公开(公告)号：CN105734491A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610130050.0

申请日：2016-03-08

Applicant: 湖北大学

Inventor： 何云斌 ,  张武忠 ,  黎明锴 ,  程海玲 ,  唐志武

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/28

CPC classification number: C23C14/06 ,  C23C14/28

Abstract: 本发明属于半导体光电材料技术领域，具体涉及一种BeZnOS化合物半导体材料、其制备方法及应用。本发明所提供的BeZnOS材料为BeO和Zn S以一定比例固溶得到的四元化合物半导体材料，通过Be和S复合取代的协同作用，不但能实现对ZnO带隙的更自由调控，还起到增加取代元素Be、S在ZnO中的溶解度和消除固溶体带隙与晶格常数调节相互牵制的效果。该BeZnOS四元化合物是带隙自由可调的宽禁带半导体，可用于紫外至日盲区发光器件或光探测器件。本发明所提供的BeZnOS化合物半导体材料可采用脉冲激光沉积、磁控溅射、电子束蒸发等多种方法进行生长，设备和操作工艺简单。本发明所提供的BeZnOS单晶薄膜材料为世界上首次成功合成，对于开发波长可调的ZnO基光电器件具有非常重要的意义。

公开(公告)号：CN104388898A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410570903.3

申请日：2014-10-23

Applicant: 湖北大学

Inventor： 何云斌 ,  黎明锴 ,  邰佳丽 ,  程海玲 ,  张蕾 ,  周桃生

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/06 ,  H01L31/0296 ,  H01L33/28

CPC classification number: C23C14/28 ,  C23C14/06 ,  H01L31/02963 ,  H01L33/285

Abstract: 本发明公开一种MgZnOS四元ZnO合金半导体材料及其制备方法，通过Mg与S同时掺杂ZnO，调节MgZnOS中Mg与Zn、O与S的比例形成全新的MgZnOS四元ZnO合金半导体材料，使得该类宽禁带半导体的带隙在更宽范围内(2.94eV～3.95eV)可调，可用于紫外发光器件或光探测器件。本发明MgZnOS单晶材料为世界上首次成功合成，制备MgZnOS四元ZnO合金半导体材料对于开发波长可调的紫外光电器件具有非常重要的意义。此MgZnOS四元ZnO合金半导体材料可采用常规脉冲激光烧蚀沉积、磁控溅射、电子束蒸发等多种方法进行生长，设备和操作工艺简单，易于控制。

公开(公告)号：CN104388898B

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201410570903.3

申请日：2014-10-23

Applicant: 湖北大学

Inventor： 何云斌 ,  黎明锴 ,  邰佳丽 ,  程海玲 ,  张蕾 ,  周桃生

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/06 ,  H01L31/0296 ,  H01L33/28

Abstract: 本发明公开一种MgZnOS四元ZnO合金半导体材料及其制备方法，通过Mg与S同时掺杂ZnO，调节MgZnOS中Mg与Zn、O与S的比例形成全新的MgZnOS四元ZnO合金半导体材料，使得该类宽禁带半导体的带隙在更宽范围内(2.94eV～3.95eV)可调，可用于紫外发光器件或光探测器件。本发明MgZnOS单晶材料为世界上首次成功合成，制备MgZnOS四元ZnO合金半导体材料对于开发波长可调的紫外光电器件具有非常重要的意义。此MgZnOS四元ZnO合金半导体材料可采用常规脉冲激光烧蚀沉积、磁控溅射、电子束蒸发等多种方法进行生长，设备和操作工艺简单，易于控制。