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公开(公告)号：CN115241282B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211166305.0
申请日：2022-09-23
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心 , 浙江大学 , 嘉兴斯达半导体股份有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种SiC MOSFET器件及其制备方法，包括衬底层、外延层、两组以上间隔排列的栅氧结构、第一隔离层、一组以上的第一源极电极层、第二源极电极层和栅极电极层，外延层设置在衬底层的一端面，衬底层的另一端面设置有漏极电极层，栅氧结构设置在外延层远离衬底层的一端面，且每组栅氧结构上设置有第一隔离层，每两组连续的栅氧结构设置为一个单元结构，且仅在每个单元结构内的两组栅氧结构之间设置有注入层和源极层，注入层和源极层内贯穿设置有掺杂层，第一源极电极层设置在外延层远离衬底层的一端面，外延层上还设置有第二隔离层，栅极电极层设置在第二隔离层上，本发明解决了传统SiC MOS管寄生电感较大的问题。
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公开(公告)号：CN115295407B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211196346.4
申请日：2022-09-29
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心 , 浙江大学 , 嘉兴斯达半导体股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/04 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种SiC功率器件的栅氧结构制备方法和栅氧结构，包括以下步骤：在含氮氧化气体环境下，高温氧化SiC衬底层，并制备出钝化SiO2薄膜层；在无氮氧化气体环境下，退火处理钝化SiO2薄膜层，部分钝化SiO2薄膜层生成致密化SiO2薄膜层；在致密化SiO2薄膜层沉积第一电极层，在SiC衬底层上沉积第二电极层，具有沟道迁移率高和长期栅压作用可靠性高的优点，突破了因氮原子钝化Si、C原子容易引起可靠性下降的瓶颈。
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公开(公告)号：CN115274488A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211180073.4
申请日：2022-09-27
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心 , 浙江大学 , 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L21/66 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的碳化硅裸片与碳化硅掩膜层刻蚀深度选择比预测方法，包括以下步骤：获取在第一刻蚀温度下，碳化硅裸片的第一刻蚀深度变化数据一和碳化硅掩膜层的第二刻蚀深度变化数据一，以及获取在第二刻蚀温度下，碳化硅裸片的第一刻蚀深度变化数据二和碳化硅掩膜层的第二刻蚀深度变化数据二；拟合碳化硅裸片刻蚀深度与刻蚀温度关系，以及拟合碳化硅掩膜层刻蚀深度与刻蚀温度关系；基于碳化硅裸片刻蚀深度与刻蚀温度关系，以及碳化硅掩膜层刻蚀深度与刻蚀温度关系，预测在不同刻蚀温度下，碳化硅裸片与碳化硅掩膜层的刻蚀深度，并计算预测选择比，突破了工作人员在等离子刻蚀工艺调试过程中负荷较高的瓶颈。
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公开(公告)号：CN115274488B
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202211180073.4
申请日：2022-09-27
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心 , 浙江大学 , 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L21/66 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的碳化硅裸片与碳化硅掩膜层刻蚀深度选择比预测方法，包括以下步骤：获取在第一刻蚀温度下，碳化硅裸片的第一刻蚀深度变化数据一和碳化硅掩膜层的第二刻蚀深度变化数据一，以及获取在第二刻蚀温度下，碳化硅裸片的第一刻蚀深度变化数据二和碳化硅掩膜层的第二刻蚀深度变化数据二；拟合碳化硅裸片刻蚀深度与刻蚀温度关系，以及拟合碳化硅掩膜层刻蚀深度与刻蚀温度关系；基于碳化硅裸片刻蚀深度与刻蚀温度关系，以及碳化硅掩膜层刻蚀深度与刻蚀温度关系，预测在不同刻蚀温度下，碳化硅裸片与碳化硅掩膜层的刻蚀深度，并计算预测选择比，突破了工作人员在等离子刻蚀工艺调试过程中负荷较高的瓶颈。
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公开(公告)号：CN115241282A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202211166305.0
申请日：2022-09-23
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心 , 浙江大学 , 嘉兴斯达半导体股份有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种SiC MOSFET器件及其制备方法，包括衬底层、外延层、两组以上间隔排列的栅氧结构、第一隔离层、一组以上的第一源极电极层、第二源极电极层和栅极电极层，外延层设置在衬底层的一端面，衬底层的另一端面设置有漏极电极层，栅氧结构设置在外延层远离衬底层的一端面，且每组栅氧结构上设置有第一隔离层，每两组连续的栅氧结构设置为一个单元结构，且仅在每个单元结构内的两组栅氧结构之间设置有注入层和源极层，注入层和源极层内贯穿设置有掺杂层，第一源极电极层设置在外延层远离衬底层的一端面，外延层上还设置有第二隔离层，栅极电极层设置在第二隔离层上，本发明解决了传统SiC MOS管寄生电感较大的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114664649B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210543899.6
申请日：2022-05-19
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心 , 浙江大学 , 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L21/3065 , H01L21/033
Abstract: 本发明公开了碳化硅高深宽比槽刻蚀工艺优化方法，包括以下步骤：S1、采用镀膜设备镀膜，测量非金属掩膜层膜厚H1、折射率N1；S2、采用加密设备加密，测量其膜厚H2、折射率N2；S3、判断加密工艺有效性；S4、判断S1、S2步骤是否结束；S5、采用光刻工艺制作光刻胶掩膜；S6、采用刻蚀工艺刻蚀非金属掩膜、采用化学腐蚀工艺去除残留光刻胶；S7、采用刻蚀工艺刻蚀碳化硅沟槽；S8、观察碳化硅沟槽刻蚀形貌，计算选择比Selectivity，判定刻蚀完整性。本发明用以解决非金属掩膜作碳化硅刻蚀掩膜刻蚀选择比小于3，碳化硅沟槽线宽损失大的问题。
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公开(公告)号：CN115295407A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211196346.4
申请日：2022-09-29
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心 , 浙江大学 , 嘉兴斯达半导体股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/04 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种SiC功率器件的栅氧结构制备方法和栅氧结构，包括以下步骤：在含氮氧化气体环境下，高温氧化SiC衬底层，并制备出钝化SiO2薄膜层；在无氮氧化气体环境下，退火处理钝化SiO2薄膜层，部分钝化SiO2薄膜层生成致密化SiO2薄膜层；在致密化SiO2薄膜层沉积第一电极层，在SiC衬底层上沉积第二电极层，具有沟道迁移率高和长期栅压作用可靠性高的优点，突破了因氮原子钝化Si、C原子容易引起可靠性下降的瓶颈。
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公开(公告)号：CN114664649A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210543899.6
申请日：2022-05-19
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心 , 浙江大学 , 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L21/3065 , H01L21/033
Abstract: 本发明公开了碳化硅高深宽比槽刻蚀工艺优化方法，包括以下步骤：S1、采用镀膜设备镀膜，测量非金属掩膜层膜厚H1、折射率N1；S2、采用加密设备加密，测量其膜厚H2、折射率N2；S3、判断加密工艺有效性；S4、判断S1、S2步骤是否结束；S5、采用光刻工艺制作光刻胶掩膜；S6、采用刻蚀工艺刻蚀非金属掩膜、采用化学腐蚀工艺去除残留光刻胶；S7、采用刻蚀工艺刻蚀碳化硅沟槽；S8、观察碳化硅沟槽刻蚀形貌，计算选择比Selectivity，判定刻蚀完整性。本发明用以解决非金属掩膜作碳化硅刻蚀掩膜刻蚀选择比小于3，碳化硅沟槽线宽损失大的问题。
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公开(公告)号：CN119291443B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411784042.9
申请日：2024-12-06
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本申请涉及用于测试沟槽型场效应管参数的方法及设备、元胞结构。该方法包括：针对多个元胞结构中的每一个，施加不同水平的栅源电压，得到漏源电流及漏源电压的关系曲线，以计算不同水平的栅源电压对应的导通电阻。该用于测试沟槽型场效应管参数的方法能够有效地地分析沟槽型场效应管的使用性能。
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公开(公告)号：CN119291443A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411784042.9
申请日：2024-12-06
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本申请涉及用于测试沟槽型场效应管参数的方法及设备、元胞结构。该方法包括：针对多个元胞结构中的每一个，施加不同水平的栅源电压，得到漏源电流及漏源电压的关系曲线，以计算不同水平的栅源电压对应的导通电阻。该用于测试沟槽型场效应管参数的方法能够有效地地分析沟槽型场效应管的使用性能。
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