一种绝缘衬底上Mo催化生长石墨烯的方法

    公开(公告)号:CN114655947A

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202210356241.4

    申请日:2022-04-06

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明提供了一种绝缘衬底上Mo催化生长石墨烯的方法。该生长方法是将Mo金属溅射在绝缘衬底上;将溅射有Mo金属的绝缘衬底依次进行氧化处理、碳化处理,CVD生长石墨烯,然后去除Mo金属层,完成绝缘衬底上Mo催化生长石墨烯。该方法对溅射的Mo金属进行先氧化后碳化的预处理,在生长结束后,Mo金属层很容易被高速气流吹掉,直接在绝缘衬底表面获得石墨烯。

    一种以吩嗪三聚体为基础的聚合物及其制备方法和电池应用

    公开(公告)号:CN112300371B

    公开(公告)日:2022-03-08

    申请号:CN202011173637.2

    申请日:2020-10-28

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种以吩嗪三聚体为基础的聚合物及其制备方法和电池应用,包括:以吩嗪三聚体(TPZB)为基础的小分子或吩嗪三聚体单体,本发明旨在基于p共轭的氮杂环芳香聚合物作为有机储能电池电极活性材料的思路,利用氮杂环共轭离域效应稳定电极活性材料的分子及中间态,以及以较柔性的基团为连接桥键进行聚合,进一步降低溶解度,而且避免完全刚性的聚合物链形成较强的π‑π堆积,有利于聚合物形成离子通道,从而提高电池的倍率性能,还通过有机分子成盐的方式降低有机小分子在电解液中的溶解度,并引入稳定性高的吩嗪基体提高有机分子的稳定性,提高电池稳定性。

    一种以吩嗪三聚体为基础的聚合物及其制备方法和电池应用

    公开(公告)号:CN112300371A

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN202011173637.2

    申请日:2020-10-28

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种以吩嗪三聚体为基础的聚合物及其制备方法和电池应用,包括:以吩嗪三聚体(TPZB)为基础的小分子或吩嗪三聚体单体,本发明旨在基于p共轭的氮杂环芳香聚合物作为有机储能电池电极活性材料的思路,利用氮杂环共轭离域效应稳定电极活性材料的分子及中间态,以及以较柔性的基团为连接桥键进行聚合,进一步降低溶解度,而且避免完全刚性的聚合物链形成较强的π‑π堆积,有利于聚合物形成离子通道,从而提高电池的倍率性能,还通过有机分子成盐的方式降低有机小分子在电解液中的溶解度,并引入稳定性高的吩嗪基体提高有机分子的稳定性,提高电池稳定性。

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