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公开(公告)号：CN116444987A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310118436.X
申请日：2023-02-02
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出了一种熵调控复合介电薄膜，包括聚合物基体；填料，所述填料分散在所述聚合物基体中，所述填料包括Bi4‑aM1aTi(3‑3b)M2bO12，其中，M1包括镧、钕、钐和镨中的至少一种，所述M2包括锆、铪和锡中的至少一种，0≤a＜4，0＜b＜1，所述填料的熵值不小于1.5R。由此，该熵调控复合介电薄膜耐高温、击穿强度高、极化强度高、储能密度高、稳定性好。
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公开(公告)号：CN117602933A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311595028.X
申请日：2023-11-27
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/49 , C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种钛酸钡基储能陶瓷及其制备方法和应用。钛酸钡基储能陶瓷的化学组成包括(Ba0.47‑2xBi0.32Ca0.11SmxNaxSr0.1)(Ti0.68‑yFe0.32Zry)O3，其中，0＜x≤0.14，0≤y≤0.10。该钛酸钡基储能陶瓷不仅具有高的储能密度，而且还保持了高的储能效率，能够更大限度地满足使用需要，具体地，室温100Hz下，钛酸钡基储能陶瓷的储能密度为8J/cm3～10J/cm3，储能效率为85％～93.5％。
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公开(公告)号：CN114907117A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210420785.2
申请日：2022-04-21
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/50 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明涉及一种钛酸铋基陶瓷材料及其制备方法和应用。所述钛酸铋基陶瓷材料，的化学通式为Bi3.25La0.75Ti3‑3x(HfxZrxSnx)O12，其中x表示摩尔分数，且0﹤x≤0.5。上述钛酸铋基陶瓷材料能够实现以下优点：1)获得热力学上稳定的烧绿石纯相结构；2)呈现高度的原子无序和晶格扭曲，一方面可以增强电子散射，细化晶粒和获得部分非晶相，有利于获得更高的击穿场强，另一方面还会打破了局部的对称性，引起离子位移和偶极子团簇的产生，从而贡献较大的极化值。综上，上述钛酸铋基陶瓷材料能够同时具有高极化和高击穿，从而获得优异的储能密度，且无铅，可以作为环境友好的储能介质材料。
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公开(公告)号：CN117602933B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202311595028.X
申请日：2023-11-27
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/49 , C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种钛酸钡基储能陶瓷及其制备方法和应用。钛酸钡基储能陶瓷的化学组成包括(Ba0.47‑2xBi0.32Ca0.11SmxNaxSr0.1)(Ti0.68‑yFe0.32Zry)O3，其中，0＜x≤0.14，0≤y≤0.10。该钛酸钡基储能陶瓷不仅具有高的储能密度，而且还保持了高的储能效率，能够更大限度地满足使用需要，具体地，室温100Hz下，钛酸钡基储能陶瓷的储能密度为8J/cm3～10J/cm3，储能效率为85％～93.5％。
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公开(公告)号：CN114907117B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202210420785.2
申请日：2022-04-21
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/50 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明涉及一种钛酸铋基陶瓷材料及其制备方法和应用。所述钛酸铋基陶瓷材料，的化学通式为Bi3.25La0.75Ti3‑3x(HfxZrxSnx)O12，其中x表示摩尔分数，且0﹤x≤0.5。上述钛酸铋基陶瓷材料能够实现以下优点：1)获得热力学上稳定的烧绿石纯相结构；2)呈现高度的原子无序和晶格扭曲，一方面可以增强电子散射，细化晶粒和获得部分非晶相，有利于获得更高的击穿场强，另一方面还会打破了局部的对称性，引起离子位移和偶极子团簇的产生，从而贡献较大的极化值。综上，上述钛酸铋基陶瓷材料能够同时具有高极化和高击穿，从而获得优异的储能密度，且无铅，可以作为环境友好的储能介质材料。
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