形成隔离的敷形屏蔽区的系统和方法

    公开(公告)号:CN101932223A

    公开(公告)日:2010-12-29

    申请号:CN201010219317.6

    申请日:2010-06-22

    CPC classification number: H05K9/0043 H05K9/0024 Y10T29/49002

    Abstract: 本发明涉及形成隔离的敷形屏蔽区的系统和方法。公开了形成用于电气系统(12)的图案化的敷形结构(10)的系统和方法。该敷形结构包括定位在电气系统上的电介质涂层(18),该电气系统具有安装在其上的电路构件(16),该电介质涂层成形为符合电气系统的表面,并且在其中具有定位在电气系统的表面的接触垫(22)之上的多个开口(20)。该敷形结构还包括导电涂层(24),导电涂层铺设在电介质涂层上和接触垫(22)上,使得在导电涂层与接触垫之间形成电连接。电介质涂层和导电涂层具有通过其中而形成的多个交迭的路径开口(27),以便隔离期望的电路构件或电路构件组之上的敷形结构的相应的屏蔽区(26)。

    用于半导体器件的功率覆盖封装件

    公开(公告)号:CN118471951A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410167929.7

    申请日:2024-02-06

    Abstract: 本发明涉及用于半导体器件的功率覆盖封装件。一种半导体组件包括半导体器件和联接到所述器件的POL‑RDL封装件。该器件包括上表面、设置在所述上表面上的栅极焊盘和至少一个源极焊盘。POL‑RDL封装件包括介电层,所述介电层设置有电联接到所述器件的所述至少一个源极焊盘的至少一个源极焊盘以及至少一个接触焊盘。具有电阻率值的至少一个迹线连接件将所述POL‑RDL封装件的所述至少一个源极焊盘电联接到所述至少一个接触焊盘。

    形成隔离的敷形屏蔽区的系统和方法

    公开(公告)号:CN101932223B

    公开(公告)日:2013-08-28

    申请号:CN201010219317.6

    申请日:2010-06-22

    CPC classification number: H05K9/0043 H05K9/0024 Y10T29/49002

    Abstract: 本发明涉及形成隔离的敷形屏蔽区的系统和方法。公开了形成用于电气系统(12)的图案化的敷形结构(10)的系统和方法。该敷形结构包括定位在电气系统上的电介质涂层(18),该电气系统具有安装在其上的电路构件(16),该电介质涂层成形为符合电气系统的表面,并且在其中具有定位在电气系统的表面的接触垫(22)之上的多个开口(20)。该敷形结构还包括导电涂层(24),导电涂层铺设在电介质涂层上和接触垫(22)上,使得在导电涂层与接触垫之间形成电连接。电介质涂层和导电涂层具有通过其中而形成的多个交迭的路径开口(27),以便隔离期望的电路构件或电路构件组之上的敷形结构的相应的屏蔽区(26)。

    多芯片半导体封装的电力覆盖结构

    公开(公告)号:CN119495676A

    公开(公告)日:2025-02-21

    申请号:CN202411112699.0

    申请日:2024-08-14

    Abstract: 本申请标题为“多芯片半导体封装的电力覆盖结构”。一种多芯片半导体封装,该多芯片半导体封装包括:具有上表面和底表面的电介质互连层;部署在互连层的上表面上的至少一个公共源极焊盘;部署在互连层的上表面上的至少一个公共栅极焊盘;以及多个半导体器件,每个半导体器件包括粘合到互连层上的栅极焊盘和至少一个源极焊盘,其中多个半导体器件的源极焊盘电连接到至少一个公共源极焊盘,并且其中多个半导体器件的源极焊盘彼此并联电连接,并且其中多个半导体器件的栅极焊盘电连接到公共栅极焊盘,并且其中多个半导体器件的栅极焊盘彼此并联电连接。

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