公开(公告)号：CN108074608A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711088611.6

申请日：2017-11-08

Applicant: 格芯公司

Inventor： 凡卡崔汉文·宾维杰亚拉梵 ,  S·奇丹巴兰 ,  伊戈尔·阿尔寿威士基

IPC: G11C11/417 ,  G11C7/22

CPC classification number: G11C11/419 ,  G11C7/22 ,  G11C11/417

Abstract: 本揭示内容涉及用于静态随机存取存储器(SRAM)自定时器的挠曲电路，有关于一种电路，其包括：第一晶体管，其具有连接至电容器的漏极，连接至反相器的输入的栅极，以及连接至接地的源极；第二晶体管，其具有连接至该电容器的漏极，以及连接至该反相器的该输入的栅极；第三晶体管，其具有连接至该反相器的输出的源极，连接至该第二晶体管的源极的漏极，以及连接至该反相器的该输入的栅极；以及第四晶体管，其具有连接至该第三晶体管的该源极的源极，连接至接地的漏极，以及连接至该电容器的栅极。

公开(公告)号：CN108022622A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201711057260.2

申请日：2017-11-01

Applicant: 格芯公司

Inventor： 伊戈尔·阿尔寿威士基 ,  罗伯特·M·侯尔 ,  麦克·T·法葛诺 ,  A·帕蒂尔 ,  V·D·布特勒

IPC: G11C15/04

CPC classification number: G11C15/04 ,  G11C7/12 ,  G11C29/021 ,  G11C29/025 ,  G11C29/026 ,  G11C29/12 ,  G11C2029/1204

Abstract: 本发明涉及一种用于多位差错侦检电路的三元按内容寻址存储器，其揭露预充电电路，包括接收早期预充电信号并输出反相早期预充电信号的第一反相器、接收晚期预充电信号与匹配线输出信号并输出AND输出信号的第一栅极、以及接收该反相早期预充电信号与该AND输出信号并输出有效预充电信号的第二栅极。