公开(公告)号：CN106024028B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201610206138.6

申请日：2016-03-31

Applicant: 西部数据传媒公司

Inventor： 刘家兴 ,  T·西科 ,  A·阿詹 ,  R·张

IPC: G11B5/65 ,  G11B5/66

Abstract: 本发明涉及一种用于热辅助磁记录介质的铱下层。本申请提供了一种热辅助磁记录(HAMR)介质堆栈，其中基于铱(Ir)的材料可以被利用为次级的下层代替被利用在传统的介质堆栈中的氧化镁(MgO)下层。这样的基于铱的材料可以包括，例如，纯铱、基于铱的合金、基于铱的化合物、以及具有分离子的颗粒状的铱层。将铱或者基于铱的材料用作下层，提供了优于使用MgO作为下层的优势。例如，直流(DC)溅射能够被用于沉积介质堆栈层，其中Ir的沉积率明显高于MgO的沉积率，导致较高的制造产量。更进一步地，较小的粒子在基于铱层的沉积过程中被生成，并且基于铱的下层能够作为更好的散热器。更进一步地，沉积在基于铱层上的记录层的晶体形态和结构能够被更好地控制。

公开(公告)号：CN106024028A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610206138.6

申请日：2016-03-31

Applicant: 西部数据传媒公司

Inventor： 刘家兴 ,  T·西科 ,  A·阿詹 ,  R·张

IPC: G11B5/65 ,  G11B5/66

CPC classification number: C23C14/34 ,  G11B5/653 ,  G11B5/72 ,  G11B5/7315 ,  G11B5/7325 ,  G11B2005/0021 ,  G11B5/65 ,  G11B5/66

Abstract: 本发明涉及一种用于热辅助磁记录介质的铱下层。本申请提供了一种热辅助磁记录(HAMR)介质堆栈，其中基于铱(Ir)的材料可以被利用为次级的下层代替被利用在传统的介质堆栈中的氧化镁(MgO)下层。这样的基于铱的材料可以包括，例如，纯铱、基于铱的合金、基于铱的化合物、以及具有分离子的颗粒状的铱层。将铱或者基于铱的材料用作下层，提供了优于使用MgO作为下层的优势。例如，直流(DC)溅射能够被用于沉积介质堆栈层，其中Ir的沉积率明显高于MgO的沉积率，导致较高的制造产量。更进一步地，较小的粒子在基于铱层的沉积过程中被生成，并且基于铱的下层能够作为更好的散热器。更进一步地，沉积在基于铱层上的记录层的晶体形态和结构能够被更好地控制。