荧光体粉末、及发光装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117940532A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202280060137.9

    申请日:2022-06-29

    Inventor: 三谷骏介

    Abstract: 本申请的一个方式提供一种荧光体粉末,其包含多个CASN系荧光体粒子,上述CASN系荧光体粒子中,粒径为1μm以上的荧光体粒子的平均凹凸度为0.985以上。

    荧光体粒子、复合体、发光装置和自发光型显示器

    公开(公告)号:CN115397947A

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202180023407.4

    申请日:2021-03-15

    Abstract: 一种由CASN和/或SCASN构成的Micro LED用或Mini LED用的荧光体粒子。使用该荧光体粒子通过以下的片材制作步骤而制作的固化片材满足以下的光学特性。<片材制作步骤>(1)使用自转公转混合机对40质量份的荧光体粒子和60质量份的东丽道康宁公司制的有机硅树脂OE-6630进行搅拌处理和脱泡处理而得到均匀的混合物。(2)将(1)中得到的混合物滴加至透明的第一氟树脂膜并从该滴加物上进一步重叠透明的第二氟树脂膜,得到片状物。使用具有第一氟树脂膜与第二氟树脂膜的厚度的合计加上50μm而得的间隙的辊将该片状物成型为未固化片材。(3)将(2)中得到的未固化片材以150℃、60分钟的条件进行加热。然后,剥离第一氟树脂膜和第二氟树脂膜,得到膜厚50±5μm的固化片材。<光学特性>将从在450nm~460nm的范围内具有峰值波长的蓝色LED发出的蓝光的峰值波长处的强度设为Ii[W/nm],将使蓝光照射于固化片材的一个面侧时从固化片材的另一面侧发出的光的450nm~460nm的范围内的峰值波长的强度设为It[W/nm],将600nm~650nm的范围内的峰值波长的强度设为Ip[W/nm]时,It/Ii为0.2以下,且Ip/Ii为0.05以上。

    荧光体粒子和发光装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116569348A

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202180081073.6

    申请日:2021-11-04

    Abstract: 荧光体粒子由选自由CASN构成的粉末状荧光体和由SCASN构成的粉末状荧光体中的1种或2种构成,将该荧光体粒子的利用激光衍射散射法所得的体积基准的累计百分比中的相当于累积50%的粒径设为Dx50,将相当于该累积90%的粒径设为Dx90,将对该荧光体粒子实施以下的处理后的相当于累积50%的粒径设为Dy50,将相当于该累积90%的粒径设为Dy90时,(a)Dx50为0.5μm~35μm,且(b)Dx90/Dy90为0.7~15。处理:准备使上述荧光体粒子30mg均匀分散于浓度0.2%的六偏磷酸钠水溶液100ml中而成的分散液,将该分散液装入底面的内径为5.5cm的圆柱状容器中。接着从该分散液的上方插入超声波均质机的振荡器(外径20mm的圆柱状端)部分,在该振荡器浸渍到深度1.0cm以上的状态下,对该分散液以频率19.5kHz、输出150W照射3分钟超声波。

    表面覆盖荧光体粒子、复合体和发光装置

    公开(公告)号:CN112888762A

    公开(公告)日:2021-06-01

    申请号:CN201980069479.5

    申请日:2019-10-04

    Abstract: 本发明的表面覆盖荧光体粒子具备:由氮氧化物荧光体或氮化物荧光体构成的荧光体粒子,以及设置于该荧光体粒子的表面并由包含选自铝、钛、锆、钇和铪中的1种以上元素的金属氢氧化物或金属氧化物构成的覆盖层。上述表面覆盖荧光体粒子的以下定义的热水提取导电指数ΔΩ为2.0mS/m以下。(热水提取导电指数的计算方法)(1)测定25℃的离子交换水的电导率Ω0。(2)使上述表面覆盖荧光体粒子1g分散于上述离子交换水30ml,放入耐压容器在150℃加热16小时后,追加离子交换水20ml,在冷却到25℃的状态下测定电导率Ω1。(3)将电导率Ω1与电导率Ω0之差ΔΩ(=电导率Ω1-电导率Ω0)作为热水提取导电指数ΔΩ。

    荧光体和发光装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112739797A

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN201980059063.5

    申请日:2019-08-22

    Abstract: 一种β型塞隆荧光体,由下述式1表示,关于利用激光衍射散射法测定并以体积频率为基准的D10、D50、D90(单位分别为[μm]),D50为10μm以下,D10、D50、D90的值满足下述式2的关系。式1:Si12‑aAlaObN16‑b:Eux(式中,0<a≤3;0<b≤3;0<x≤0.1);式2:(D90-D10)/D50<1.6(其中,上述利用激光衍射散射法测定并以体积频率为基准的D10、D50、D90(单位分别为[μm])是使用如下液体的测定值:将测定的荧光体0.5g投入到混合有0.05wt%的六偏磷酸钠的离子交换水溶液100ml中,使用振荡频率19.5±1kHz、振幅为32±2μm的超声波均化器并将芯片配置于液体的中央部,对其进行3分钟分散处理而得的液体。)。

    疏水化处理荧光体及发光装置

    公开(公告)号:CN106133114B

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201580017795.X

    申请日:2015-04-01

    Abstract: 本发明的目的在于,提供一种不易在与封装树脂的界面产生剥离的疏水化处理荧光体、以及通过使用该疏水化处理荧光体而亮度及发光色的经时性变化小且长期稳定性优异的发光装置。本发明的疏水化处理荧光体的特征在于,具有通式Si6‑zAlzOzN8‑z:Eu2+(z大于0且为4.2以下)所示的荧光体颗粒和由附着于荧光体颗粒的表面的疏水化物质形成的表面层,疏水化物质包含碳数12以上的长链脂肪酸、粘度1.5Pa·s以下的硅油、或者这两者。另外,本发明的发光装置的特征在于,具备该疏水化处理荧光体与发光元件。

    氟化物荧光体、复合体和发光装置

    公开(公告)号:CN116157491A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202180051822.0

    申请日:2021-08-16

    Abstract: 本发明提供一种氟化物荧光体,组成由以下通式(1)表示,将利用激光衍射散射法求出的体积基准的粒径分布曲线中的累积50%值设为D50,将累积90%值设为D90时,D50为0.1~9.5μm,D90为0.5~16μm。通式(1):A2M(1-n)F6:通式(1)中,元素A为含有K的1种以上的碱金属元素,元素M为Si单质、Ge单质、或者Si与选自Ge、Sn、Ti、Zr和Hf中的1种以上的元素的组合,0<n≤0.1。

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