-
公开(公告)号:CN1089744A
公开(公告)日:1994-07-20
申请号:CN93117451.1
申请日:1993-07-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G11B11/10
CPC classification number: G11B11/10591 , G11B11/10582 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , Y10S428/90 , Y10T428/26 , Y10T428/265
Abstract: 光磁记录载体,在透明基板(11)上叠层沉积有第1电介质层(12)、记录层(13)、辅助记录层(14)、第2电介质层(15)和反射层(16)。记录层由过渡金属-稀土金属非晶质合金构成,通常具有数百左右的厚度;辅助记录层也是由过渡金属-稀土金属非晶质合金构成,其居里温度Tc2比记录层的居里温度Tc1高10K以上,其层厚度极薄,在70以下。在记录层的居里温度Tc1情况下,辅助记录层的矩形比是0.7以上。
-
公开(公告)号:CN1051629C
公开(公告)日:2000-04-19
申请号:CN93117451.1
申请日:1993-07-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G11B11/10
CPC classification number: G11B11/10591 , G11B11/10582 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , Y10S428/90 , Y10T428/26 , Y10T428/265
Abstract: 一种光磁记录载体,制造方法和制造装置,其特征在于,所述记录载体由过渡金属-稀土金属组成的记录层及叠层在其上的辅助记录层构成。记录层数百A厚,居里温度为Tcl。辅助记录层厚度在70A以下,居里温度为Tc2,矩形比在0.3以上。Tc2-Tc1>10K。制造装置包含第一靶、第二靶,第一靶表面最大磁力线密度低于第二靶表面的最大磁力线密度。按照本发明,解决了已往难以在受调磁场强度低于±100Oe下的磁场调制记录,具有足够高的CN比。
-