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公开(公告)号:CN100351931C
公开(公告)日:2007-11-28
申请号:CN01813589.7
申请日:2001-06-15
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C08G63/64 , G11B7/2534 , Y10T428/21
Abstract: 本发明涉及特别适用于高密度光学数据存储介质的三元共聚物。所述三元共聚物适用于DVD可记录和可再写介质。另外,本发明还涉及由这些三元共聚物制备DVD可记录和可再写介质的方法。所述三元共聚物由占其20-80摩尔%的结构(I)的碳酸酯结构单元、20-80摩尔%的结构(II)的碳酸酯结构单元和0.5-10摩尔%的结构(V)的结构单元组成:其中各基团和下标如说明书中所定义;并且其中所述三元共聚物的吸水性低于约0.33%,Tg为120℃至185℃,并且IBR在-100纳米至100纳米的范围内。
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公开(公告)号:CN1502101A
公开(公告)日:2004-06-02
申请号:CN01813589.7
申请日:2001-06-15
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C08G63/64 , G11B7/2534 , Y10T428/21
Abstract: 本发明涉及特别适用于高密度光学数据存储介质的三元共聚物。所述三元共聚物适用于DVD可记录和可再写介质。另外,本发明还涉及由这些三元共聚物制备DVD可记录和可再写介质的方法。
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