公开(公告)号：CN106328203B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201510429168.9

申请日：2015-07-21

Applicant: 力晶科技股份有限公司

Inventor： 邓才科

IPC: G11C16/20

CPC classification number: G11C16/20 ,  G11C16/12 ,  G11C16/3459 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028

Abstract: 闪存装置及其编程操作的初始化方法。编程操作的初始化方法包括：提供递增的多个脉冲编程电压以对闪存的多个存储单元进行多个非遮蔽方案编程操作并依据编程验证电压对存储单元执行对应的编程验证操作；依据编程验证操作的验证结果以获得记录编程电压值；提供递增的多个脉冲读取电压以对存储单元进行多个读取操作；依据读取操作的读取结果来获得记录读取电压值；以及，依据记录编程电压值、记录读取电压值以及编程验证电压的电压值来获得起始编程电压值及编程脉冲电压递增值。

公开(公告)号：CN103943147B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201410018415.1

申请日：2014-01-16

Applicant: 恩智浦美国有限公司

Inventor： J·S·朝伊

IPC: G11C16/10

CPC classification number: G11C16/345 ,  G11C7/04 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C2029/5002

Abstract: 本发明涉及使用温度传感器自适应软编程非易失存储器的系统及方法。擦除具有位单元的阵列的非易失性存储器（NVM）包括在所述位单元的初始擦除之后进行软编程。过擦除的位单元被确定。温度被检测。基于所述温度的第一软编程栅电压被提供。使用所述第一软编程栅电压对所述过擦除的位单元进行软编程被执行。任何剩余的过擦除的位单元被确定。如果有任何剩余的过擦除的位单元，使用从所述第一软编程栅电压递增的第二软编程栅电压对所述剩余的过擦除的位单元执行软编程。

公开(公告)号：CN108932161A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810475203.4

申请日：2018-05-17

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 植木浩 ,  肥田英司

IPC: G06F9/48

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F2212/7203 ,  G06F2212/7205 ,  G11C16/16 ,  G11C16/3459 ,  G11C29/021 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11531 ,  G06F9/4818

Abstract: 本发明的目的是提供能够在保持高中断响应性能的同时抑制电路规模增加的半导体器件及其控制方法。根据实施例，一种半导体器件包括：闪存存储器，其中存储N个中断子例程程序；中断控制电路，其检测中断的发生；计数器，其基于中断控制电路的检测结果来确定N个中断因素的相应发生概率；中断缓冲存储器，其中存储与N个中断因素中的被确定为发生概率高的前M个中断因素对应的M(M

公开(公告)号：CN108694335A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810328407.5

申请日：2018-04-12

Applicant: 恩智浦美国有限公司

Inventor： 尼哈尔·N·马哈特米 ,  斯瑞肯斯·贾甘纳坦 ,  亚历山大·霍夫乐

IPC: G06F21/72 ,  G06F21/79 ,  H04L9/32 ,  H04L9/08

CPC classification number: G11C11/419 ,  G11C7/24 ,  G11C11/418 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G06F21/72 ,  G06F21/79 ,  H04L9/0894 ,  H04L9/3278

Abstract: 在多个SRAM单元中实施物理不可克隆函数(PUF)。在用于生成PUF响应的方法中，首先将逻辑零写入到具有PUF的所有SRAM单元。使耦合到存储每一SRAM单元的逻辑零的存储节点的位线偏置到预定电压。接着选择位线以用于评估读取操作。在评估读取期间，来自一个列的位线中的一个位线的读取电流被转换成第一电压，且另一个列的另一位线的读取电流被转换成第二电压。接着，比较第一电压与第二电压。PUF响应的位的逻辑状态确定为比较的结果。能够将逻辑位提供到并行输入串行输出移位寄存器的输入。能够存在用于每一逻辑位的比较器，或者若干个比较器能够在逻辑位之间共享。PUF响应能够用于为数据处理系统提供签名。能够选择性地调整每一单元的反偏置。

公开(公告)号：CN105304116B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201510590023.7

申请日：2015-09-16

Applicant: 江苏时代全芯存储科技有限公司 ,  英属维京群岛商时代全芯科技有限公司

Inventor： 简汎宇 ,  张家璜 ,  黄圣财 ,  吴瑞仁

IPC: G11C11/16 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C5/147 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0028 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C2013/0078

Abstract: 一种记忆体驱动电路于此揭露。记忆体驱动电路包含可编程电流源、参考电压产生单元及电压比较单元。可编程电流源根据第一电流输出相应的第二电流输入记忆单元，在其电流输入端产生元件电压。参考电压产生单元产生晶体电压，电压比较单元比较元件电压与晶体电压的大小后，送出控制信号以控制可编程电流源，以改变第一电流与第二电流的大小，以此控制对记忆单元设置写入电流脉冲的型态。

公开(公告)号：CN107957851A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201710892707.1

申请日：2017-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴玄教 ,  卢承京 ,  李熙元 ,  权成南 ,  金玉河 ,  李东起

IPC: G06F3/06

CPC classification number: G11C16/349 ,  G06N99/005 ,  G11C7/14 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/26 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/04 ,  G11C29/42 ,  G11C29/52 ,  G06F3/0614 ,  G06F3/0653

Abstract: 一种存储器系统包括多个存储装置，所述存储装置分别包括非易失性存储器装置。客户机装置被配置成收集从所述存储装置提供的所述非易失性存储器装置的劣化信息。服务器装置被配置成接收所收集劣化信息并通过基于所收集劣化信息以及初始劣化信息执行机器学习来实时地预测所述非易失性存储器装置的劣化程度。所述客户机装置基于来自所述服务器装置的所述非易失性存储器装置的劣化程度来确定所述非易失性存储器装置的读取电平。所述存储装置将所述非易失性存储器装置设定成基于在所述客户机装置中确定的所述读取电平来运行。

公开(公告)号：CN103985412B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201410243205.2

申请日：2008-06-11

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 弗朗姬·鲁帕尔瓦尔 ,  维沙尔·萨林 ,  荣·S·赫埃

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C16/12 ,  G11C7/16 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/04 ,  G11C16/0483 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C2211/5641

Abstract: 本发明涉及用于对具有耦合到控制器的存储器阵列的固态存储器装置进行操作的方法。本发明还揭示一种存储器装置，其适合于接收且发射代表两个或两个以上位的模拟数据信号，以便相对于传达指示个别位的数据信号的装置而促进数据传送速率的增大。控制器和读取/写入通道将数字位模式转换为待以特定位容量等级存储在存储器阵列中的模拟数据信号以便实现所要等级的可靠性。

公开(公告)号：CN103578523B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201310311596.2

申请日：2013-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔明勋 ,  郑宰镛 ,  朴起台

IPC: G11C7/10 ,  G11C11/4063 ,  G11C11/413 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C7/1057 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/00 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3431 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/44

Abstract: 本发明提供了存储器件、存储系统及控制存储器件的读取电压的方法。所述存储器件包括：具有多个存储器单元的存储器单元阵列；以及包括多个页面缓冲器的页面缓冲单元，所述多个页面缓冲器配置为对以不同的读取电压电平分别从所述多个存储器单元中的一些存储器单元中顺序读取的多个数据片段进行存储，并且所述多个页面缓冲器配置为对所述多个数据片段分别执行逻辑操作。所述存储器件还包括计数单元，该计数单元配置为基于所述逻辑操作的结果来对由所述不同的读取电压电平所限定的多个段中的每一段内存在的存储器单元的数量进行计数。

公开(公告)号：CN107025944A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201710020693.4

申请日：2017-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈元补

IPC: G11C16/34

CPC classification number: G11C16/3445 ,  G06F11/1068 ,  G11C7/1006 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26 ,  G11C29/021 ,  G11C29/025 ,  G11C29/028 ,  G11C29/50004 ,  G11C29/52 ,  G11C2029/0409

Abstract: 一种用于操作非易失性存储器设备的方法首先包括向存储器单元供应擦除电压。存储器单元在三维结构的单元串中。该方法还包括执行存储器单元的第一读取操作，执行存储器单元的第二读取操作，然后基于第一和第二读取操作的结果执行第一擦除校验操作。第一擦除校验操作可以包括对第一和第二读取操作结果执行第一异或(XOR)运算。

公开(公告)号：CN106797179A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580000993.5

申请日：2015-06-15

Applicant: 京微雅格(北京)科技有限公司

Inventor： 周雪萍 ,  陈子贤 ,  薛庆华

IPC: H02M3/156 ,  G06F1/26

CPC classification number: G06F1/3287 ,  G06F1/3296 ,  G11C7/20 ,  G11C11/417 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  H03K19/00 ,  H03K19/17784 ,  Y02D10/171 ,  Y02D10/172

Abstract: 一种芯片供电方法及芯片，配置存储器(202)给NMOS传输门(201)提供配置电压，LDO电路(203)为芯片供电，该方法包括：确定芯片的工作状态从初始化阶段、编程阶段和用户使用阶段中的第一状态改变到初始化阶段、编程阶段和用户使用阶段中的第二状态(S101)；根据芯片的工作状态，调节配置位，调节LDO电路的输出电压(S102)。芯片供电方法降低了芯片在内存配置过程中的功耗，并提升了用户使用阶段的工作性能。