位于比形成了上述软磁性体膜(4)的区域更宽的范围，并且形成了上述软磁性体膜(4)的区域与形成了上述硬磁性体膜(2)的区域全部重叠。根据本发明，能够提供获得均匀的偏置磁场的磁传感器元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101584056B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200880002316.7
申请日：2008-01-17
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G01R33/12 , G01R33/1269 , Y10T428/21 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种磁传感器元件，该磁传感器元件，具有：形成于非磁性基板(1)上的硬磁性体膜(2)、覆盖在硬磁性体膜(2)之上的绝缘层(3)、形成于绝缘层(3)上的软磁性体膜(4)，且硬磁性体膜(2)的磁化方向，相对于软磁性体膜(4)的长边方向具有角度θ。优选在从上方观察非磁性基板(1)的俯视图中，形成了上述硬磁性体膜(2)的区域，位于比形成了上述软磁性体膜(4)的区域更宽的范围，并且形成了上述软磁性体膜(4)的区域与形成了上述硬磁性体膜(2)的区域全部重叠。根据本发明，能够提供获得均匀的偏置磁场的磁传感器元件。
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公开(公告)号：CN102428380A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080021371.8
申请日：2010-05-21
Applicant: 株式会社藤仓
Abstract: 本发明提供一种磁通门传感器，其特征在于，包含：形成于基板上的第1配线层；以覆盖上述第1配线层的方式形成的第1绝缘层；磁芯，该磁芯形成于上述第1绝缘层上，具有中央部分和位于上述中央部分的两端的端部分，该端部分与上述中央部分连接且具有比上述中央部分的宽度宽的宽度；覆盖上述磁芯且形成于上述第1绝缘层上的第2绝缘层；形成于上述第2绝缘层上的第2配线层，上述第1配线层以及上述第2配线层具有多个彼此大致平行的配线，上述第1配线层的配线以及上述第2配线层的配线的两端经由上述第1绝缘层和上述第2绝缘层的被选择性去除的部分而被电连接，在上述端部分卷绕螺旋状的第1电磁线圈，在上述中央部分卷绕螺旋状的第2电磁线圈。
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公开(公告)号：CN101438178B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200780016434.9
申请日：2007-05-08
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G01R33/09 , G01R33/0011 , G01R33/02 , G01R33/063 , G01R33/18 , H01L43/12
Abstract: 本发明的磁器件具备磁元件、夹着该磁元件配置的第一磁场施加机构和第二磁场施加机构。磁元件是在例如非磁性基板的表面上曲折地形成软磁性膜的元件。第一磁场施加机构及第二磁场施加机构，从第一磁场施加机构向第二磁场施加机构在一个方向(S)上形成磁场(M)。由此，对于被配置在第一磁场施加机构和第二磁场施加机构之间的磁元件而言，整个软磁性膜被施加了朝向一个方向的偏磁场(M)。
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公开(公告)号：CN102197533A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980142898.3
申请日：2009-11-13
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: H01P5/10 , H01L23/3114 , H01L23/49822 , H01L23/66 , H01L2223/6627 , H01L2224/13 , H01L2924/09701 , H01L2924/1903 , H01L2924/3011 , H01P11/00
Abstract: 本发明涉及树脂多层器件，该树脂多层器件基板是具有平衡变压器的树脂多层器件基板，具备：基板、形成在所述基板上的第1树脂层、在所述第1树脂层上电气独立设置的两个平衡信号传输路径、形成在所述两个平衡信号传输路径上以及所述第1树脂层上的第2树脂层、在所述第2树脂层上与所述两个平衡信号传输路径对置设置的不平衡信号传输路径、和形成在所述不平衡信号传输路径上以及所述第2树脂层上的第3树脂层。
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公开(公告)号：CN101438178A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200780016434.9
申请日：2007-05-08
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G01R33/09 , G01R33/0011 , G01R33/02 , G01R33/063 , G01R33/18 , H01L43/12
Abstract: 本发明的磁器件具备磁元件、夹着该磁元件配置的第一磁场施加机构和第二磁场施加机构。磁元件是在例如非磁性基板的表面上曲折地形成软磁性膜的元件。第一磁场施加机构及第二磁场施加机构，从第一磁场施加机构向第二磁场施加机构在一个方向(S)上形成磁场(M)。由此，对于被配置在第一磁场施加机构和第二磁场施加机构之间的磁元件而言，整个软磁性膜被施加了朝向一个方向的偏磁场(M)。
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