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公开(公告)号：CN113495179B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202110777515.2
申请日：2018-09-10
Applicant: 亚德诺半导体国际无限责任公司
IPC: G01R1/28 , G01R15/06 , G01R17/00 , G01L9/02 , H03F3/45 , H03K17/0812 , H03K17/30 , H03K17/56 , H03M1/12 , H03M1/46 , H04B1/04 , G01R19/00
Abstract: 本公开涉及用于改善共模抑制比的方法和设备及包括这种设备的系统。共模电压的变化可会对差分采样电路产生不利影响。共模电压的变化可能会改变晶体管开关的导通电阻，而这可意味着对较大的共模信号没有正确地观察到小的信号变化。本公开涉及通过改变对部件的供电或驱动电压来补偿共模电压变化来提高解决小的差分信号变化的能力的方法。
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公开(公告)号：CN117674800B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202311863860.3
申请日：2023-12-29
Applicant: 中山大学
IPC: H03K17/567 , H03K17/30
Abstract: 本申请公开了一种基于开关器件的高频驱动电路及其控制方法，电路包括信号输入模块、缓冲器模块、驱动电流双通道控制模块和延时控制模块；方法包括获取脉冲输入信号与使能信号，输出脉冲控制信号；对脉冲控制信号进行拆分处理，得到第一脉冲控制信号和第二脉冲控制信号；获取第一码值信号和第二码值信号，生成延时控制信号；根据第一脉冲控制信号和第二脉冲控制信号，并通过延时控制信号控制第一脉冲控制信号和第二脉冲控制信号的输出，得到驱动信号。本申请实施例能够通过控制延迟的时间，从而获取最佳的过冲和下冲幅度，并实现开关器件在高频下工作。本申请可以广泛应用于栅极驱动电路技术领域。
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公开(公告)号：CN112039509B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202010920556.8
申请日：2016-08-01
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 本申请题为“毫伏功率采集FET控制器”。在所描述的用于控制具有第一(250)、第二(240)和第三(245)端子的晶体管(230)的电路和方法的示例中，在第一端子(250)处的电压水平部分控制从第二端子(240)流到第三端子(245)的电流。控制器(260)接收存在于晶体管(230)的第二(240)和第三(245)端子两端的电压并且使用所述电压为控制器(260)的组件供电。控制器(260)为晶体管(230)的第一端子(250)提供电压。控制器(260)通过调节被提供给第一端子(250)的电压来调节在晶体管(230)的第二(240)和第三(245)端子两端的电压。
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公开(公告)号：CN116781054A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202211149607.7
申请日：2022-09-21
Applicant: 珠海市杰理科技股份有限公司
IPC: H03K17/30 , H03K17/687
Abstract: 一种电源门控电路、系统、芯片及电子设备，在该电源门控电路中，在接收到上电信号之后，电流源模块先通过充电电流向门控功率P管的栅极充电，以缓慢拉低门控功率P管的栅极电压，使得供电端A的电压逐渐上升；当供电端A的电压上升至供电电压阈值时，输出电压检测模块向反馈模块输出反馈触发信号，以使反馈模块向下拉电路输出下拉触发信号，从而下拉模块将门控功率P管的栅极电压下拉到地，以使门控功率P管完全导通，此时电源门控电路完全开启。由于电压阈值调整子模块在接收到调整信号后，会响应于该调整信号而改变供电电压阈值，从而也就可改变开启时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116365846A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310395141.7
申请日：2023-04-13
Applicant: 瓴芯科技有限公司
Inventor： 倪川
IPC: H02M1/088 , H03K17/30 , H03K17/687 , H02M1/38
Abstract: 本申请涉及一种复合功率晶体管装置，包括第一开关组件，其包括并联的耦合在该装置第一极与第二极之间的第一数量晶体管单元，其中，第一数量晶体管单元的栅极彼此耦合，并且第一数量晶体管单元的栅极耦合到第一栅极驱动电路的输出端；以及第二开关组件，其包括并联的耦合在该装置第一极与第二极之间的第二数量晶体管单元，其中，第二数量晶体管单元的栅极彼此耦合，并且第二数量晶体管单元的栅极耦合到第二栅极驱动电路的输出端，以及其中，在第一栅极驱动电路的输出端与第二栅极驱动电路的输出端设置延时时间。
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公开(公告)号：CN109787613B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201910091816.2
申请日：2019-01-30
Applicant: 上海艾为电子技术股份有限公司
IPC: H03K19/0185 , H03K17/30
Abstract: 一种输出级的驱动电路和电子设备，电路包括：正反馈网络；与正反馈网络相连的第一嵌位电路和第二嵌位电路；与第一嵌位电路相连的第一开关管；与第二嵌位电路相连的第二开关管；与正反馈网络输入端相连的第三开关管和第四开关管；与第三开关管的输出端相连的第三嵌位电路；与第四开关管相连的第四嵌位电路；与第三嵌位电路相连的第五开关管，第五开关管的控制端与第二嵌位电路相连；与第四嵌位电路相连的第六开关管，第六开关管的控制端与第三嵌位电路相连；与正反馈网络的相连的第七开关管；与第七开关管相连的第八开关管；第七开关管的控制端与第四开关管的输出端相连或第八开关管的控制端与第四嵌位电路的输出端相连，降低了芯片成本。
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公开(公告)号：CN116054799A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211695787.9
申请日：2022-12-28
Applicant: 深圳青铜剑技术有限公司
IPC: H03K17/567 , H03K17/30
Abstract: 本申请公开了一种IGBT驱动电路、芯片及电子设备，所述IGBT电路包括若干个并联的门级开通电阻调节模块，用于与IGBT门级连接，根据导通的门级开通电阻调节模块的数量设置IGBT门级开通电阻；若干个并联的门级关断电阻调节模块，用于与IGBT门级连接，根据导通的门级关断电阻调节模块的数量设置IGBT门级关断电阻；控制模块，用于生成第一电阻调节信号或生成第二电阻调节信号输出；第一选通模块，用于根据第一电阻调节信号输出N个第三电阻调节信号以控制N个门级开通电阻调节模块导通；第二选通模块，用于根据第二电阻调节信号输出M个第四电阻调节信号以控制M个门级关断电阻调节模块导通。本申请的IGBT驱动电路能够精确调节IGBT门极电阻，提高IGBT器件的测试效率。
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公开(公告)号：CN115885475A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202180040081.6
申请日：2021-06-02
Applicant: 大陆汽车科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于监测具有MOSFET(7)的理想二极管(6)的方法，每个MOSFET具有漏极电极(11)、源极电极(9)和栅极电极(10)，其中，以使得该理想二极管(6)以源极‑漏极电压的第一目标值(15)能够在截止状态与导通状态之间切换的方式控制该理想二极管(6)的MOSFET(7)的源极‑栅极电压。为了能够检测到所有可能的错误状态，测量源极‑漏极电压和源极‑栅极电压并执行检查以确定在理想二极管(6)的导通状态下源极‑漏极电压是否在预设的误差限制内达到第一目标值(15)，并且执行测试模式，其中，为源极‑漏极电压设置小于第一目标值(15)的第二目标值，并且执行检查以确定在执行测试模式时源极‑栅极电压是否达到上限阈值，并且如果未达到第一目标值(15)和/或上限阈值，则输出错误信号。
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公开(公告)号：CN115706575A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210927356.4
申请日：2022-08-03
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H03K17/30 , H03K17/687 , H03F3/195 , H03F3/213
Abstract: 提供一种电源开关电路及其操作方法。所述电源开关电路可包括：开关电路，包括第一开关和第二开关，所述第一开关被配置为对来自第一电源电路的电压到功率放大器的电源端子的供应进行切换，所述第二开关被配置为对来自第二电源电路的电压到所述功率放大器的所述电源端子的供应进行切换；以及开关控制器，被配置为控制所述开关电路，以在使所述第一开关切换为断开并且使所述第二开关切换为接通的第一时段期间将所述第一开关和所述第二开关设置为接通状态。
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