公开(公告)号：CN108610472A

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201810359767.1

申请日：2018-04-20

Applicant: 辽宁大学

Inventor： 闫卓君 ,  杨东奇 ,  夏立新 ,  布乃顺 ,  张谦 ,  张红翠 ,  杨骁

IPC: C08G61/12 ,  B01J20/26 ,  B01J20/28

CPC classification number: C08G61/121 ,  B01J20/262 ,  B01J20/28054 ,  C08G2261/314 ,  C08G2261/3162 ,  C08G2261/411

Abstract: 本发明公开一种含氮多孔芳香骨架材料及其制备方法和应用。本发明是以二溴取代的芳香烃类化合物和三(4-硼酸频呢醇酯苯基)胺为反应单体，以四(三苯基磷)钯为催化剂，用四氢呋喃作溶剂，经Suzuki偶联反应制得的含氮多孔芳香骨架材料。本发明的含氮多孔芳香骨架材料可应用于捕获以及存储放射性碘，可循环使用，具有良好的经济效益。

公开(公告)号：CN108602939A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201780010051.4

申请日：2017-01-19

Applicant: AZ电子材料(卢森堡)有限公司

Inventor： 中杉茂正 ,  滨祐介 ,  黑泽和则 ,  柳田浩志 ,  能谷刚

IPC: C08G61/02 ,  C08G61/12 ,  C08G8/02 ,  C08G10/00 ,  C09D161/00 ,  C09D165/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/09 ,  H01L21/027

CPC classification number: C09D165/00 ,  C08G10/00 ,  C08G61/02 ,  C08G61/12 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/135 ,  C08G2261/312 ,  C08G2261/314 ,  C08G2261/316 ,  C08G2261/344 ,  C08G2261/45 ,  C08G2261/592 ,  C08G2261/65 ,  C08G2261/73 ,  C08G2261/76 ,  C08G2261/90 ,  C09D161/18 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明涉及一种聚合物、组合物、牺牲层的形成和制备半导体装置的方法，其包括通过光刻法使用光致抗蚀剂制作图案的步骤。

公开(公告)号：CN108368240A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680073726.5

申请日：2016-12-16

Applicant: 剑桥显示技术有限公司 ,  住友化学株式会社

Inventor： T·库格勒 ,  S·祖贝里 ,  F·鲍塞特

IPC: C08G61/02 ,  C08G61/10 ,  H01L51/30 ,  H01L51/50 ,  H01B1/12

CPC classification number: C08G61/02 ,  C07D235/18 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/143 ,  C08G2261/148 ,  C08G2261/314 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/411 ,  C08G2261/514 ,  C08G2261/5222 ,  C08G2261/792 ,  C08G2261/95 ,  C08L2205/02 ,  C09K11/06 ,  H01B1/128 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/5076 ,  H01L51/5092 ,  C08K5/3447 ,  C08L65/00 ,  C08K5/3445 ,  C09D165/00

Abstract: 一种电荷转移盐，其由包含式(I)重复单元的材料和n-掺杂剂形成： 其中BG是重复单元的主链基团；R1是包含至少一个阳离子或阴离子基团的离子取代基；n是至少1；R2是非离子取代基；并且m是0或正整数；该材料进一步包含平衡所述阳离子或阴离子基团的电荷的抗衡离子。

公开(公告)号：CN108368058A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680073739.2

申请日：2016-12-16

Applicant: 剑桥显示技术有限公司 ,  住友化学株式会社

Inventor： T·库格勒 ,  S·祖贝里 ,  F·鲍塞特 ,  J-B·吉格尔

IPC: C07D235/18 ,  C08G61/02 ,  C08G61/10 ,  H01B1/12 ,  H01L51/30 ,  H01L51/52

CPC classification number: C08G61/02 ,  C07D235/18 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/143 ,  C08G2261/148 ,  C08G2261/314 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/411 ,  C08G2261/514 ,  C08G2261/5222 ,  C08G2261/792 ,  C08G2261/95 ,  C08L2205/02 ,  C09K11/06 ,  H01B1/128 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/5076 ,  H01L51/5092 ,  C08K5/3447 ,  C08L65/00 ,  C08K5/3445 ,  C09D165/00

Abstract: 一种式(I)的化合物：(Core)n—(X)m(I)其中Core是核心基团；n是0并且m是1，或者n是1并且m是至少1；以及X是式(II)的基团：其中：R1、R3和R5各自独立地为H或取代基；R2和R4各自是取代基；在n是1的情形中，R1-R5之一是将式(II)的基团连接到Core的直接键或二价连接基团；x和y是0、1、2、3或4；并且式(I)的化合物取代有至少一个离子取代基。该化合物可用作n-掺杂剂以掺杂有机半导体。

公开(公告)号：CN105594303B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201480054008.4

申请日：2014-09-19

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 浅田浩平 ,  田中慎也 ,  林直树

IPC: H05B33/10 ,  C08G61/12 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04

CPC classification number: H01L51/0043 ,  C08G61/12 ,  C08G61/122 ,  C08G61/128 ,  C08G2261/12 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/135 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/148 ,  C08G2261/312 ,  C08G2261/314 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/3162 ,  C08G2261/3221 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3228 ,  C08G2261/411 ,  C08G2261/51 ,  C08G2261/5222 ,  C08G2261/60 ,  C08G2261/76 ,  C08G2261/95 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/185 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/556

Abstract: 本发明提供一种发光元件，是具有阳极、阴极、设于阳极与阴极之间的发光层、和密封层的发光元件，在密封层的形成后进行的退火处理的温度TA(℃)、和发光层中含有1重量％以上的材料中玻璃化转变温度最低的材料的玻璃化转变温度TG(℃)满足下述式(1)，退火处理前的施加电压5V时的电流密度IA、和退火处理后的施加电压5V时的电流密度IB满足下述式(2)。TA＜TG(1)0.50×IA≤IB≤0.95×IA(2)。

公开(公告)号：CN103339167B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201280006947.2

申请日：2012-01-31

Applicant: 剑桥显示技术有限公司 ,  住友化学株式会社

Inventor： S·B·海登海恩 ,  M·罗伯特斯 ,  M·卡斯 ,  N·M·J·康韦 ,  F·L·雅各布森

IPC: C08G61/02 ,  C08G61/12 ,  C07C13/28 ,  C09K11/06 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50

CPC classification number: C08G61/02 ,  C07C25/22 ,  C07C25/24 ,  C07C211/61 ,  C07C2602/06 ,  C07C2603/18 ,  C07F5/04 ,  C08G61/12 ,  C08G2261/12 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/148 ,  C08G2261/312 ,  C08G2261/314 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/3162 ,  C08G2261/411 ,  C08G2261/512 ,  C08G2261/5222 ,  C08G2261/95 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1416 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5056 ,  H05B33/14

Abstract: 包含式（I）的重复单元的聚合物：其中Ar6和Ar7各自独立地代表取代或未取代的芳基或杂芳基；Sp代表将Ar6从Ar7隔开的间隔基，其包含至少2个脂族碳原子的链；m至少为1；并且如果m大于1则‑(Ar7)m形成Ar7基团的直链或支链，其中Ar7在每次出现时可以相同或不同。

公开(公告)号：CN106893080A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201510954756.4

申请日：2015-12-17

Applicant: 中国科学院化学研究所

Inventor： 陈传峰 ,  周丽丽 ,  李猛 ,  吕海燕

IPC: C08G61/02 ,  C08G61/10 ,  G01N21/64

CPC classification number: C08G61/02 ,  C08G61/10 ,  C08G2261/11 ,  C08G2261/12 ,  C08G2261/314 ,  C08G2261/342 ,  G01N21/64

Abstract: 本发明涉及一类基于苯并[5]螺烯的共轭聚合物及其制备方法和应用。该类聚合物具有如式I所示的结构，其中，R独立的选自取代或未取代的碳原子数为1到20的直链或者支链的烷基；Ar独立的选自：-芳基-、-杂芳基-、-乙炔基-芳基-乙炔基-、-乙炔基-杂芳基-乙炔基-，所述芳基、杂芳基可任选被取代基取代；n代表聚合物的重复单元个数，n≥3。本发明所述的聚合物可以用于检测硝基芳烃类爆炸物；优选的，所述聚合物可以用于对处于液相或者气相中的硝基芳烃类爆炸物进行检测。

公开(公告)号：CN106883383A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201710029610.8

申请日：2013-02-25

Applicant: 斯马特凯姆有限公司

Inventor： R.J.格里菲思

IPC: C08G61/10 ,  C08G61/02 ,  C08G61/12 ,  C09D165/00 ,  C09D11/52 ,  C08K5/01 ,  C08L65/00 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L51/0036 ,  C08G61/02 ,  C08G61/10 ,  C08G61/12 ,  C08G61/126 ,  C08G61/128 ,  C08G75/06 ,  C08G2261/12 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/312 ,  C08G2261/314 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/3162 ,  C08G2261/3243 ,  C08G2261/51 ,  C08G2261/5222 ,  C08G2261/91 ,  C08G2261/92 ,  C08G2261/94 ,  C08G2261/95 ,  C08K5/01 ,  C09D11/52 ,  C09D165/00 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50 ,  H01L2251/30 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  C08L65/00

Abstract: 本发明涉及有机半导体组合物。更具体地，本发明涉及有机共聚物和包含这些材料的有机半导体组合物，包括包含这样的有机半导体组合物的层和器件。本发明还涉及这样的有机半导体组合物和层的制备方法及其用途。本发明具有在印刷电子器件领域中的应用并且作为用于显示器用有机薄膜晶体管(OTFT)背板、集成电路、有机发光二极管(OLED)、光电探测器、有机光伏(OPV)电池、传感器、存储元件和逻辑电路的配制物的半导体材料是特别有用的。

公开(公告)号：CN106632999A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610807102.3

申请日：2016-09-06

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 黄飞 ,  金耀城 ,  陈智明 ,  应磊 ,  曹镛

IPC: C08G61/12 ,  H01L51/46

CPC classification number: Y02E10/549 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/18 ,  C08G2261/314 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3243 ,  C08G2261/91 ,  H01L51/0036

Abstract: 本发明涉及一种含萘[1,2‑c;5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑的聚合物半导体材料及其制备方法与应用。本发明通过并噻吩类单体与含萘[1,2‑c;5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑的多种单体进行共聚，获得含萘[1,2‑c;5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑的聚合物半导体。由于萘[1,2‑c;5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑具有良好的吸电子能力以及平面性，本发明所制备的新型含萘[1,2‑c;5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑的聚合物半导体材料可以非常好的调节光电性质，具有良好的光电性能，因此可应用于制作聚合物太阳电池的活性层。

公开(公告)号：CN105949441A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610584833.6

申请日：2013-02-25

Applicant: 斯马特凯姆有限公司

Inventor： R.J.格里菲思

IPC: C08G61/02 ,  C08G61/12 ,  C09D11/52 ,  C08L65/00 ,  C08K5/01 ,  C09D165/00 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L51/0036 ,  C08G61/02 ,  C08G61/10 ,  C08G61/12 ,  C08G61/126 ,  C08G61/128 ,  C08G75/06 ,  C08G2261/12 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/312 ,  C08G2261/314 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/3162 ,  C08G2261/3243 ,  C08G2261/51 ,  C08G2261/5222 ,  C08G2261/91 ,  C08G2261/92 ,  C08G2261/94 ,  C08G2261/95 ,  C08K5/01 ,  C09D11/52 ,  C09D165/00 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50 ,  H01L2251/30 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  C08L65/00

Abstract: 本发明涉及有机共聚物和包含这些材料的有机半导体组合物，包括包含这样的有机半导体组合物的层和器件。本发明还涉及这样的有机半导体组合物和层的制备方法及其用途。本发明具有在印刷电子器件领域中的应用并且作为用于显示器用有机薄膜晶体管(OTFT)背板、集成电路、有机发光二极管(OLED)、光电探测器、有机光伏(OPV)电池、传感器、存储元件和逻辑电路的配制物的半导体材料是特别有用的。