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公开(公告)号：CN119403432A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411394178.9
申请日：2024-10-08
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 公开了一种自旋轨道矩磁性隧道结和多数门自旋逻辑器件及其级联，磁性隧道结中，包括从上至下依次层叠的电极层、人工反铁磁参考层、绝缘隧穿层、磁化自由层、反常自旋轨道矩层，其中，所述人工反铁磁参考层包括从上至下依次层叠第一铁磁层、非磁间隔层和第二铁磁层，所述第一铁磁层具有方向固定的垂直磁化；与所述第一铁磁层接触的电极层具有面内极化以调节第二铁磁层的磁化方向，所述磁性自由层具有方向可变的垂直磁化；与所述磁性自由层接触的反常自旋轨道矩层具有面内磁化方向，以产生反常自旋霍尔效应，以使所述磁性自由层磁化翻转，从而改变自旋轨道矩磁性隧道结阻态，实现逻辑功能。
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公开(公告)号：CN113098396B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110361570.3
申请日：2021-04-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H03B15/00
Abstract: 本发明提供一种包括自旋波耦合的自旋霍尔振荡器阵列的振荡器装置。单个自旋霍尔振荡器的输出功率一般在微瓦量级，难以满足实际应用的需要。为了提高输出功率，可以采用多个自旋霍尔振荡器的阵列，但是多个自旋霍尔振荡器之间存在同步问题。在本发明的一些实施例中，采用共振增强单元将相邻的自旋霍尔振荡器彼此连接。自旋霍尔振荡器能在共振增强单元中激发自旋波，其能够使相邻的自旋霍尔振荡器彼此磁性耦合，从而在运行时迅速共振到相同的频率和相位，提高整个器件的振荡信号输出功率。该振荡器装置具有耦合强度大，延迟时间短，耦合性能显著提升且对自旋霍尔振荡器之间的距离有可观的提高等优点，而且结构较为简单，容易制造。
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公开(公告)号：CN118073082A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410472473.5
申请日：2024-04-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明属于二维材料制备相关技术领域，公开了一种二维室温铁磁纳米片及其制备方法和应用。包括以下步骤：将碲源和铬源分别置于双温区管式炉中对应的上、下游温区，在还原性气氛和保护性气氛的混合气体生长氛围下，于850‑870℃的下游温区进行化学气相沉积，在衬底上沉积得到二维室温铁磁碲化铬纳米片。本发明采用化学气相沉积法成功制备得到了具有室温磁性、大气环境稳定的碲化铬纳米片，实现高质量二维室温磁性材料的可控生长，制得的纳米片具有较好的柔性，可实现弯折不破裂，并在柔性自旋电子器件中有着优异的应用前景。
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公开(公告)号：CN112701214B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202011575392.6
申请日：2020-12-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及铁电调控人工反铁磁自由层的自旋轨道矩磁随机存储器。一种自旋轨道矩磁随机存储器可包括多个存储单元，每个存储单元可包括：固定磁层；形成在所述固定磁层上的间隔层；形成在所述间隔层上的具有人工反铁磁结构的自由磁层，所述自由磁层包括：形成在所述间隔层上的第一磁层；形成在所述第一磁层上的非磁耦合层；以及形成在所述非磁耦合层上的第二磁层；形成在所述自由磁层上的自旋轨道矩材料层；以及形成在所述自旋轨道矩材料层上的铁电层。本发明通过铁电层导致的电荷转移及极化电场来调控自由层的人工反铁磁结构从反铁磁耦合转变到铁磁耦合，降低了写入过程所需的电流密度，从而节省了存储器件的功耗。
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公开(公告)号：CN112701215B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202011585087.5
申请日：2020-12-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种铁电辅助电场调控人工反铁磁固定层的自旋轨道矩磁随机存储器，涉及磁性/铁磁/铁电材料或结构的电路和器件及其应用领域，包括一个铁电层，一个电场调控的基于人工反铁磁固定层的磁性隧道结及一个自旋轨道矩材料层。本发明还提供了基于自旋轨道矩‑磁性随机存储器的写入方法。其中铁电层产生极化电场和电荷转移效应使人工反铁磁固定层反铁磁耦合增强。本发明可以在电场和电流的共同作用下实现数据的稳定写入，具有密度高、功耗低、速度快、抗辐射性能好、非易失性等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112701216A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011586311.2
申请日：2020-12-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种磁多层结构，一种自旋轨道矩‑磁性随机存储器，一种自旋轨道矩‑磁性随机存储器的写入和存储方法，涉及具有磁性/铁磁/铁电材料或结构的电路和器件及其应用，磁多层结构包括：铁电层，自旋轨道矩材料层和电场调控的基于所述人工反铁磁自由层的磁性隧道结。通过极化电场和界面电荷转移效应辅助外加电场调控人工反铁磁结构的反铁磁耦合与铁磁耦合的转变，从而降低了写入过程所需的电流密度，提高了存储单元排列密度，节约能耗。
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公开(公告)号：CN112701215A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011585087.5
申请日：2020-12-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种铁电辅助电场调控人工反铁磁固定层的自旋轨道矩磁随机存储器，涉及磁性/铁磁/铁电材料或结构的电路和器件及其应用领域，包括一个铁电层，一个电场调控的基于人工反铁磁固定层的磁性隧道结及一个自旋轨道矩材料层。本发明还提供了基于自旋轨道矩‑磁性随机存储器的写入方法。其中铁电层产生极化电场和电荷转移效应使人工反铁磁固定层反铁磁耦合增强。本发明可以在电场和电流的共同作用下实现数据的稳定写入，具有密度高、功耗低、速度快、抗辐射性能好、非易失性等优点。
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公开(公告)号：CN110379917B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910557396.2
申请日：2019-06-25
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种磁多层结构、磁性结器件和磁性随机存储装置及其辅助写入和直接读取方法，包括：一电致磁性层和一绝缘辅助层；电致磁性层和绝缘辅助层组成层叠结构；绝缘辅助层中设置有若干微导电通道，微导电通道用于写入和读取电流的通过；绝缘辅助层的磁化方向垂直于层平面或平行于层平面；其中，在无电场时，电致磁性层处于顺磁状态；磁多层结构置于电场中，电致磁性层能够实现顺磁态和铁磁态的转变。在电场调控下，其中的电致磁性层由顺磁态转变为铁磁态，利用电致磁性层铁磁态同时与绝缘辅助层和磁性结的磁性自由层间的交换耦合作用辅助磁性自由层翻转，从而实现减小磁性自由层翻转所需要电流密度的目的。
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公开(公告)号：CN102063340B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201110021431.2
申请日：2011-01-19
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F11/00
Abstract: 本发明提供了一种提高磁电阻随机存储器高速缓存抗错能力的方法，可有效纠正或容忍随机存写错误，实现较低的存写电压或较快的存写速度。其存写操作采用递归式“写-读-校验”技术代替传统存写操作，以纠正由于改进存写容限或存写速度导致的随机存写错误。所述“写-读-校验”技术指在将数据写入MRAM高速缓存后立即读出，并与写入数据对比；若出错，则重复“写-读-校验”操作直至所有数据位编程正确。在基于“写-读-校验”操作下，采用在MRAM高速缓存中增加错误校验码或错误记录缓存逻辑，增加MRAM高速缓存的容错能力，减少由“写-读-校验”操作带来的处理器性能下降。
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公开(公告)号：CN118522722A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202311409226.2
申请日：2023-10-27
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/552 , H01L23/31
Abstract: 一种抗磁干扰的芯片封装结构，抗磁干扰的芯片封装结构中，空腔壳层内形成放置芯片的中间腔体，空腔壳层设有第一开口，第一屏蔽层经由第一胶层包裹空腔壳层，第一屏蔽层设有对齐第一开口的第二开口，第二屏蔽层经由第二胶层包裹第一屏蔽层，第二屏蔽层设有第三开口，第三开口连通第二开口且第三开口不重叠于第二开口，第三屏蔽层经由第三胶层包裹第二屏蔽层，第三屏蔽层设有第四开口，第四开口连通第三开口且第四开口不重叠于第三开口，封装壳层包裹第三屏蔽层且经由第四胶层粘接于基底，封装壳层设有第五开口，第五开口对齐第四开口，基底开设第六开口，第六开口对齐第五开口。
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