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公开(公告)号:CN1831478B
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN200610074737.3
申请日:2006-02-28
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G01C19/5663
CPC classification number: B81B3/0067 , B81B2201/0285 , B81B2203/0118 , G01C19/5663 , G01P15/0802
Abstract: 本发明公开了一种振动陀螺传感器包括:支撑衬底,在该支撑衬底上形成具有多个焊接区的布线图案;以及安装在该支撑衬底的表面上的振动元件。该振动元件包括:具有安装表面的基底部分,在该安装表面上形成多个终端;以及振动器部件,在振动器部件以悬臂的方式从该基底部分的一侧整体地突出,并且具有与该基底部分的安装表面共面的面向衬底的表面。该振动器部件具有按顺序在该面向衬底的表面上形成的第一电极层、压电层和第二电极层。而且,在该振动器部件的基底端形成加强件,以便该振动器部件的截面面积向着基底部分逐渐增加。
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公开(公告)号:CN1166015C
公开(公告)日:2004-09-08
申请号:CN99801198.3
申请日:1999-06-22
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , G11C11/16 , H01F10/3254 , H01L43/08
Abstract: 一种磁隧道器件,其中第一磁性层和第二磁性层通过隧道阻挡层层叠起来,且具有这样的区域,即所施加的使上述第二磁性层的电位低于第一磁性层的电压发生变化时磁电阻比的变化,比所施加的使第二磁性层的电位高于第一磁性层的电压发生变化时磁电阻比的变化小。通过施加使第二磁性电位低于第一磁性层的电压,可使该磁隧道器件的磁电阻比随电压的变化小,隧道电流稳定地流动。
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公开(公告)号:CN102620727A
公开(公告)日:2012-08-01
申请号:CN201210111827.0
申请日:2006-03-06
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G01C19/5663
CPC classification number: G01C19/5663 , G01C19/5783
Abstract: 本发明公开了一种振动陀螺传感器。所述振动陀螺传感器包括支撑衬底,在该支撑衬底上形成具有多个焊接区的布线图案,以及安装在该支撑衬底的表面上的振动元件,其中至少两个振动元件被安装在该支撑衬底上,用于检测不同轴方向上的振动。
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公开(公告)号:CN101173957B
公开(公告)日:2011-12-21
申请号:CN200710164369.6
申请日:2007-10-30
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供了一种可抑制向支撑臂部的基部的振动泄漏,并可较强抵抗噪声的三音叉型的角速度传感器及电子机器。在本发明的角速度传感器中,在三个臂部(12A~12C)中,两个外侧臂部(12A、12B)以同相进行激励,中央臂部(12C)通过外侧臂部振动的反作用以和外侧臂部反相进行激励。而且,将各臂部沿与压电功能层(15A~15C)的形成面垂直的方向进行激励,并基于与臂部的上述压电功能层的形成面相平行的方向的振动来检测角速度。由此,在臂部间所产生的转距相互抵消,并可降低向基部传递的振动。而且,通过沿与压电功能层的形成面垂直方向对臂部进行激励,可以维持稳定的激励状态,并可构成对干扰有较强抵制的角速度传感器。
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公开(公告)号:CN1969168B
公开(公告)日:2010-06-16
申请号:CN200680000321.5
申请日:2006-02-23
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G01C19/5663 , G01C19/5656
Abstract: 一种振动型陀螺传感器,其中,通过简单的构造获得了尺寸降低和高Q值。所述振动型陀螺传感器(1)包括支撑衬底(2)和安装在所述支撑衬底的表面(2-1)上的振动元件(20),在所述支撑衬底上安装了电路元件,并且形成了具有多个连接盘(4)的线路图案。振动元件(20)包括基座部分(22)和振动器部分(23),所述基座部分具有其上形成了多个与所述连接盘连接的端子(25)的安装表面(22-2),所述振动器部分具有与所述衬底相对的表面,第一电极层(27)在其上从所述基座部分(22)的侧缘以悬臂方式与之成一体突出,所述振动器部分还具有与所述基座部分(22)的安装表面平齐的表面,在所述第一电极层上形成压电层(28),并形成第二电极层(29、30)。通过金属突起(26)将每一端子(25)接合至连接盘(4),由此将振动元件(20)安装到支撑衬底(2)上。
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公开(公告)号:CN1145145C
公开(公告)日:2004-04-07
申请号:CN00119337.6
申请日:2000-06-28
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01F10/131 , G11B5/1274 , G11B5/1878
Abstract: 一种在高饱和磁通密度、软磁特性和耐蚀性方面优良的软磁薄膜。该软磁薄膜用一种由组分分子式FeaSibTacRudGaeNf(其中a、b、c、d、e及f的每一个是一个指示相应元素的at%的值)表示的材料制成,其中组分范围如下:62 at%<a<75 at%,7 at%<b<18 at%,3at%<c<10 at%,0 at%≤d<10 at%,0 at%≤e<6 at%,5 at%<f<12at%,及b+c>13 at%,其中at%表示原子百分数。
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公开(公告)号:CN101620236A
公开(公告)日:2010-01-06
申请号:CN200910151588.X
申请日:2009-07-03
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G01P9/04 , H01L41/113 , H01L41/22
CPC classification number: G01C19/5628 , G01C19/5621
Abstract: 本发明公开了角速度传感器及其制造方法。该角速度传感器包括第一层、压电层和第二层。第一层具有第一主面和第二主面,并包括振动部和支持振动部的基底部。压电层形成在第一层的第一主面上。第二层在与第一层的第二主面侧上整体接合至基底部。通过本发明,可以提供灵敏度特性优异并实现生产力提高的角速度传感器及其制造方法。
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公开(公告)号:CN101173957A
公开(公告)日:2008-05-07
申请号:CN200710164369.6
申请日:2007-10-30
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供了一种可抑制向支撑臂部的基部的振动泄漏,并可较强抵抗噪声的三音叉型的角速度传感器及电子机器。在本发明的角速度传感器中,在三个臂部(12A~12C)中,两个外侧臂部(12A、12B)以同相进行激励,中央臂部(12C)通过外侧臂部振动的反作用以和外侧臂部反相进行激励。而且,将各臂部沿与压电功能层(15A~15C)的形成面垂直的方向进行激励,并基于与臂部的上述压电功能层的形成面相平行的方向的振动来检测角速度。由此,在臂部间所产生的转距相互抵消,并可降低向基部传递的振动。而且,通过沿与压电功能层的形成面垂直方向对臂部进行激励,可以维持稳定的激励状态,并可构成对干扰有较强抵制的角速度传感器。
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公开(公告)号:CN1831478A
公开(公告)日:2006-09-13
申请号:CN200610074737.3
申请日:2006-02-28
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G01C19/56
CPC classification number: B81B3/0067 , B81B2201/0285 , B81B2203/0118 , G01C19/5663 , G01P15/0802
Abstract: 本发明公开了一种振动陀螺传感器包括:支撑衬底,在该支撑衬底上形成具有多个焊接区的布线图案;以及安装在该支撑衬底的表面上的振动元件。该振动元件包括:具有安装表面的基底部分,在该安装表面上形成多个终端;以及振动器部件,在振动器部件以悬臂的方式从该基底部分的一侧整体地突出,并且具有与该基底部分的安装表面共面的面向衬底的表面。该振动器部件具有按顺序在该面向衬底的表面上形成的第一电极层、压电层和第二电极层。而且,在该振动器部件的基底端形成加强件,以便该振动器部件的截面面积向着基底部分逐渐增加。
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公开(公告)号:CN1274475A
公开(公告)日:2000-11-22
申请号:CN99801198.3
申请日:1999-06-22
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , G11C11/16 , H01F10/3254 , H01L43/08
Abstract: 一种磁隧道器件,其中第一磁性层和第二磁性层通过隧道阻挡层层叠起来,且具有这样的区域,即所施加的使上述第二磁性层的电位低于第一磁性层的电压发生变化时磁电阻比的变化,比所施加的使第二磁性层的电位高于第一磁性层的电压发生变化时磁电阻比的变化小。通过施加使第二磁性电位低于第一磁性层的电压,可使该磁隧道器件的磁电阻比随电压的变化小,隧道电流稳定地流动。
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