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公开(公告)号:CN100351931C
公开(公告)日:2007-11-28
申请号:CN01813589.7
申请日:2001-06-15
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C08G63/64 , G11B7/2534 , Y10T428/21
Abstract: 本发明涉及特别适用于高密度光学数据存储介质的三元共聚物。所述三元共聚物适用于DVD可记录和可再写介质。另外,本发明还涉及由这些三元共聚物制备DVD可记录和可再写介质的方法。所述三元共聚物由占其20-80摩尔%的结构(I)的碳酸酯结构单元、20-80摩尔%的结构(II)的碳酸酯结构单元和0.5-10摩尔%的结构(V)的结构单元组成:其中各基团和下标如说明书中所定义;并且其中所述三元共聚物的吸水性低于约0.33%,Tg为120℃至185℃,并且IBR在-100纳米至100纳米的范围内。
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公开(公告)号:CN1886710A
公开(公告)日:2006-12-27
申请号:CN200480034799.0
申请日:2004-10-22
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G11B7/24 , G11B20/00086 , G11B20/00123 , G11B20/00173
Abstract: 本发明提供了可认证的光盘(100)及认证光盘的系统和方法。所述光盘包括反射层(206);设置在所述反射层(206)和所述光盘的光入射表面之间的光学透明衬底(210);设置在所述衬底和所述反射层之间的数据层,所述数据层包括预定的签名;和至少一个可测量特征(106),其中所述至少一个特征与所述预定签名进行比较以对所述光盘进行认证。所述方法包括以下步骤:制备具有至少一个光学特征的光盘(402);测量从所述至少一个光学特征透射的光的强度(406);将所述测量强度与预定签名进行比较(408),其中如果所述测量强度与预定签名相匹配,则允许读取所述光盘(412)。
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公开(公告)号:CN1293551C
公开(公告)日:2007-01-03
申请号:CN02806642.1
申请日:2002-02-06
Applicant: 通用电气公司
Inventor: E·M·布雷通 , E·M·S·范哈梅斯韦德 , D·R·奥尔森 , M·B·维斯努德尔
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B20/00086 , G11B7/24 , G11B20/00608 , G11B20/0084 , G11B23/282 , Y10S430/146 , Y10T428/31504 , Y10T428/31507 , Y10T428/31721 , Y10T428/31855 , Y10T428/31935
Abstract: 本发明涉及一种有限运行光储存介质和限制访问其上的数据的方法。该储存介质包括:一种光透明基材(5);一个反射层(7);一个布置在所述基材和所述反射层之间的数据储存层(9);一个布置在所述基材与所述数据储存层相反的一侧上的氧可透过性紫外涂层(1);和布置在所述紫外涂层和所述基材之间的反应层,所述反应层具有约50%或更大的初始反射率和约45%或更小的后续反射率。
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公开(公告)号:CN1502101A
公开(公告)日:2004-06-02
申请号:CN01813589.7
申请日:2001-06-15
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C08G63/64 , G11B7/2534 , Y10T428/21
Abstract: 本发明涉及特别适用于高密度光学数据存储介质的三元共聚物。所述三元共聚物适用于DVD可记录和可再写介质。另外,本发明还涉及由这些三元共聚物制备DVD可记录和可再写介质的方法。
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公开(公告)号:CN1496563A
公开(公告)日:2004-05-12
申请号:CN02806642.1
申请日:2002-02-06
Applicant: 通用电气公司
Inventor: E·M·布雷通 , E·M·S·范哈梅斯韦德 , D·R·奥尔森 , M·B·维斯努德尔
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B20/00086 , G11B7/24 , G11B20/00608 , G11B20/0084 , G11B23/282 , Y10S430/146 , Y10T428/31504 , Y10T428/31507 , Y10T428/31721 , Y10T428/31855 , Y10T428/31935
Abstract: 本发明涉及一种有限运行光储存介质和限制访问其上的数据的方法。该储存介质包括:一种光透明基材(5);一个反射层(7);一个布置在所述基材和所述反射层之间的数据储存层(9);一个布置在所述基材与所述数据储存层相反的一侧上的氧可透过性紫外涂层(1);和布置在所述紫外涂层和所述基材之间的反应层,所述反应层具有约50%或更大的初始反射率和约45%或更小的后续反射率。
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