公开(公告)号：CN103329575B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201180064105.8

申请日：2011-12-22

Applicant: 欧姆龙株式会社 ,  ST微电子公司

Inventor： 笠井隆 ,  佐藤正武 ,  内田雄喜 ,  I.帕多瓦尼 ,  F.戴维 ,  S.康蒂

IPC: H04R19/04

CPC classification number: H04R19/04 ,  B81B3/0021 ,  H04R1/023 ,  H04R1/086 ,  H04R3/00 ,  H04R3/005 ,  H04R19/005 ,  H04R19/016 ,  H04R31/00 ,  H04R2201/003 ,  H04R2499/11

Abstract: 一种音响转换器及使用该音响转换器的麦克风。音响传感器（11）在半导体基板（21）的上面形成有振动膜（22）及固定膜（23），根据振动膜（22）的振动电极（220）与固定膜（23）的固定电极（230）之间的静电容量的变化，将声波转换成电信号进行输出。音响传感器（11）对振动电极（220）及固定电极（230）中的至少一方进行分割，从被分割后的多个电极分别输出多个电信号。

公开(公告)号：CN103329575A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201180064105.8

申请日：2011-12-22

Applicant: 欧姆龙株式会社 ,  ST微电子公司

Inventor： 笠井隆 ,  佐藤正武 ,  内田雄喜 ,  I.帕多瓦尼 ,  F.戴维 ,  S.康蒂

IPC: H04R19/04

CPC classification number: H04R19/04 ,  B81B3/0021 ,  H04R1/023 ,  H04R1/086 ,  H04R3/00 ,  H04R3/005 ,  H04R19/005 ,  H04R19/016 ,  H04R31/00 ,  H04R2201/003 ,  H04R2499/11

Abstract: 一种音响转换器及使用该音响转换器的麦克风。音响传感器（11）在半导体基板（21）的上面形成有振动膜（22）及固定膜（23），根据振动膜（22）的振动电极（220）与固定膜（23）的固定电极（230）之间的静电容量的变化，将声波转换成电信号进行输出。音响传感器（11）对振动电极（220）及固定电极（230）中的至少一方进行分割，从被分割后的多个电极分别输出多个电信号。

公开(公告)号：CN1366694A

公开(公告)日：2002-08-28

申请号：CN01801031.8

申请日：2001-04-23

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 藤井充 ,  坂田稔 ,  积知范 ,  佐藤正武

IPC: H01H59/00 ,  H01P1/10 ,  B81B3/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  H01H1/20

Abstract: 在硅基片(21)的上面设置固定接点(23A,24A),从表面到背面贯通Si基片(21)那样地设置与固定接点(23A,24A)导通的信号线(23,24),在Si基片(21)的背面,设置与信号线(23,24)导通的突起(32,33)。在固定接点(23A,24A)的两侧设置固定电极(22),从表面到背面贯通Si基片(21)那样地设置与固定电极(22)导通的配线(30,31),在硅基片(21)的背面设置与配线(30,31)导通的突起(34,35)。将使信号线(23,24)贯通的硅基片(21)的贯通孔(26,27)和使配线(30,31)贯通的硅基片(21)的贯通孔(28,29)通过可动基片(40)或间隙(50)密闭密封起来。

公开(公告)号：CN1249760C

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN01801031.8

申请日：2001-04-23

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 藤井充 ,  坂田稔 ,  积知范 ,  佐藤正武

IPC: H01H59/00 ,  H01P1/10 ,  B81B3/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  H01H1/20

Abstract: 在硅基片(21)的上面设置固定接点(23A，24A)，从表面到背面贯通Si基片(21)那样地设置与固定接点(23A，24A)导通的信号线(23，24)，在Si基片(21)的背面，设置与信号线(23，24)导通的突起(32，33)。在固定接点(23A，24A)的两侧设置固定电极(22)，从表面到背面贯通Si基片(21)那样地设置与固定电极(22)导通的配线(30，31)，在硅基片(21)的背面设置与配线(30，31)导通的突起(34，35)。将使信号线(23，24)贯通的硅基片(21)的贯通孔(26，27)和使配线(30，31)贯通的硅基片(21)的贯通孔(28，29)通过可动基片(40)或间隙(50)密闭密封起来。