公开(公告)号：CN104916294A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510104690.X

申请日：2015-03-10

Applicant: 西部数据技术公司

Inventor： D·班尼特 ,  G·A·贝尔泰罗 ,  S·李

IPC: G11B5/58

CPC classification number: G11B5/4969 ,  G11B5/012 ,  G11B5/4886 ,  G11B5/4976 ,  G11B5/5539

Abstract: 本发明涉及采用多个读取元件以增加用于二维磁记录的径向带的磁盘驱动器。公开一种包括磁盘和磁头的磁盘驱动器，该磁盘包括多个磁道，该磁头包括至少三个读取元件，所述至少三个读取元件包括第一读取元件、第二读取元件和第三读取元件。当磁头在磁盘的第一径向带内时，使用第一读取元件和第二读取元件检测记录在磁盘上的数据。当磁头在不同于第一径向带的磁盘的第二径向带内时，使用第一读取元件和第三读取元件检测记录在磁盘上的数据。当磁头在磁盘的第一径向位置上方时，第一读取元件与第三读取元件沿磁道向下基本对齐。

公开(公告)号：CN109791940A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780057487.9

申请日：2017-08-30

Applicant: 西部数据技术公司

Inventor： S·李 ,  H·蔡

IPC: H01L27/22

CPC classification number: G11C11/161 ,  G11C11/165 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明题为“垂直混合自旋扭矩转换(STT)和自旋轨道扭矩(SOT)磁随机存取存储器的共享源极线架构”。本公开涉及一种混合自旋转换扭矩(STT)和自旋轨道扭矩(SOT)磁随机存取存储器(MRAM)。所述混合STT-SOT MRAM的单元具有磁隧道结(MTJ)，所述磁隧道结具有其磁化垂直于衬底的平面取向的一些铁磁多层，和其磁化在所述衬底的所述平面内对齐的一些铁磁多层。架构导致高密度存储器。所述混合STT-SOT MRAM降低编程电流密度，同时具有高切换速度、更高的热稳定性。