公开(公告)号：CN101237532B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200810000267.5

申请日：2008-01-30

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 泷口亮 ,  沼口将吾 ,  田中弘明 ,  广田功

IPC: H04N5/335 ,  H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14818 ,  H01L27/14837 ,  H04N5/335 ,  H04N5/372

Abstract: 本发明提供了固态成像器件和固态成像装置。该成像器件包括成像部分、水平转移部分、输出部件、第一基准电势施加装置和第二基准电势施加装置，所述成像部件包括光接收部分和垂直转移寄存器，所述输出部件用于输出从电荷转换而成的电信号，所述电荷是从水平转移部分转移而来的。成像部分、水平转移部分和输出部件被形成在具有第二导电类型半导体区域的第一导电类型半导体基片中，基准电势被施加到第二导电类型半导体区域。第一基准电势施加装置向与形成输出部件的区域相对应的第二导电类型半导体区域施加基准电势。第二基准电势施加装置向与形成成像部分的区域相对应的第二导电类型半导体区域施加基准电势。

公开(公告)号：CN101237532A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810000267.5

申请日：2008-01-30

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 泷口亮 ,  沼口将吾 ,  田中弘明 ,  广田功

IPC: H04N5/335 ,  H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14818 ,  H01L27/14837 ,  H04N5/335 ,  H04N5/372

Abstract: 本发明提供了固态成像器件和固态成像装置。该成像器件包括成像部分、水平转移部分、输出部件、第一基准电势施加装置和第二基准电势施加装置，所述成像部件包括光接收部分和垂直转移寄存器，所述输出部件用于输出从电荷转换而成的电信号，所述电荷是从水平转移部分转移而来的。成像部分、水平转移部分和输出部件被形成在具有第二导电类型半导体区域的第一导电类型半导体基片中，基准电势被施加到第二导电类型半导体区域。第一基准电势施加装置向与形成输出部件的区域相对应的第二导电类型半导体区域施加基准电势。第二基准电势施加装置向与形成成像部分的区域相对应的第二导电类型半导体区域施加基准电势。