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公开(公告)号：CN116504479A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310091256.7
申请日：2023-01-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明涉及软磁性粉末、压粉磁芯、磁性元件以及电子设备，提供兼顾低矫顽力和高饱和磁通密度的软磁性粉末、包含该软磁性粉末的压粉磁芯和磁性元件以及可小型化及高输出化的电子设备。一种软磁性粉末，包含具有由FexCuaNbb(Si1‑yBy)100‑x‑a‑b[a、b、x满足0.3≤a≤2.0、2.0≤b≤4.0、75.5≤x≤79.5。y是满足f(x)≤y≤0.99的数，f(x)＝(4×10‑34)x17.56。]所表示的组成的颗粒，颗粒具有粒径为1～30nm的晶粒、Cu偏析部以及晶界，晶粒为30％以上，在将位于表层部且粒径为2～10nm的Cu偏析部设为第一Cu偏析部，将位于内部且粒径为2～7nm的Cu偏析部设为第二Cu偏析部时，它们的个数比率为80％以上，第二Cu偏析部的个数为第一Cu偏析部的2倍以上。
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公开(公告)号：CN119340055A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202410959901.7
申请日：2024-07-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本申请提供软磁性粉末、压粉磁芯、磁性元件及电子设备。所述软磁性粉末的组成由FexCuaNbb(Si1‑y(B1‑zCrz)y)100‑x‑a‑b表示，其中a、b、x、y、z满足0.3≤a≤2.0、2.0≤b≤4.0、75.5≤x≤79.5、0.55≤y≤0.91、0.015≤z≤0.185，并具有非晶质相及结晶相，将由OES求出的Cr含量设为X(Cr)，将由EDX求出的非晶质相的Cr含量及B含量设为Y(Cr)及Y(B)时，满足式(1)及式(2)，X(Cr)＜Y(Cr)≤X(Cr)+1.0 (1)，3.0≤Y(B)≤15.0 (2)。
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公开(公告)号：CN116504480A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310085947.6
申请日：2023-01-18
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01F1/147 , H01F27/255
Abstract: 本发明涉及软磁性粉末、压粉磁芯、磁性元件以及电子设备，提供能够制造高频下实现高磁导率和低铁损的压粉磁芯的软磁性粉末、包含该软磁性粉末的压粉磁芯及磁性元件、以及能够实现小型化及高输出化的电子设备。该软磁性粉末包含具有FexCuaNbb(Si1‑yBy)100‑x‑a‑b[a、b、x满足0.3≤a≤2.0、2.0≤b≤4.0、72.5≤x＜75.5。另外，y是满足f(x)≤y≤0.99的数，且f(x)＝(4×10‑34)x17.56。]的组成的颗粒，颗粒具有粒径为1.0～30.0nm的晶粒、Cu偏析部以及晶界，晶粒的含有比率为30％以上，在将位于表层部且粒径为1.0～5.0nm的Cu偏析部设为第一Cu偏析部、将位于内部且粒径为3.0～10.0nm的Cu偏析部设为第二Cu偏析部时，它们的个数比率为80％以上。
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公开(公告)号：CN116403794A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211731190.5
申请日：2022-12-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本申请涉及软磁性粉末、压粉磁芯、磁性元件以及电子设备，提供兼顾低矫顽力和高饱和磁通密度的软磁性粉末、包含这样的软磁性粉末的压粉磁芯及磁性元件、以及可以实现小型化及高输出化的电子设备。一种软磁性粉末，其特征在于，包含由FexCuaNbb(Si1‑yBy)100‑x‑a‑b[a、b、x分别是单位为原子％的数，满足0.3≤a≤2.0、2.0≤b≤4.0、75.5≤x≤79.5。此外，y是满足f(x)≤y≤0.99的数，f(x)＝(4×10‑34)x17.56。]所表示的组成的颗粒，颗粒具有：晶粒，粒径为1.0nm以上且30.0nm以下，包含Fe‑Si晶体；Cu偏析部，粒径为2.0nm以上且16.0nm以下，Cu偏析；和晶界，与晶粒邻接，Nb浓度及B浓度比晶粒高，Cu偏析部的个数比率为80％以上。
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