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公开(公告)号：CN101885482A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200910142954.5
申请日：2009-05-15
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管膜及其制造方法以及电子装置及其制造方法，能够在稳定的条件下简便且有效率地除去残留在单壁碳纳米管膜等碳纳米管膜中的有机物、并且能够容易地且高生产效率地制造低方块电阻或低方块电阻且高透光率的碳纳米管膜。在基板(11)上通过过滤法形成了单壁碳纳米管膜(12)后，通过光催化处理或利用了芬顿反应的处理来除去残留在碳纳米管膜中的有机物(13)。在光催化处理中，通过将粉末状的光催化剂(14)堆积在单壁碳纳米管膜上，并对光催化剂照射紫外光，从而分解有机物。在利用了芬顿反应的处理中，通过将碳纳米管膜浸渍在含有Fe2+等的溶液中，并向所述溶液中添加过氧化氢，从而开始芬顿反应分解所述有机物。
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公开(公告)号：CN101259959A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200710080027.6
申请日：2007-03-05
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供一种单层碳纳米管的制造方法，其可以将集束化的单层碳纳米管良好地分散成单个的单层碳纳米管，而不会牺牲单层碳纳米管固有的化学性质和刚合成后的长的长度，以及提供一种利用该制造方法的单层碳纳米管应用装置的制造方法。将FePt纳米颗粒或CeO2纳米颗粒分散在氢氧化四甲铵水溶液等水溶液中。在该水溶液中添加利用各种方法合成的单层碳纳米管。超声波处理该水溶液得到悬浮液。通过例如磁搅拌该悬浮液，得到被单个分离的单层碳纳米管。
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公开(公告)号：CN102001620A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910171619.8
申请日：2009-08-31
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管制造方法、碳纳米管膜制造方法以及电子设备制造方法，可以在稳定的条件下容易地修复产生在酸化的碳纳米管的侧壁上的缺陷、可以制造特性良好的碳纳米管。该方法，在利用在硝酸中回流来酸化碳纳米管之后，使用尿酸溶液或者氨水处理该碳纳米管。处理温度例如是25℃～90℃，处理时间是2天以上。在使用尿酸溶液或者氨水处理之前，优选使用氯化亚硫酰溶液等处理碳纳米管。
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公开(公告)号：CN101259959B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200710080027.6
申请日：2007-03-05
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供一种单层碳纳米管的制造方法，其可以将集束化的单层碳纳米管良好地分散成单个的单层碳纳米管，而不会牺牲单层碳纳米管固有的化学性质和刚合成后的长的长度，以及提供一种利用该制造方法的单层碳纳米管应用装置的制造方法。将FePt纳米颗粒或CeO2纳米颗粒分散在氢氧化四甲铵水溶液等水溶液中。在该水溶液中添加利用各种方法合成的单层碳纳米管。超声波处理该水溶液得到悬浮液。通过例如磁搅拌该悬浮液，得到被单个分离的单层碳纳米管。
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