无胶转移制备单层过渡金属硫族化合物纵向异质结的方法

    公开(公告)号:CN110241400A

    公开(公告)日:2019-09-17

    申请号:CN201910523538.3

    申请日:2019-06-17

    Inventor: 潘毅 张林 闵泰

    Abstract: 本发明公开了一种无胶转移制备单层过渡金属硫族化合物纵向异质结的方法,该方法首先将熔盐与过渡金属氧化物粉末混合作为蒸发源,通过熔盐辅助化学气相沉积法生长制备过渡金属硫族化合物。然后通过使用去离子水,使去离子水与过渡金属硫族化合物接触,过渡金属硫族化合物会随水漂浮,通过水的流动,将过渡金属硫族化合物转移至任意目标衬底,通过多次转移过渡金属硫族化合物制备纵向异质结以及多层堆叠的纵向异质结。本发明不使用任何有机胶作为中间辅助层,可解决残胶的问题,也不使用任何腐蚀性溶液,可防止腐蚀性溶液对过渡金属硫族化合物的破坏和掺杂,为过渡金属硫族化合物转移及其纵向异质结的制备提供新的方法,对于促进过渡金属硫族化合物及其纵向异质结的研究与应用具有重要的意义。

    基于人工反铁磁自由层的隧道结器件及磁性随机存储装置

    公开(公告)号:CN109037434A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201810738861.8

    申请日:2018-07-06

    Abstract: 本发明公开了一种基于人工反铁磁自由层的隧道结器件及磁性随机存储装置,装置涉及到一种可以作为自由磁性层的多层膜结构,即人工反铁磁装置。人工反铁磁装置作为自由磁性层可以通过电场调控,实现反铁磁态到铁磁态的转变,该人工反铁磁装置可以作为磁性隧道结的自由磁性层,其靠近磁性隧道结势垒层的铁磁层在电场与电流的共同作用下进行翻转,从而实现数据的写入。所述基于人工反铁磁自由层的磁性隧道结构成磁性随机存储装置,通过电场和电流的共同作用达到写入数据的目的,结构简单,具有功耗低、速度快、抗辐射、非易失性的优点。

    无胶转移制备单层过渡金属硫族化合物纵向异质结的方法

    公开(公告)号:CN110241400B

    公开(公告)日:2020-08-28

    申请号:CN201910523538.3

    申请日:2019-06-17

    Inventor: 潘毅 张林 闵泰

    Abstract: 本发明公开了一种无胶转移制备单层过渡金属硫族化合物纵向异质结的方法,该方法首先将熔盐与过渡金属氧化物粉末混合作为蒸发源,通过熔盐辅助化学气相沉积法生长制备过渡金属硫族化合物。然后通过使用去离子水,使去离子水与过渡金属硫族化合物接触,过渡金属硫族化合物会随水漂浮,通过水的流动,将过渡金属硫族化合物转移至任意目标衬底,通过多次转移过渡金属硫族化合物制备纵向异质结以及多层堆叠的纵向异质结。本发明不使用任何有机胶作为中间辅助层,可解决残胶的问题,也不使用任何腐蚀性溶液,可防止腐蚀性溶液对过渡金属硫族化合物的破坏和掺杂,为过渡金属硫族化合物转移及其纵向异质结的制备提供新的方法,对于促进过渡金属硫族化合物及其纵向异质结的研究与应用具有重要的意义。

    一种磁性隧道结器件及其磁性随机存储装置

    公开(公告)号:CN108987031B

    公开(公告)日:2019-10-18

    申请号:CN201810738206.2

    申请日:2018-07-06

    Abstract: 本发明公开了一种磁性隧道结器件及其磁性随机存储装置,装置涉及到一种可以辅助自由磁性层翻转的人工反铁磁装置及一种固定磁性层,人工反铁磁装置可以通过电场调控,实现反铁磁态到铁磁态的转变,与固定磁性层共同作用,辅助自由磁性层的翻转。磁性随机存储装置包括一种磁性隧道结,当电流穿过磁性隧道结,在电场辅助作用下,自由磁性层实现翻转。自由磁性层翻转后,去掉电场,合成多层膜结构由铁磁态退回到反铁磁态,而自由磁性层保持翻转后的状态,从而实现数据的写入。合成多层膜结构与磁性隧道结共同构成磁性随机存储装置,通过电场和电流的共同作用达到写入数据的目的,具有速度快、功耗低、非易失性的优点。

    一种磁性隧道结器件及其磁性随机存储装置

    公开(公告)号:CN108987031A

    公开(公告)日:2018-12-11

    申请号:CN201810738206.2

    申请日:2018-07-06

    Abstract: 本发明公开了一种磁性隧道结器件及其磁性随机存储装置,装置涉及到一种可以辅助自由磁性层翻转的人工反铁磁装置及一种固定磁性层,人工反铁磁装置可以通过电场调控,实现反铁磁态到铁磁态的转变,与固定磁性层共同作用,辅助自由磁性层的翻转。磁性随机存储装置包括一种磁性隧道结,当电流穿过磁性隧道结,在电场辅助作用下,自由磁性层实现翻转。自由磁性层翻转后,去掉电场,合成多层膜结构由铁磁态退回到反铁磁态,而自由磁性层保持翻转后的状态,从而实现数据的写入。合成多层膜结构与磁性隧道结共同构成磁性随机存储装置,通过电场和电流的共同作用达到写入数据的目的,具有速度快、功耗低、非易失性的优点。

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