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公开(公告)号:CN115620981A
公开(公告)日:2023-01-17
申请号:CN202210820690.X
申请日:2022-07-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 提供软磁性合金薄带和磁芯,能制造激光划刻处理后的磁畴的宽度的分布实现了最佳化的、铁损低的磁芯。软磁性合金薄带是由Fe基软磁性合金构成的薄带,其特征在于,具有:第一激光喷丸痕迹列和第二激光喷丸痕迹列,由在第一方向上形成列的多个激光喷丸痕迹构成,在第二方向上相互相邻排列;以及磁畴,在第三方向上延伸,当将位于离第一激光喷丸痕迹列和第二激光喷丸痕迹列为相互相等的分离距离的直线设为中间线,将位于离第一激光喷丸痕迹列的距离比分离距离短的第一距离的直线设为第一基准线,将与中间线交叉的位置的磁畴的宽度设为D0,将与第一基准线交叉的位置的磁畴的宽度设为D1时,满足D0<D1的关系。
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公开(公告)号:CN107773271A
公开(公告)日:2018-03-09
申请号:CN201710709559.5
申请日:2017-08-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G01N29/2437 , A61B8/4411 , A61B8/4427 , A61B8/4483 , A61B8/4494 , A61B8/54 , B06B1/0688 , G01N29/0681 , G01N29/221 , G01N2291/02466 , G01N2291/0426 , G01N2291/102 , G01N2291/105 , A61B8/00 , A61B8/06 , A61B8/4488 , B06B1/06 , B06B3/00
Abstract: 本发明提供了超声波的发送接收效率高的超声波器件、超声波组件以及超声波测定装置。超声波器件具备:基板,具有第一开口和第二开口;支撑膜,设置在所述基板上,所述支撑膜将所述第一开口和所述第二开口堵塞;发送用压电膜,设置在所述支撑膜上,且当从所述基板的厚度方向观察时,设置于与所述第一开口重叠的位置,在所述基板的厚度方向上被一对电极夹着;以及接收用压电膜,设置在所述支撑膜上,且当从所述基板的厚度方向观察时,设置于与所述第二开口重叠的位置,在与所述基板的厚度方向交叉的交叉方向上被一对电极夹着,相对于所述基板的厚度方向的所述接收用压电膜的膜厚尺寸小于所述发送用压电膜的膜厚尺寸。
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公开(公告)号:CN106175827A
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201610361700.2
申请日:2016-05-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: A61B8/00
CPC classification number: A61B8/4281 , A61B8/4209 , A61B8/4444 , A61B8/4477 , A61B8/4483 , A61B8/461 , B06B1/06 , B06B1/0607 , B06B1/0622 , B06B1/0696 , H01L41/0475
Abstract: 本发明提供压电器件、探测器、电子设备及超声波图像装置,压电器件(47)具备:压电体膜位于该第一面的相反侧的第二面(51b);第一电极(52)和第二电极(53),设置于压电体膜(51)的第二面(52b),配置于彼此分开的位置,且在与压电体膜(51)分开的位置彼此短路;以及第三电极(54),在压电体膜(51)的第二面(51b)设置于在第一电极(52)与第二电极(53)之间,并配置在与第一电极(52)和第二电极(53)分开的位置。第一电极(52)和第二电极(53)的端部(52a)、(53a)的轮廓被限定为至少局部地平行于第三电极(54)的侧部(54b)、(54b)。(51),具有与振动膜(48)接触的第一面(51a)和
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公开(公告)号:CN105455844A
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201510642577.7
申请日:2015-09-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: A61B8/00
Abstract: 本发明披露超声波传感器、探测器、以及电子设备。该超声波传感器具备:振动板;下电极,层叠于振动板,沿着振动板的表面在第一方向上具有长度L,并沿着振动板的表面在与第一方向正交的第二方向上具有长度L以下的宽度Wbe;压电体,层叠于下电极,在第二方向上具有宽度Wpz;以及上电极,层叠于压电体。下电极的宽度Wbe与压电体的宽度Wpz之比Wbe/Wpz为0.1以上0.8以下。
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公开(公告)号:CN104954958A
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201510130669.7
申请日:2015-03-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B06B1/0666 , A61B8/14 , A61B8/4488 , A61B8/4494 , A61B8/462 , B06B1/0629 , B06B1/0662 , B06B1/067
Abstract: 本发明提供一种压电元件、压电器件、探头、电子设备及超声波图像装置,其能够避免压电体产生裂纹,最大限度地发挥压电体的压电效应。超声波换能器元件(57)包括:振膜(58);压电体(63),配置在振膜(58)上;第1电极(61),配置在压电体(63)上;第2电极(62),配置在压电体(63)上并且是与第1电极(61)隔开的位置上;以及槽(64),在从振膜(58)的厚度方向观察的俯视下,位于第1电极(61)和第2电极(62)之间,并将压电体(63)的表面分成两个。
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公开(公告)号:CN102029789B
公开(公告)日:2013-12-25
申请号:CN201010502376.4
申请日:2010-09-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B41J2/045 , H01L41/083
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1626 , B41J2/1631 , B41J2/1646 , B41J2002/14258 , C04B35/491 , H01L41/0477 , H01L41/0831 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/318 , H01L41/319
Abstract: 本发明提供能得到良好移位量的喷液头、喷液装置及压电元件。具有:具有连通于喷嘴孔(28a)的压力室(20a)的基板(20);和压电元件,使压力室内的液体中产生压力变化,具有下部电极(10)、形成于下部电极(10)的上方的包含钙钛矿型氧化物的压电体层(12)和形成于压电体层(12)的上方的上部电极(14)。压电体层(12)具有位于下部电极(10)侧的第一压电体层(12a)和位于第一压电体层(12a)与上部电极(14)之间的第二压电体层(12b),第一压电体层(12a)的极化轴,优先朝向该第一压电体层的膜面内方向,第二压电体层(12b)以准立方晶表示优先按(100)取向。
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公开(公告)号:CN102139564B
公开(公告)日:2013-11-13
申请号:CN201010530972.3
申请日:2010-11-02
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B41J2/045 , B41J2/14 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/183 , B41J2/14233 , B41J2002/14241 , B41J2002/14419 , B41J2202/03 , C04B35/2608 , C04B2235/3227 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/441 , C04B2235/768 , H01L41/1878 , H01L41/318
Abstract: 本发明提供具有环境负担小、变形量大的压电元件的液体喷射头、液体喷射装置、压电元件以及压电材料。液体喷射头具备:压力产生室,其与喷嘴开口连通;压电元件,其具备第1电极、在前述第1电极上形成的压电体层和在前述压电体层上形成的第2电极;其中,前述压电体层包含钙钛矿型复合氧化物并呈现电场感应相变,该钙钛矿型复合氧化物包含Bi、Ia、Fe以及Mn。
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公开(公告)号:CN102555479A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201110439225.3
申请日:2011-12-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B41J2/045
CPC classification number: H01L41/318 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , B41J2002/14241 , B41J2002/14419 , B41J2202/03 , H01L41/0805 , H01L41/1878
Abstract: 本发明提供降低环境负荷且具有高绝缘性而抑制漏电流的液体喷射头和液体喷射装置以及压电元件。该液体喷射头具备:与喷嘴开口连通的压力发生室,和压电元件,所述压电元件具有压电体层和设置于该压电体层的电极,并且,所述压电体层由含有铋和铁的具有钙钛矿型结构的复合氧化物形成,在氧位含有氮。
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公开(公告)号:CN102029789A
公开(公告)日:2011-04-27
申请号:CN201010502376.4
申请日:2010-09-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B41J2/045 , H01L41/083
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1626 , B41J2/1631 , B41J2/1646 , B41J2002/14258 , C04B35/491 , H01L41/0477 , H01L41/0831 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/318 , H01L41/319
Abstract: 本发明提供能得到良好移位量的喷液头、喷液装置和压电元件。具有:具有连通于喷嘴孔(28a)的压力室(20a)的基板(20);和压电元件,使压力室内的液体中产生压力变化,具有下部电极(10)、形成于下部电极(10)的上方的包含钙钛矿型氧化物的压电体层(12)和形成于压电体层(12)的上方的上部电极(14)。压电体层(12)具有位于下部电极(10)侧的第一压电体层(12a)和位于第一压电体层(12a)与上部电极(14)之间的第二压电体层(12b),第一压电体层(12a)的极化轴,优先朝向该第一压电体层的膜面内方向,第二压电体层(12b)以准立方晶表示优先按(100)取向。
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公开(公告)号:CN1487564A
公开(公告)日:2004-04-07
申请号:CN03156519.0
申请日:2003-09-03
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/08
CPC classification number: H01L21/31691 , H01L21/32058 , H01L28/55 , H01L28/60 , H01L41/316 , H01L41/332
Abstract: 本发明提供了一种电子装置用衬底,其中在衬底上形成重新构成表面或氢封端表面的处理不再是必要的,并且在衬底上形成的缓冲层是沿(100)取向外延生长的,以及一种该衬底的制造方法。电子装置用衬底100包括:由硅构成的衬底11,和在衬底11形成薄膜表面上层压外延生成的具有萤石结构的第一缓冲层12和第二缓冲层13,具有分层的钙钛矿结构的第一氧化物电极层14,具有简单钙钛矿结构的第二氧化物电极层15。通过在SiO升华区在自然氧化物薄膜上照射金属等离子体,使得第一缓冲层12的外延生长速率高于SiO2的生成速率。
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