公开(公告)号：CN105576041A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201511029353.5

申请日：2015-09-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A·V·博罗特尼科夫 ,  A·S·卡什亚普

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了瞬时电压抑制(TVS)设备(100)和构成该设备(100)的方法。TVS设备(100)包括由第一传导类型材料形成的宽带隙半导体材料的第一层(104)，在第一层(104)的至少一部分上方由第二传导类型材料形成的宽带隙半导体材料的第二层(106)，第二层包括第一掺杂剂浓度。TVS设备进一步包括在第二层(106)的至少一部分上方由第二传导类型材料形成的宽带隙半导体材料的第三层(108)，第三层包括第二掺杂剂浓度，该第二掺杂剂浓度不同于第一掺杂剂浓度。TVS设备进一步包括在第三层(108)的至少一部分上方由第一传导类型材料形成的宽带隙半导体材料的第四层(110)。

公开(公告)号：CN104282683B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201410445232.8

申请日：2014-06-27

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A·S·卡什亚普 ,  P·M·桑维克 ,  周锐

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L21/8213 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0617 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明为半导体组件及制造方法。提出了一种单片集成半导体组件。该半导体组件包括具有碳化硅(SiC)的衬底，和在衬底上制造的氮化镓(GaN)半导体器件。该半导体组件还包括制造在衬底中或衬底上的至少一个瞬态电压抑制器(TVS)结构，其中TVS结构与GaN半导体器件电接触。该TVS结构被配置成当跨GaN半导体器件施加的电压大于阈值电压时，在击穿模式、雪崩模式或其组合模式下操作。还提出了一种制造单片集成半导体组件的方法。

公开(公告)号：CN104282683A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410445232.8

申请日：2014-06-27

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A·S·卡什亚普 ,  P·M·桑维克 ,  周锐

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L21/8213 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0617 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明为半导体组件及制造方法。提出了一种单片集成半导体组件。该半导体组件包括具有碳化硅(SiC)的衬底，和在衬底上制造的氮化镓(GaN)半导体器件。该半导体组件还包括制造在衬底中或衬底上的至少一个瞬态电压抑制器(TVS)结构，其中TVS结构与GaN半导体器件电接触。该TVS结构被配置成当跨GaN半导体器件施加的电压大于阈值电压时，在击穿模式、雪崩模式或其组合模式下操作。还提出了一种制造单片集成半导体组件的方法。