公开(公告)号：CN1145145C

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN00119337.6

申请日：2000-06-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 井上喜彦 ,  本多顺一 ,  德竹房重 ,  铃木笃

IPC: G11B5/31 ,  H01F1/14

CPC classification number: H01F10/131 ,  G11B5/1274 ,  G11B5/1878

Abstract: 一种在高饱和磁通密度、软磁特性和耐蚀性方面优良的软磁薄膜。该软磁薄膜用一种由组分分子式FeaSibTacRudGaeNf(其中a、b、c、d、e及f的每一个是一个指示相应元素的at%的值)表示的材料制成，其中组分范围如下：62 at%＜a＜75 at%，7 at%＜b＜18 at%，3at%＜c＜10 at%，0 at%≤d＜10 at%，0 at%≤e＜6 at%，5 at%＜f＜12at%，及b+c＞13 at%，其中at%表示原子百分数。

公开(公告)号：CN1279463A

公开(公告)日：2001-01-10

申请号：CN00119337.6

申请日：2000-06-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 井上喜彦 ,  本多顺一 ,  德竹房重 ,  铃木笃

IPC: G11B5/31 ,  H01F1/14

CPC classification number: H01F10/131 ,  G11B5/1274 ,  G11B5/1878

Abstract: 一种在高饱和磁通密度、软磁特性和耐蚀性方面优良的软磁薄膜。该软磁薄膜用一种由组分分子式FeaSibTacRudGaeNf(其中a、b、c、d、e及f的每一个是一个指示相应元素的at%的值)表示的材料制成,其中组分范围如下:62at% 13 at%,其中at%表示原子百分数。

公开(公告)号：CN1166020A

公开(公告)日：1997-11-26

申请号：CN97109730.5

申请日：1997-04-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 井上喜彦 ,  本多顺一 ,  德竹房重

IPC: G11B5/187

CPC classification number: G11B5/1878 ,  G11B5/1276 ,  G11B5/147 ,  G11B5/3113

Abstract: 本发明为一种具有金属磁膜的磁头，该磁膜是首先利用层叠Fe-M-N磁性薄膜层和贵金属层如Pt层以形成多层膜然后借助绝缘膜层叠上述多层膜形成的，以便改进重放输出使得该磁头适于利用具有大矫磁力的磁记录介质如金属带进行记录和重放。在一对半磁心的磁隙成型面上形成一个多层结构，该结构是利用首先层叠磁性薄膜层和由Pt，Au，Ag和Pd中至少一种物质制成的层形成多层膜，然后借助至少两个SiO2，ZrO2，Al2O3和Cr中任一物质构成的层层叠上述多层膜形成的。