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发明公开
表面处理方法及设备无效

公开(公告)号：CN1275790A

公开(公告)日：2000-12-06

申请号：CN99117781.9

申请日：1999-08-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 外崎峰广 , 小林正人 , 植田充纪 , 冲田裕之

IPC: H01J37/317 , G11B7/24 , G11B7/26

CPC classification number: H01J37/32706 , C23C14/48 , H01J37/32412

Abstract: 本发明涉及一种通过产生包含注入到要处理的工件中的所需离子的等离子体来进行表面处理的方法,即使要处理的物体是绝缘体也能实施该表面处理方法。还涉及通过向绝缘体注入离子来改善绝缘体表面的表面处理设备,其中包括产生包含注入离子的等离子体的等离子体发生装置,和向绝缘体施加脉冲型电压的电压施加装置。其中,电压施加装置施加包括正脉冲型电压和负脉冲型电压的脉冲型电压。

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