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公开(公告)号：CN106462073A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580025513.0
申请日：2015-05-19
Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种上层膜形成用组合物与使用了其的图案形成方法，所述上层膜形成用组合物在基于极紫外线曝光的图案形成方法中，可形成粗糙度和/或图案形状优异的图案。一种上层膜形成用组合物、以及将该组合物涂布于抗蚀层表面，通过曝光显影从而形成图案的方法，所述上层膜形成用组合物的特征在于，包含具有芳香族性羟基的芳香族化合物以及水性溶剂。该组合物也可进一步包含粘合剂。
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公开(公告)号：CN107207903B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201680010048.8
申请日：2016-02-02
Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC: C08G73/02 , C09D177/10 , G03F7/09
Abstract: 提供用于形成底层的组合物，其可以形成具有平坦表面的底层。[解决方案]一种用于形成底层的组合物，其包含具有含氮重复单元的聚合物和溶剂。该底层是通过将该组合物涂布在基板上，优选在不活泼气氛中烘焙，然后在含氧空气中烘焙而形成的。
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公开(公告)号：CN106462073B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201580025513.0
申请日：2015-05-19
Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种上层膜形成用组合物与使用了其的图案形成方法，所述上层膜形成用组合物在基于极紫外线曝光的图案形成方法中，可形成粗糙度和/或图案形状优异的图案。一种上层膜形成用组合物、以及将该组合物涂布于抗蚀层表面，通过曝光显影从而形成图案的方法，所述上层膜形成用组合物的特征在于，包含具有芳香族性羟基的芳香族化合物以及水性溶剂。该组合物也可进一步包含粘合剂。
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公开(公告)号：CN108602939A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780010051.4
申请日：2017-01-19
Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC: C08G61/02 , C08G61/12 , C08G8/02 , C08G10/00 , C09D161/00 , C09D165/00 , G03F7/11 , G03F7/26 , G03F7/09 , H01L21/027
CPC classification number: C09D165/00 , C08G10/00 , C08G61/02 , C08G61/12 , C08G2261/124 , C08G2261/135 , C08G2261/312 , C08G2261/314 , C08G2261/316 , C08G2261/344 , C08G2261/45 , C08G2261/592 , C08G2261/65 , C08G2261/73 , C08G2261/76 , C08G2261/90 , C09D161/18 , G03F7/094 , H01L21/0271
Abstract: 本发明涉及一种聚合物、组合物、牺牲层的形成和制备半导体装置的方法，其包括通过光刻法使用光致抗蚀剂制作图案的步骤。
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公开(公告)号：CN107207903A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680010048.8
申请日：2016-02-02
Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC: C09D179/02 , C08G73/02 , C09D177/10 , G03F7/09
Abstract: 提供用于形成底层的组合物，其可以形成具有平坦表面的底层。[解决方案]一种用于形成底层的组合物，其包含具有含氮重复单元的聚合物和溶剂。该底层是通过将该组合物涂布在基板上，优选在不活泼气氛中烘焙，然后在含氧空气中烘焙而形成的。
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