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公开(公告)号：CN101164872B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200610140271.2
申请日：2006-10-20
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供能够安全、高收率地制造具有相同长度的高纯度单层碳纳米管，且可控制长度的单层碳纳米管的制造方法。通过用硝酸等酸处理利用各种方法合成的包含单层碳纳米管的炭系材料，除去金属杂质，并且在单层碳纳米管的管壁上生成缺陷。接着，通过使用硝酸、过氧化氢、过硫酸盐化合物等氧化剂处理该炭系材料，切断单层碳纳米管。然后，利用氨气等还原性气体处理该炭系材料，从而除去碳杂质，并使单层碳纳米管的缺陷恢复。
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公开(公告)号：CN101746745A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810178857.7
申请日：2008-12-04
Applicant: 索尼株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , C01B32/17 , C01B32/174 , C01B2202/02 , C01B2202/28
Abstract: 本申请公开了碳纳米管的制备方法以及纯化方法。本申请还涉及由本申请的方法获得的碳纳米管以及使用这些碳纳米管的元件。该制备碳纳米管的方法，包括(a)在催化剂和任选的助催化剂存在下通过电弧放电法生产碳纳米管，(b)使用能够与催化剂和/或任选的助催化剂中存在的金属元素形成络合物的物质与催化剂和/或任选的助催化剂中存在的金属元素络合，得到络合物，和(c)除去所述络合物。
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公开(公告)号：CN101618855A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910150450.8
申请日：2004-01-08
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明公开了制造管状碳分子的方法和制造记录设备的方法。该制造管状碳分子的方法能够以更精细的间隔和规则排列碳纳米管。通过基于调制热分布(11)的熔化将催化剂排列在由半导体如硅(Si)组成的基材(10)上，所述基材包含作为催化剂的铁。所述热分布(11)是通过用例如衍射光栅(12)使能量束(12)衍射形成的。分布催化剂的方法包括例如将铁以平面或凸起的形式沉积对应于所述热分布(11)的位置中，或者还包括使用其原始形式来将其转印到另一种基材上。使用所述分布催化剂生长碳纳米管。所述生长纳米管可用于记录设备、场致电子发射元件或FED。
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公开(公告)号：CN101462713A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200710159924.6
申请日：2007-12-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , C01B2202/02 , C01B2202/06 , C01B2202/28 , H01M4/9083 , Y10S977/845
Abstract: 本发明披露一种处理碳纳米管的方法，包括如下的步骤：将碳纳米管分散在分散介质中，制备分散体；将所述分散体与吸附剂混合，以使所述分散体中特定类型或特性的碳纳米管吸附在所述吸附剂上，其中所述吸附剂经化学/生物改性剂改性而对不同类型或特性的碳纳米管具有不同的选择吸附性；以及将吸附剂与分散体分离，由此使得吸附在所述吸附剂上的特定类型或特性的碳纳米管与富集在分散体中其它类型或特性的碳纳米管分离。本发明还披露了经该方法处理的碳纳米管以及碳纳米管器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101007631A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200610002907.7
申请日：2006-01-27
Applicant: 索尼株式会社
IPC: C01B31/02
Abstract: 提供一种单层碳纳米管的制备方法，该方法是一种可以很容易地制备出结构可控的高品质单层碳纳米管，并且可以制备直径极其小的单层碳纳米管、且直径分布范围可控的单层碳纳米管的方法。使用通过气化乙醇等的醇或醇的水溶液而得到的气体作为反应气体，利用化学气相沉积法，在常压下使单层碳纳米管生长。通过将在化学气相沉积装置的反应部位的外部利用自然蒸发等来气化醇或醇的水溶液而得到的气体导入该反应部位来进行反应。醇的水溶液中醇浓度范围为50％～95％。还提供一种通过该方法制备的单层碳纳米管以及利用该单层碳纳米管制备电子元件的方法。
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公开(公告)号：CN101164872A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200610140271.2
申请日：2006-10-20
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供能够安全、高收率地制造具有相同长度的高纯度单层碳纳米管，且可控制长度的单层碳纳米管的制造方法。通过用硝酸等酸处理利用各种方法合成的包含单层碳纳米管的炭系材料，除去金属杂质，并且在单层碳纳米管的管壁上生成缺陷。接着，通过使用硝酸、过氧化氢、过硫酸盐化合物等氧化剂处理该炭系材料，切断单层碳纳米管。然后，利用氨气等还原性气体处理该炭系材料，从而除去碳杂质，并使单层碳纳米管的缺陷恢复。
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公开(公告)号：CN1723171A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200480001829.8
申请日：2004-01-08
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 一种制造管状碳分子的方法，它能够以更精细的间隔和规则排列碳纳米管。通过基于调制热分布(11)的熔化将催化剂排列在由半导体如硅(Si)组成的基材(10)上，所述基材包含作为催化剂的铁。所述热分布(11)是通过用例如衍射光栅(12)使能量束(12)衍射形成的。分布催化剂的方法包括例如将铁以平面或凸起的形式沉积对应于所述热分布(11)的位置中，或者还包括使用其原始形式来将其转印到另一种基材上。使用所述分布催化剂生长碳纳米管。所述生长纳米管可用于记录设备、场致电子发射元件或FED。
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公开(公告)号：CN101041427B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200610065567.2
申请日：2006-03-22
Applicant: 索尼株式会社
IPC: C01B31/02
Abstract: 本发明提供一种碳材料的制造方法，该方法可以选择性地除去作为杂质被包含在碳纳米管等碳材料中的无定形碳、金属微粒等而不带给该碳材料损害地进行提纯。通过将碳纳米管等的碳材料，保持在包含水蒸气和/或氯化氢的气氛中，而进行提纯。包含水蒸气和/或氯化氢的气氛加热到例如250℃～650℃的温度、或照射紫外线等的电磁波，压力为例如0.1大气压～10大气压。保持时间为例如10分钟～10个小时。还可以在CVD装置的反应室中使碳材料生长，接着在这个反应室中进行碳材料的提纯。
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公开(公告)号：CN102001620A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910171619.8
申请日：2009-08-31
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管制造方法、碳纳米管膜制造方法以及电子设备制造方法，可以在稳定的条件下容易地修复产生在酸化的碳纳米管的侧壁上的缺陷、可以制造特性良好的碳纳米管。该方法，在利用在硝酸中回流来酸化碳纳米管之后，使用尿酸溶液或者氨水处理该碳纳米管。处理温度例如是25℃～90℃，处理时间是2天以上。在使用尿酸溶液或者氨水处理之前，优选使用氯化亚硫酰溶液等处理碳纳米管。
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