公开(公告)号：CN102569064A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110460740.X

申请日：2011-12-22

Applicant: 通用电气公司

Inventor： H·A·布莱德斯 ,  G·T·达拉科斯 ,  D·W·费尔努伊 ,  A·R·诺尔思拉普 ,  J·C·罗霍 ,  P·J·梅施特 ,  彭红樱 ,  曹洪波 ,  奚衍罡 ,  R·D·戈斯曼 ,  张安平

IPC: H01L21/324 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/1884 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/548 ,  C23C14/56 ,  C23C14/5806 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/543

Abstract: 本发明为“制作透明传导氧化层和光伏器件的方法”。在本发明的一个方面中，提供一种方法。该方法包括在支承上放置基本非晶氧化镉锡层；并在基本不存在来自外部源的镉的气氛中对基本非晶氧化镉锡层进行热处理以形成透明层，其中透明层具有小于约2x10-4Ohm-cm的电阻率。还提供制作光伏器件的方法。

公开(公告)号：CN118471951A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410167929.7

申请日：2024-02-06

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A·V·高达 ,  L·D·斯特万诺维奇 ,  C·J·卡普斯塔 ,  R·D·戈斯曼 ,  R·I·S·图梅宁

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明涉及用于半导体器件的功率覆盖封装件。一种半导体组件包括半导体器件和联接到所述器件的POL‑RDL封装件。该器件包括上表面、设置在所述上表面上的栅极焊盘和至少一个源极焊盘。POL‑RDL封装件包括介电层，所述介电层设置有电联接到所述器件的所述至少一个源极焊盘的至少一个源极焊盘以及至少一个接触焊盘。具有电阻率值的至少一个迹线连接件将所述POL‑RDL封装件的所述至少一个源极焊盘电联接到所述至少一个接触焊盘。

公开(公告)号：CN102544213B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201110461918.2

申请日：2011-11-22

Applicant: 通用电气公司

Inventor： B·A·科列瓦尔 ,  S·费尔德曼-皮博迪 ,  R·D·戈斯曼

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0296 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供了一种用于制造硫化镉层的方法。该方法包括多个步骤，所述步骤包括提供衬底以及在衬底上设置含镉层，随后硫化含镉层。

公开(公告)号：CN102569064B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201110460740.X

申请日：2011-12-22

Applicant: 通用电气公司

Inventor： H·A·布莱德斯 ,  G·T·达拉科斯 ,  D·W·费尔努伊 ,  A·R·诺尔思拉普 ,  J·C·罗霍 ,  P·J·梅施特 ,  彭红樱 ,  曹洪波 ,  奚衍罡 ,  R·D·戈斯曼 ,  张安平

IPC: H01L21/324 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明名称为“制作透明传导氧化层和光伏器件的方法”。在本发明的一个方面中，提供一种方法。该方法包括在支承上放置基本非晶氧化镉锡层；并在基本不存在来自外部源的镉的气氛中对基本非晶氧化镉锡层进行热处理以形成透明层，其中透明层具有小于约2x10-4Ohm-cm的电阻率。还提供制作光伏器件的方法。

公开(公告)号：CN102544213A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110461918.2

申请日：2011-11-22

Applicant: 通用电气公司

Inventor： B·A·科列瓦尔 ,  S·费尔德曼-皮博迪 ,  R·D·戈斯曼

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0296 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供了一种用于制造硫化镉层的方法。该方法包括多个步骤，所述步骤包括提供衬底以及在衬底上设置含镉层，随后硫化含镉层。