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公开(公告)号：CN114655947A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210356241.4
申请日：2022-04-06
Applicant: 苏州大学
IPC: C01B32/186 , B01J23/28
Abstract: 本发明提供了一种绝缘衬底上Mo催化生长石墨烯的方法。该生长方法是将Mo金属溅射在绝缘衬底上；将溅射有Mo金属的绝缘衬底依次进行氧化处理、碳化处理，CVD生长石墨烯，然后去除Mo金属层，完成绝缘衬底上Mo催化生长石墨烯。该方法对溅射的Mo金属进行先氧化后碳化的预处理，在生长结束后，Mo金属层很容易被高速气流吹掉，直接在绝缘衬底表面获得石墨烯。
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