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公开(公告)号：CN110062990B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201780053531.9
申请日：2017-04-27
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 模块化功率转换器系统包括彼此耦合的多个有功功率链路模块（APLM），每个APLM具有多个开关装置，其包括彼此耦合的第一和第二开关装置以及与第一和第二开关装置两者并联耦合的至少一个第一类型能量存储装置（ESD），第一类型ESD配置成感应第一直流（DC）电压。该系统也包括耦合到第一类型ESD的多个继电器以及耦合到多个APLM中的至少一个APLM并且耦合到电源和放电电路中的至少一个的充电控制器。充电控制器配置成响应于多个开关状态而交替地将至少一个第一类型ESD充电和放电，所述多个开关状态包括多个开关装置以及多个继电器的开关状态。
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公开(公告)号：CN110352552A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201780088014.5
申请日：2017-12-20
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 包括了用于在风力涡轮系统中使用的功率转换器。例如，风力涡轮系统可包括具有定子和转子的风驱动式双馈感应发电机。定子配置成在风力涡轮系统的定子总线上提供中压交流功率。风力涡轮系统包括功率转换器，其配置成使由转子提供的低压交流功率转换成适合于提供给电网的中压多相交流输出功率。功率转换器包括多个转换模块。各转换模块包括多个桥式电路。各桥式电路包括串联耦合的多个碳化硅开关装置。各转换模块配置成在风力涡轮系统的线路总线上提供中压多相交流输出功率的单相。
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公开(公告)号：CN104347616A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410357144.2
申请日：2014-07-25
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01L27/0248 , H01L2924/0002
Abstract: 提供一种半导体组件和制造方法。单片集成半导体组件包括包含Si的衬底，氮化镓(GaN)GaN半导体装置在衬底上制作。半导体组件还包括在衬底之中或之上制作的至少一个瞬态电压抑制器(TVS)结构，其中TVS结构与GaN半导体装置电接触。TVS结构配置成在跨GaN半导体装置的所施加电压大于阈值电压时工作在穿通模式、雪崩模式或者它们的组合模式。
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公开(公告)号：CN110476346A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201780088478.6
申请日：2017-12-20
Applicant: 通用电气公司
IPC: H02M7/5387 , H02M7/219 , H02M1/08 , H02M1/00
Abstract: 提供了用于操作具有带有碳化硅MOSFET的多个逆变器组块的功率转换器的系统和方法。DC-AC转换器可包括多个逆变器组块。各个逆变器组块可包括多个开关装置。控制方法可包括针对各个逆变器组块来标识用于逆变器组块的操作的多个开关型式中的一个。各个开关型式可包括多个开关命令。控制方法可进一步包括基于针对逆变器组块的所标识的开关型式来控制各个逆变器组块。控制方法可进一步包括使开关型式在多个逆变器组块之中轮换。
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公开(公告)号：CN107925247A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680047706.0
申请日：2016-07-06
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H02M5/456 , H02J3/36 , H02M1/0061 , H02M5/4585 , H02M7/213 , H02M7/23 , H02M7/493 , H02M7/533 , Y02E60/60
Abstract: 一种基于电压源变换器的高电压直流(HVDC)输电系统，所述高电压直流输电系统包括基于电压源变换器(VSC)的功率变换器通道。所述基于VSC的功率变换器通道包括交流到直流变换器以及电连接到所述交流到直流变换器的直流到交流逆变器。所述交流到直流变换器和直流到交流逆变器包括至少一个气体管开关装置，所述至少一个气体管开关装置与对应充气管二极管电反向并联。所述基于VSC的功率变换器通道包括换流电路，所述换流电路以通信方式连接到所述至少一个气体管开关装置中的一个或多个气体管开关装置。所述换流电路配置成在操作周期的第一部分期间“开通”所述一个或多个气体管开关装置中的对应一个气体管开关装置，并且在所述操作周期的第二部分期间“关断”所述一个或多个气体管开关装置中的所述对应一个气体管开关装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104282683B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201410445232.8
申请日：2014-06-27
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01L27/0248 , H01L21/8213 , H01L21/8232 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/0617 , H01L29/2003 , H01L29/267 , H01L29/7786
Abstract: 本发明为半导体组件及制造方法。提出了一种单片集成半导体组件。该半导体组件包括具有碳化硅(SiC)的衬底，和在衬底上制造的氮化镓(GaN)半导体器件。该半导体组件还包括制造在衬底中或衬底上的至少一个瞬态电压抑制器(TVS)结构，其中TVS结构与GaN半导体器件电接触。该TVS结构被配置成当跨GaN半导体器件施加的电压大于阈值电压时，在击穿模式、雪崩模式或其组合模式下操作。还提出了一种制造单片集成半导体组件的方法。
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公开(公告)号：CN104282683A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410445232.8
申请日：2014-06-27
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01L27/0248 , H01L21/8213 , H01L21/8232 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/0617 , H01L29/2003 , H01L29/267 , H01L29/7786
Abstract: 本发明为半导体组件及制造方法。提出了一种单片集成半导体组件。该半导体组件包括具有碳化硅(SiC)的衬底，和在衬底上制造的氮化镓(GaN)半导体器件。该半导体组件还包括制造在衬底中或衬底上的至少一个瞬态电压抑制器(TVS)结构，其中TVS结构与GaN半导体器件电接触。该TVS结构被配置成当跨GaN半导体器件施加的电压大于阈值电压时，在击穿模式、雪崩模式或其组合模式下操作。还提出了一种制造单片集成半导体组件的方法。
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公开(公告)号：CN110476346B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201780088478.6
申请日：2017-12-20
Applicant: 通用电气公司
IPC: H02M7/5387 , H02M7/219 , H02M1/08 , H02M1/00
Abstract: 提供了用于操作具有带有碳化硅MOSFET的多个逆变器组块的功率转换器的系统和方法。DC‑AC转换器可包括多个逆变器组块。各个逆变器组块可包括多个开关装置。控制方法可包括针对各个逆变器组块来标识用于逆变器组块的操作的多个开关型式中的一个。各个开关型式可包括多个开关命令。控制方法可进一步包括基于针对逆变器组块的所标识的开关型式来控制各个逆变器组块。控制方法可进一步包括使开关型式在多个逆变器组块之中轮换。
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公开(公告)号：CN110366815A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201780088017.9
申请日：2017-12-20
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 包括了用于在风力涡轮系统中使用的功率转换器。例如，风力涡轮系统可包括具有定子和转子的全功率发电机。发电机配置成在风力涡轮系统的定子总线上提供低压交流功率。风力涡轮系统包括功率转换器，其配置成使在定子总线上提供的低压交流功率转换成适合于提供给电网的中压多相交流输出功率。功率转换器包括多个转换模块，各转换模块包括多个桥式电路。各桥式电路包括串联耦合的多个碳化硅开关装置。各转换模块配置成在风力涡轮系统的线路总线上提供中压多相交流输出功率的单相。
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公开(公告)号：CN110062990A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201780053531.9
申请日：2017-04-27
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 模块化功率转换器系统包括彼此耦合的多个有功功率链路模块（APLM），每个APLM具有多个开关装置，其包括彼此耦合的第一和第二开关装置以及与第一和第二开关装置两者并联耦合的至少一个第一类型能量存储装置（ESD），第一类型ESD配置成感应第一直流（DC）电压。该系统也包括耦合到第一类型ESD的多个继电器以及耦合到多个APLM中的至少一个APLM并且耦合到电源和放电电路中的至少一个的充电控制器。充电控制器配置成响应于多个开关状态而交替地将至少一个第一类型ESD充电和放电，所述多个开关状态包括多个开关装置以及多个继电器的开关状态。
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