公开(公告)号：CN114988873B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202210691725.4

申请日：2022-06-17

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  陈怡颖 ,  戚俊磊 ,  罗子茜 ,  张旻昊 ,  南策文

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/48 ,  C04B35/462 ,  C04B35/49 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种铋基焦绿石介电储能陶瓷及其制备方法，所述铋基焦绿石介电储能陶瓷的化学式为Bi1.5Zn1‑xMxNb1.5‑yM’yO7，其中，M为Mg、Cd或Ni，M’为Ta、W、Hf、Ti、Zr的至少一种，0≤x≤1，0≤y≤1.5，并且x、y不同时为0。发明人发现，具有上述化学式的铋基焦绿石介电储能陶瓷结构稳定、具有优异介电稳定性以及高电介质储能性能，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN119263811A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411368524.6

申请日：2024-09-29

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  陈怡颖 ,  戚俊磊 ,  南策文

IPC: C04B35/46 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供了一种无铅高介电低损耗C0G温度稳定型陶瓷介质材料及制备方法和应用。形成该无铅高介电低损耗C0G温度稳定型陶瓷介质材料的各原料包括：15摩尔％～16摩尔％的BaCO3和/或BaO，7.5摩尔％～10摩尔％的Nd2O3，5摩尔％～10摩尔％的Bi2O3，1.5摩尔％～4摩尔％的Sm2O3和55摩尔％～70摩尔％的TiO2。该介质陶瓷材料具有中等的烧结温度、高的介电常数，低的介电损耗以及高绝缘电阻。

公开(公告)号：CN117602933B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202311595028.X

申请日：2023-11-27

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  张敏 ,  蓝顺 ,  戚俊磊 ,  杨兵兵

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种钛酸钡基储能陶瓷及其制备方法和应用。钛酸钡基储能陶瓷的化学组成包括(Ba0.47‑2xBi0.32Ca0.11SmxNaxSr0.1)(Ti0.68‑yFe0.32Zry)O3，其中，0＜x≤0.14，0≤y≤0.10。该钛酸钡基储能陶瓷不仅具有高的储能密度，而且还保持了高的储能效率，能够更大限度地满足使用需要，具体地，室温100Hz下，钛酸钡基储能陶瓷的储能密度为8J/cm3～10J/cm3，储能效率为85％～93.5％。

公开(公告)号：CN119263814A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411368539.2

申请日：2024-09-29

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  陈怡颖 ,  戚俊磊 ,  南策文

IPC: C04B35/46 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供了一种高介电常数NP0型介质陶瓷材料及制备方法和应用。该高介电常数NP0型介质陶瓷材料通过包含下述物质的原料制备而成：15摩尔％～16摩尔％的BaCO3和/或BaO，2摩尔％～6摩尔％的Nd2O3，2摩尔％～6摩尔％的Sm2O3，5摩尔％～10摩尔％的Bi2O3，和55摩尔％～70摩尔％的TiO2。所提供的陶瓷介质材料具有中等的烧结温度、高的介电常数，低的介电损耗以及高绝缘电阻，满足NP0型介质陶瓷规格要求。

公开(公告)号：CN119263812A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411368526.5

申请日：2024-09-29

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  陈怡颖 ,  戚俊磊 ,  南策文

IPC: C04B35/46 ,  H01G4/12 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638

Abstract: 本发明提供了一种高介电常数温度稳定型介质陶瓷材料及制备方法和应用。形成该陶瓷介质材料的各原料包括：15摩尔％～16摩尔％的BaCO3和/或BaO，5摩尔％～15摩尔％的Sm2O3，5摩尔％～10摩尔％的Bi2O3和60摩尔％～80摩尔％的TiO2。所提供的陶瓷介质材料具有中等的烧结温度、高的介电常数，低的介电损耗以及高绝缘电阻。

公开(公告)号：CN117602933A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311595028.X

申请日：2023-11-27

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  张敏 ,  蓝顺 ,  戚俊磊 ,  杨兵兵

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种钛酸钡基储能陶瓷及其制备方法和应用。钛酸钡基储能陶瓷的化学组成包括(Ba0.47‑2xBi0.32Ca0.11SmxNaxSr0.1)(Ti0.68‑yFe0.32Zry)O3，其中，0＜x≤0.14，0≤y≤0.10。该钛酸钡基储能陶瓷不仅具有高的储能密度，而且还保持了高的储能效率，能够更大限度地满足使用需要，具体地，室温100Hz下，钛酸钡基储能陶瓷的储能密度为8J/cm3～10J/cm3，储能效率为85％～93.5％。

公开(公告)号：CN114988873A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210691725.4

申请日：2022-06-17

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  陈怡颖 ,  戚俊磊 ,  罗子茜 ,  张旻昊 ,  南策文

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/48 ,  C04B35/462 ,  C04B35/49 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种铋基焦绿石介电储能陶瓷及其制备方法，所述铋基焦绿石介电储能陶瓷的化学式为Bi1.5Zn1‑xMxNb1.5‑yM’yO7，其中，M为Mg、Cd或Ni，M’为Ta、W、Hf、Ti、Zr的至少一种，0≤x≤1，0≤y≤1.5，并且x、y不同时为0。发明人发现，具有上述化学式的铋基焦绿石介电储能陶瓷结构稳定、具有优异介电稳定性以及高电介质储能性能，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN119263813A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411368529.9

申请日：2024-09-29

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  陈怡颖 ,  戚俊磊 ,  南策文

IPC: C04B35/46 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供了一种C0G型介质陶瓷材料及制备方法和应用。形成该C0G型介质陶瓷材料的各原料包括：15摩尔％～16摩尔％的BaCO3和/或BaO，5摩尔％～10摩尔％的Nd2O3，5摩尔％～10摩尔％的Bi2O3，55摩尔％～70摩尔％的TiO2和0.1摩尔％～5摩尔％的GeO2。该C0G型介质陶瓷材料具有中等的烧结温度、高的介电常数，低的介电损耗以及高绝缘电阻。同时，该方法在无添加传统玻璃料或助烧剂的情况下有效降低了具有钨青铜结构的BLT体系材料的烧结温度，同时优化了陶瓷材料的整体介电性能。

公开(公告)号：CN119038984A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411249674.5

申请日：2024-09-06

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  陈怡颖 ,  戚俊磊 ,  南策文

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提出了一种C0G温度稳定型陶瓷介质材料及其制备方法，具体地，本发明提出了一种陶瓷介质材料，其包含BaCO3和/或BaO、Nd2O3、Bi2O3、TiO2以及Dy2O3或Ho2O3或Er2O3。该材料具有高的介电常数，低的介电损耗以及高绝缘电阻。

公开(公告)号：CN116813331B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202310840763.6

申请日：2023-07-10

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  蔡婧涵 ,  戚俊磊

IPC: C04B35/47 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638

Abstract: 本发明公开了一种钛酸锶陶瓷及其制备方法和应用。钛酸锶陶瓷的化学式包括SrTiNbxO3，其中，0＜x≤0.012。该钛酸锶陶瓷具有高的介电常数，同时保持了极低的介电损耗，能够更大限度地满足使用需要，具体地，室温1kHz下，钛酸锶陶瓷的介电常数可为3.5×104‑6×104，介电损耗小于1％。