公开(公告)号：CN102017414A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115222.5

申请日：2009-08-26

Applicant: 矢崎总业株式会社

Inventor： 大岛俊藏

IPC: H03K17/08 ,  H03K17/695

CPC classification number: H03K17/0822 ,  H02H3/08 ,  H03K17/082

Abstract: 本发明提供一种在负载电路中已经发生完全短路的情况下立即仅仅切断该负载电路并保护该负载电路的负载电路的保护装置。该保护装置包括：E1检测电路(13)，其检测在用于连接多个负载电路和电源VB的共用配线中所引起反电动势E1；以及E2检测电路(12)，其检测在用于连接各个负载电路的负载连接配线的一部分处所引起的反电动势E2。此外，在已由E1检测电路(13)检测到共用配线中所引起的反电动势E1已超过预定的阈值，并且已由E2检测电路(12)检测到在负载连接配线中已经产生具有与E1相同方向的反电动势E2的情况下，相应的负载电路被切断。因此，在已发生短路故障的情况下，相应的负载电路能够被立即切断。此外，其他负载电路能够继续工作。

公开(公告)号：CN101682319A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880014644.9

申请日：2008-05-14

Applicant: 矢崎总业株式会社

Inventor： 大岛俊藏

IPC: H03K17/08 ,  G05F1/10 ,  H03K17/687

CPC classification number: H03K17/0822 ,  H02H3/093 ,  H03K17/284

Abstract: 本发明涉及一种过电流保护装置，当发生层间短路或完全短路时，该过电流保护装置切断负载电路以便保护该电路。该过电流保护装置包括：第一过电流检测部分，其检测在供电线中产生的反电动势；以及第二过电流检测部分，其检测设置在每个负载电路中的负载电流ID变为过电流。此外，该过电流保护装置包括延迟部分，当第二过电流检测部分检测到过电流时，以第一延迟时间输出延迟信号，并且用于当由第一过电流检测部分和第二过电流检测部分二者都检测到过电流时，以比第一延迟时间短的第二延迟时间输出延迟信号。利用该结构，在发生层间短路的情况下，能够以第一延迟时间切断负载电路，并且，在发生完全短路的情况下，能够以第二延迟时间切断负载电路。

公开(公告)号：CN100527621C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200610008683.0

申请日：2006-02-21

Applicant: 矢崎总业株式会社

Inventor： 大岛俊藏

IPC: H03K17/00

CPC classification number: H03K17/0822 ,  H02H1/043 ,  H02H3/006 ,  H02H3/087 ,  H02H3/093

Abstract: 一种过流检测装置，其通过使用半导体开关，检测用于控制负载的导通/断开的负载电路中的过流，该装置包括：驱动电路，其向半导体开关输出驱动信号；基准电压产生电路，其产生基准电压；测量电压产生电路，其产生对应于在半导体开关两端产生的电压的测量电压；第一比较器，其将测量电压与基准电压作比较，当测量电压大于基准电压时，输出过流确定信号；饱和确定电路，其确定在半导体开关的控制电压和施加给半导体开关正极侧的电压之间的差分电压大于预定电压；以及过流信号切换电路，当饱和确定电路确定差分电压大于预定电压时，其执行切换操作以使过流确定信号输出至驱动电路。

公开(公告)号：CN102265501B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN200980152850.0

申请日：2009-12-24

Applicant: 矢崎总业株式会社

Inventor： 大岛俊藏 ,  山内辉树

IPC: H02P7/29

Abstract: 提供一种能够减少由于续流二极管的正向电压引起的能量损失的供电装置。在用于使设置在直流电源(VB)与电机(M1)之间的电子开关(T1)经受PWM控制从而驱动电机(M1)的负载电路中，MOSFET(T2)与电机(M1)并联设置。MOSFET(T2)所包括的寄生二极管(Dp)设置成其正向与负载电流(ID)的流动方向相反。在电子开关(T1)处于断开状态的一部分时段内，MOSFET(T2)接通，从而使流经电机(M1)的回流流经MOSFET(T2)。从而，与使用续流二极管的情况相比，能够显著减少能量损失。

公开(公告)号：CN102017414B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN200980115222.5

申请日：2009-08-26

Applicant: 矢崎总业株式会社

Inventor： 大岛俊藏

IPC: H03K17/08 ,  H03K17/695

CPC classification number: H03K17/0822 ,  H02H3/08 ,  H03K17/082

Abstract: 本发明提供一种在负载电路中已经发生完全短路的情况下立即仅仅切断该负载电路并保护该负载电路的负载电路的保护装置。该保护装置包括：E1检测电路(13)，其检测在用于连接多个负载电路和电源VB的共用配线中所引起反电动势E1；以及E2检测电路(12)，其检测在用于连接各个负载电路的负载连接配线的一部分处所引起的反电动势E2。此外，在已由E1检测电路(13)检测到共用配线中所引起的反电动势E1已超过预定的阈值，并且已由E2检测电路(12)检测到在负载连接配线中已经产生具有与E1相同方向的反电动势E2的情况下，相应的负载电路被切断。因此，在已发生短路故障的情况下，相应的负载电路能够被立即切断。此外，其他负载电路能够继续工作。

公开(公告)号：CN102484470A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201180003624.3

申请日：2011-08-03

Applicant: 矢崎总业株式会社

Inventor： 大岛俊藏 ,  青野宽子

IPC: H03K17/08 ,  H03K17/16

CPC classification number: H03K17/0822 ,  H03K17/163 ,  H03K17/74

Abstract: 本发明公开一种负载控制设备，在该设备中即便设置用于噪声对策的第一电容器(C1)，检测过电流的电路也能够正确地工作。由于第二电容器(C2)设置FET(T1)的门极和漏极之间，当点(P1)的电压(V1)减小时，FET(T1)的一部分门极电流绕过该FET(T 1)并且流向电容器(C2)，并施加在FET(T1)的门极的电荷量减少。因此，能够抑制FET(T1)的漏极电流的增加并且能够防止电压(V1)的突然变化。结果，能够防止电压(V1)减少到使比较器(CMP1)不能工作的程度，并且能够防止比较器(CMP1)不正常工作。

公开(公告)号：CN1713525B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200510078098.3

申请日：2005-06-16

Applicant: 矢崎总业株式会社

Inventor： 大岛俊藏

IPC: H03K17/04 ,  H03K17/08 ,  H03K17/687 ,  H03K17/56

CPC classification number: H03K17/0822

Abstract: 一种控制装置，包括：半导体开关，其配置在DC电源和负载之间，用于控制负载的接通/关断操作；反电动势判断单元，其确定在第一布线线路上产生的反电动势是否大于阈值电压，该第一布线线路将半导体开关连接到DC电源；和控制单元，其控制半导体开关，以便于在反电动势判断单元确定反电动势大于阈值电压时将该半导体开关关断。

公开(公告)号：CN1669118B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN03816465.5

申请日：2003-07-10

Applicant: 矢崎总业株式会社

Inventor： 大岛俊藏

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H02H5/044 ,  H03K17/0822 ,  H03K2017/0806

Abstract: 一种用于半导体器件的保护装置，包括：DC电源；负载；配置于DC电源和负载间的半导体器件，将负载在驱动状态和停止状态之间切换；比较器，对半导体器件两端的电压降和预定参考电压进行比较；切断单元，当电压降大于预定参考电压时，切断DC电源和负载间的半导体器件的导通。电路元件的常数设置使得参考电压不大于临界电压。这个临界电压为半导体器件为容许温度的上限时的设置的导通电阻和由于焦耳热引起自加热导致沟道温度达到容许温度的上限的最小电流值的乘积。

公开(公告)号：CN101682320A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200980000294.5

申请日：2009-03-18

Applicant: 矢崎总业株式会社

Inventor： 大岛俊藏

IPC: H03K17/08 ,  H02M1/00 ,  H03K17/00 ,  H03K17/30 ,  H03K17/687

CPC classification number: H03K17/0822 ,  B60Q11/00 ,  H02H3/087 ,  H03K17/302 ,  H05B39/04

Abstract: 本发明涉及一种电力供给装置，由于在半导体元件(T1)的漏极电压(V1)变为低于比较器(CMP1)的同相输入最小电压之前关断该半导体元件(T1)，所以能够确定地保护负载电路。此外，假设第一判定电压是(L_V1)而第二判定电压是(V3)，当电压(V1)变为“V1＜L_V1”时，执行重试操作。当“V1＜L_V1”的次数达到N1次时，或者当L_V1＜V3＜V1的次数达到N2次时，保持半导体元件(T1)的关断状态以保护负载电路。此外，当电压(V1)由于连接器(11)的不良接触而突然下降时，电压(V1)的最小值不是稳定值，并且不保持半导体元件(T1)的关断状态。

公开(公告)号：CN101652927A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200880011593.4

申请日：2008-04-10

Applicant: 矢崎总业株式会社

Inventor： 大岛俊藏

IPC: H03K17/08 ,  G05F1/10 ,  H03K17/687

CPC classification number: G05F1/573 ,  H02H7/228 ,  H03K17/0822 ,  H03K17/145 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明提供一种通过简单的构造就能够安全地保护负载电路免遭过电流的过电流保护装置。假设当半导体开关导通时的温度增加量是ΔTch，半导体开关的导通电阻值是Ron，而半导体开关的热阻值是Rth_f；当电流流经连接布线(WL)时该连接布线的温度增加量是ΔTw，连接布线的每单位长度的电阻值是Rw，而连接布线的每单位长度的热阻值是Rth_w；基于关于温度增加量ΔTw的表达式ΔTW/ΔTch＝Rth_w/Rth_f*Rw/Ron得到ΔTch，该温度增加量ΔTw不超过连接布线(WL)的容许温度的上限与工作外围温度的上限之间的差。基于关于ΔTch的表达式ΔTch＝Rth_f*Vds 2/ Ron得到电压Vds，并且将该得到的电压Vds设为确定电压。